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Neue Version des Europäischen Patentregisters – Angaben zu ESZ-Verfahren im Einheitspatentregister.

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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1258920

EP1258920 - Verfahren zur Herstellung vergrabener Bereiche [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusKein Einspruch fristgerecht eingelegt
Status aktualisiert am  30.01.2009
Datenbank zuletzt aktualisiert am 28.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip22.05.2009Änderung - Vertreterveröffentlicht am 24.06.2009  [2009/26]
AnmelderFür alle benannten Staaten
ATMEL Germany GmbH
Theresienstrasse 2
74072 Heilbronn / DE
[2002/47]
Erfinder01 / Dietrich, Harry
Fuchsring 27
74912 Kirchardt / DE
02 / Dudek, Volker, Dr.
Kelterstrasse 51/1
74336 Brackenheim / DE
03 / Schüppen, Andreas, Dr.
Ginsterweg 7
74348 Lauffen / DE
 [2002/47]
VertreterMüller, Wolf-Christian
Koch Müller Patentanwaltsgesellschaft mbH Maassstrasse 32/1
69123 Heidelberg / DE
[2009/26]
Frühere [2007/09]Müller, Wolf-Christian
Patentanwalt Pilgramsroth 21E
96450 Coburg / DE
Frühere [2003/39](deleted)
Frühere [2002/47]Kolb, Georg
DaimlerChrysler AG, Postfach 35 35
74025 Heilbronn / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag02010016.004.05.2002
[2002/47]
Prioritätsnummer, PrioritätstagDE200112403816.05.2001         Ursprünglich veröffentlichtes Format: DE 10124038
[2002/47]
AnmeldespracheDE
VerfahrensspracheDE
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP1258920
Datum:20.11.2002
Sprache:DE
[2002/47]
Art: A3 Recherchenbericht 
Nr.:EP1258920
Datum:23.03.2005
[2005/12]
Art: B1 Patentschrift 
Nr.:EP1258920
Datum:26.03.2008
Sprache:DE
[2008/13]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP04.02.2005
KlassifikationIPC:H01L21/762, H01L21/74, H01L21/20
[2002/47]
CPC:
H01L21/76264 (EP,US); H01L21/74 (EP,US); H01L21/76275 (EP,US);
H01L21/76283 (EP,US)
Benannte VertragsstaatenDE,   FR [2005/50]
Frühere [2002/47]AT,  BE,  CH,  CY,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE,  TR 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Verfahren zur Herstellung vergrabener Bereiche[2002/47]
Englisch:Method of manufacturing buried regions[2002/47]
Französisch:Procédé de formation de régions enterrées[2002/47]
Prüfungsverfahren21.07.2005Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
21.07.2005Prüfungsantrag gestellt  [2005/38]
24.09.2005Teilrechtsverlust, Datum der Rechtswirksamkeit: benannte Vertragsstaat(en)
16.01.2006Absendung der Mitteilung über einen Teilrechtsverlusts: benannte Vertragsstaat(en) IT
05.04.2006Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
04.07.2006Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
19.09.2006Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
20.12.2006Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
17.01.2007Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
29.06.2007Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Erwiderung auf die Mitteilung der Prüfungsabteilung nicht fristgerecht eingegangen
24.07.2007Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
16.11.2007Ankündigung der Patenterteilung
11.02.2008Erteilungsgebühr entrichtet
11.02.2008Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
Einspruch (Einsprüche)30.12.2008Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2009/10]
Antrag auf Weiterbehandlung für:24.07.2007Antrag auf Weiterbehandlung gestellt
24.07.2007Komplette Zahlung eingegangen (Datum des Zahlungseingangs)
Antrag stattgegeben
07.08.2007Entscheidung abgesandt
Entrichtete GebührenJahresgebühr
27.04.2004Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
13.05.2005Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
31.03.2006Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
14.05.2007Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
Zuschlagsgebühr
Zuschlagsgebühr/Regel 85a EPÜ 1973
02.11.2005IT   M01   Noch nicht entrichtet
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[X]JP2000183157  ;
 [A]EP0494598  (UNITRODE CORP [US]) [A] 1,4,5 * figures 4A-4C *;
 [X]US5444014  (RYUM BYUNG-RYUL [KR], et al) [X] 1,4 * figures 3A-3F *;
 [X]US5496764  (SUN SHIH-WEI [US]) [X] 1,4 * figures 1-8 *;
 [A]EP0936663  (CANON KK [JP]) [A] 1-3 * figures 3A-3F *;
 [PX]US6242320  (SO SANG MUN [KR]) [PX] 1,4* figures 2A-2I *;
 [X]  - "SILICON-ON-INSULATOR VERTICAL COMPLEMENTARY BIPOLAR DEVICE STRUCTURE", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, IBM CORP. NEW YORK, US, (19910901), vol. 34, no. 4A, ISSN 0018-8689, pages 166 - 170, XP000210871 [X] 1,4 * figures 2A-2E *
 [X]  - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (20001013), vol. 2000, no. 09, & JP2000183157 A 20000630 (HYUNDAI ELECTRONICS IND CO LTD) [X] 1,4 * abstract *
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