blank Kurzhilfe
blank Wartungsmeldungen

Geplante Wartungsarbeiten

Regelmäßige Unterbrechungen:
zwischen 5.00 und 5.15 Uhr MEZ (Montag bis Sonntag).

Andere Unterbrechungen
Verfügbarkeit

2022.02.11

Mehr...
blank Kurzmeldungen

Kurzmeldungen

Neue Version des Europäischen Patentregisters – Angaben zu ESZ-Verfahren im Einheitspatentregister.

2024-07-24

Mehr...
blank Themenbezogene Links

Notizen zu Neuerungen
Assistent zum Europäischen Patentregister
Handbuch zum Europäischen Patentregister
Europäisches Patentregister – Kurzanleitung
FAQ - Europäisches Patentregister
Vereinigtes Register (Flyer)
Globale Akte (Flyer)
Ereignisse im Register
Datenverfügbarkeit für Deep Links
Inhalt des Vereinigten Registers
Tour Patentinformation
Leitfaden zur fairen Nutzung

Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1952492

EP1952492 - ELEKTRISCH GEPUMPTE ND3+-DOTIERTE FESTLASER [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusAnmeldung gilt als zurückgenommen
Status aktualisiert am  20.08.2010
Datenbank zuletzt aktualisiert am 25.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip20.08.2010Anmeldung gilt als zurückgenommenveröffentlicht am 22.09.2010  [2010/38]
AnmelderFür alle benannten Staaten
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE -CNRS-
3, rue Michel-Ange
75794 Paris Cedex 16 / FR
[N/P]
Frühere [2008/32]Für alle benannten Staaten
CENTRE NATIONAL DE LA RECHERCHE SCIENTIFIQUE (CNRS)
3, rue Michel-Ange
75794 Paris Cedex 16 / FR
Erfinder01 / GOURBILLEAU, Fabrice
9 Boulevard Saint Philbert
F-14510 Houlgate / FR
02 / BREARD, David
24 rue du Stade
F-14540 Soliers / FR
03 / RIZK, Richard
5 Allée des Florals
F-14000 Caen / FR
04 / DOUALAN, Jean-Louis
5 sente du Manoir
F-14980 Rots / FR
 [2008/32]
VertreterNovagraaf Technologies
Bâtiment O2
2, rue Sarah Bernhardt
CS90017
92665 Asnières-sur-Seine Cedex / FR
[N/P]
Frühere [2008/32]Bredema
38, avenue de l'Opéra
75002 Paris / FR
Anmeldenummer, Anmeldetag06831149.721.11.2006
[2008/32]
WO2006FR02558
Prioritätsnummer, PrioritätstagUS20050738500P21.11.2005         Ursprünglich veröffentlichtes Format: US 738500 P
[2008/32]
AnmeldespracheFR
VerfahrensspracheFR
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht
Nr.:WO2007057580
Datum:24.05.2007
Sprache:FR
[2007/21]
Art: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP1952492
Datum:06.08.2008
Sprache:FR
Die von der WIPO am 24.05.2007 in einer EPA-Amtssprache veröffentlichte Anmeldung tritt an die Stelle der Veröffentlichung der europäischen Patentanmeldung.
[2008/32]
Recherchenbericht(e)Internationaler Recherchenbericht - veröffentlicht am:EP12.07.2007
KlassifikationIPC:H01S3/063
[2008/32]
CPC:
H01S3/06 (EP,US); H01S3/063 (EP,US); H01S3/0632 (EP,US);
H01S3/09 (EP,US); H01S3/1603 (EP,US); H01S3/1611 (EP,US);
H01S3/1628 (EP,US); H01S3/169 (EP,US); H01S3/176 (EP,US) (-)
Benannte VertragsstaatenAT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   NL,   PL,   PT,   RO,   SE,   SI,   SK,   TR [2008/32]
ErstreckungsstaatenALNoch nicht entrichtet
BANoch nicht entrichtet
HRNoch nicht entrichtet
MKNoch nicht entrichtet
RSNoch nicht entrichtet
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:ELEKTRISCH GEPUMPTE ND3+-DOTIERTE FESTLASER[2008/32]
Englisch:ELECTRICALLY PUMPED ND3+ DOPED SOLID LASERS[2008/32]
Französisch:LASER SOLIDES DOPES ND3+ POMPES ELECTRIQUEMENT[2008/32]
Eintritt in die regionale Phase20.05.2008Nationale Grundgebühr entrichtet 
20.05.2008Benennungsgebühr(en) entrichtet 
20.05.2008Prüfungsgebühr entrichtet 
Prüfungsverfahren20.05.2008Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
20.05.2008Prüfungsantrag gestellt  [2008/32]
05.06.2009Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
11.08.2009Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
17.09.2009Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06)
30.03.2010Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit  [2010/38]
06.05.2010Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Erwiderung auf die Mitteilung der Prüfungsabteilung nicht fristgerecht eingegangen  [2010/38]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
26.11.2008Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
25.11.2009Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts		 Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführt inInternationale Recherche[X]  - RAN G Z ET AL, "Room-temperature 1.54 &mgr", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS. NEW YORK, US, (20011201), vol. 90, no. 11, ISSN 0021-8979, pages 5835 - 5837, XP012053668 [X] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.1413231
 [X]  - IACONA F ET AL, "Electroluminescence at 1.54 &mgr", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (20021021), vol. 81, no. 17, ISSN 0003-6951, pages 3242 - 3244, XP012032279 [X] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.1516235
 [X]  - SUN J M ET AL, "On the mechanism of electroluminescence excitation in Er-doped SiO2 containing silicon nanoclusters", OPTICAL MATERIALS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS B.V. AMSTERDAM, NL, (200502), vol. 27, no. 5, ISSN 0925-3467, pages 1050 - 1054, XP004738759 [X] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.08.061
 [X]  - IRRERA A ET AL, "Correlation between electroluminescence and structural properties of Si nanoclusters", OPTICAL MATERIALS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS B.V. AMSTERDAM, NL, (200502), vol. 27, no. 5, ISSN 0925-3467, pages 1031 - 1040, XP004738756 [X] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.08.058
 [X]  - GOURBILLEAU F ET AL, "Fabrication and optical properties of Er-doped multilayers Si-rich SiO2/SiO2: size control, optimum Er-Si coupling and interaction distance monitoring", OPTICAL MATERIALS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS B.V. AMSTERDAM, NL, (200502), vol. 27, no. 5, ISSN 0925-3467, pages 868 - 875, XP004738724 [X] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/j.optmat.2004.08.026
 [X]  - NAZAROV A ET AL, "Light emission and charge trapping in Er-doped silicon dioxide films containing silicon nanocrystals", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (20050407), vol. 86, no. 15, ISSN 0003-6951, pages 151914 - 151914, XP012064994 [X] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.1872208
 [PX]  - BREARD ET AL, "Nd<3+> photoluminescence study of Nd-doped Si-rich silica films obtained by reactive magnetron sputtering", JOURNAL OF LUMINESCENCE, AMSTERDAM, NL, (200612), vol. 121, no. 2, ISSN 0022-2313, pages 209 - 212, XP005719143 [PX] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2006.07.023
 [PX]  - NAVARRO-URRIOS ET AL, "Optical losses and gain in silicon-rich silica waveguides containing Er ions", JOURNAL OF LUMINESCENCE, AMSTERDAM, NL, (200612), vol. 121, no. 2, ISSN 0022-2313, pages 249 - 255, XP005719153 [PX] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/j.jlumin.2006.08.002
 [PX]  - YURTSEVER AYCAN ET AL, "Three-dimensional imaging of nonspherical silicon nanoparticles embedded in silicon oxide by plasmon tomography", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (20061013), vol. 89, no. 15, ISSN 0003-6951, pages 151920 - 151920, XP012086275 [PX] 1,9,11,27,28 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.2360906
Das EPA übernimmt keine Gewähr für die Richtigkeit von Daten, die aus anderen Behörden stammen, und schließt insbesondere jegliche Garantie dafür aus, dass solche Daten vollständig, aktuell oder für bestimmte Zwecke geeignet sind.