EP1645656 - Metallorganische Verbindungen, geeignet zur Verwendung in Dampfphasenabscheidungsprozessen [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Anmeldung gilt als zurückgenommen Status aktualisiert am 20.09.2013 Datenbank zuletzt aktualisiert am 07.10.2024 | Letztes Ereignis Tooltip | 20.09.2013 | Anmeldung gilt als zurückgenommen | veröffentlicht am 23.10.2013 [2013/43] | Anmelder | Für alle benannten Staaten Rohm and Haas Electronic Materials, LLC 455 Forest Street Marlborough Massachusetts 01752 / US | [N/P] |
Frühere [2006/15] | Für alle benannten Staaten Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C. 455 Forest Street Marlborough Massachusetts 01752 / US | Erfinder | 01 /
Shenai-Khatkhate, Deodatta Vinayak 5 Surrey Lane Danvers Massachusetts 01923 / US | 02 /
Woelk, Egbert 50 Keyes Way North Andover Massachusetts 01845 / US | [2006/15] | Vertreter | Kent, Venetia Katherine, et al Patent Outsourcing Limited 1 King Street Bakewell Derbyshire DE45 1DZ / GB | [N/P] |
Frühere [2009/51] | Kent, Venetia Katherine, et al Patent Outsourcing Limited 1 King Street Bakewell Derbyshire DE 45 1DZ / GB | ||
Frühere [2006/15] | Kent, Venetia Katherine, et al Rohm and Haas (UK) Ltd European Patent Department 28th. Floor, City Point One Ropemaker Street London EC2Y 9HS / GB | Anmeldenummer, Anmeldetag | 05256207.1 | 04.10.2005 | [2006/15] | Prioritätsnummer, Prioritätstag | US20040616079P | 05.10.2004 Ursprünglich veröffentlichtes Format: US 616079 P | [2006/15] | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A1 Anmeldung mit Recherchenbericht | Nr.: | EP1645656 | Datum: | 12.04.2006 | Sprache: | EN | [2006/15] | Recherchenbericht(e) | (Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am: | EP | 22.02.2006 | Klassifikation | IPC: | C23C16/30, C30B25/02, C30B29/40 | [2006/15] | CPC: |
C23C16/303 (EP,US);
C08J7/06 (KR);
C08J5/18 (KR);
C08K5/56 (KR);
C23C16/301 (EP,US);
C30B23/02 (EP,US);
C30B25/02 (EP,US);
C30B29/40 (EP,US);
C30B29/406 (EP,US);
| Benannte Vertragsstaaten | DE, FR, GB [2006/51] |
Frühere [2006/15] | AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | Metallorganische Verbindungen, geeignet zur Verwendung in Dampfphasenabscheidungsprozessen | [2006/15] | Englisch: | Organometallic compounds suitable for use in vapor deposition processes | [2006/15] | Französisch: | Composés organométalliques utilisables dans des procédés de dépôt en phase vapeur | [2006/15] | Prüfungsverfahren | 04.10.2005 | Prüfungsantrag gestellt [2006/15] | 11.08.2006 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04) | 12.12.2006 | Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung | 26.10.2007 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04) | 26.02.2008 | Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung | 04.11.2009 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04) | 03.03.2010 | Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung | 01.05.2013 | Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit [2013/43] | 06.06.2013 | Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Jahresgebühr nicht fristgerecht entrichtet [2013/43] | Teilanmeldung(en) | Das Datum des ersten Bescheids der Prüfungsabteilung zu der frühesten Anmeldung, zu der ein Bescheid ergangen ist , ist 11.08.2006 | Entrichtete Gebühren | Jahresgebühr | 29.10.2007 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03 | 27.10.2008 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04 | 26.10.2009 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05 | 12.10.2010 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06 | 11.10.2011 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 07 | Zuschlagsgebühr | Zuschlagsgebühr zur Jahresgebühr | 31.10.2012 | 08   M06   Noch nicht entrichtet |
Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführte Dokumente: | Recherche | [X]US4734999 (FUJISAWA MASAO [JP], et al) [X] 8-10 * column 2, line 59 - column 3, line 7; figures 1,2 *; | [A]US5403620 (KAESZ HERBERT D [US], et al) [A] 1-10* column 7, line 8 - column 8, line 53 *; | [XY]US6750120 (KNEISSL MICHAEL A [US], et al) [X] 1,3-5,7 * column 3, line 24 - line 42; figure 4; claims 1-5 * [Y] 2,6; | [Y] - J.C.WANG ET AL, "High-quality GaN nanowires synthesized using a CVD approach", APPLIED PHYSICS A: MATERIALS SCIENCE AND PROCESSING, (20021201), vol. 75, pages 691 - 693, XP002363973 [Y] 2 * paragraph [0002] * DOI: http://dx.doi.org/10.1007/s00339-002-1455-z | [Y] - MAMORU ISHIZAKI ET AL, "ATOMIC LAYER EPITAXY OF AIAS USING DIMETHYLALUMINUMHYDRIDE/TRIMETHYLA LUMINUM MIXTURE AS THE AL SOURCE", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS, TOKYO, JP, (19910315), vol. 30, no. 3B, ISSN 0021-4922, pages L428 - L430, XP000224857 [Y] 6 * page L428, column L, line 22 - line 34 * DOI: http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.30.L428 |