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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1645656

EP1645656 - Metallorganische Verbindungen, geeignet zur Verwendung in Dampfphasenabscheidungsprozessen [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusAnmeldung gilt als zurückgenommen
Status aktualisiert am  20.09.2013
Datenbank zuletzt aktualisiert am 07.10.2024
Letztes Ereignis   Tooltip20.09.2013Anmeldung gilt als zurückgenommenveröffentlicht am 23.10.2013  [2013/43]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Rohm and Haas Electronic Materials, LLC
455 Forest Street Marlborough
Massachusetts 01752 / US
[N/P]
Frühere [2006/15]Für alle benannten Staaten
Rohm and Haas Electronic Materials, L.L.C.
455 Forest Street Marlborough
Massachusetts 01752 / US
Erfinder01 / Shenai-Khatkhate, Deodatta Vinayak
5 Surrey Lane
Danvers Massachusetts 01923 / US
02 / Woelk, Egbert
50 Keyes Way
North Andover Massachusetts 01845 / US
 [2006/15]
VertreterKent, Venetia Katherine, et al
Patent Outsourcing Limited 1 King Street Bakewell
Derbyshire DE45 1DZ / GB
[N/P]
Frühere [2009/51]Kent, Venetia Katherine, et al
Patent Outsourcing Limited 1 King Street Bakewell
Derbyshire DE 45 1DZ / GB
Frühere [2006/15]Kent, Venetia Katherine, et al
Rohm and Haas (UK) Ltd European Patent Department 28th. Floor, City Point One Ropemaker Street
London EC2Y 9HS / GB
Anmeldenummer, Anmeldetag05256207.104.10.2005
[2006/15]
Prioritätsnummer, PrioritätstagUS20040616079P05.10.2004         Ursprünglich veröffentlichtes Format: US 616079 P
[2006/15]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht 
Nr.:EP1645656
Datum:12.04.2006
Sprache:EN
[2006/15]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP22.02.2006
KlassifikationIPC:C23C16/30, C30B25/02, C30B29/40
[2006/15]
CPC:
C23C16/303 (EP,US); C08J7/06 (KR); C08J5/18 (KR);
C08K5/56 (KR); C23C16/301 (EP,US); C30B23/02 (EP,US);
C30B25/02 (EP,US); C30B29/40 (EP,US); C30B29/406 (EP,US);
C30B29/42 (EP,US); Y10T428/12278 (EP,US) (-)
Benannte VertragsstaatenDE,   FR,   GB [2006/51]
Frühere [2006/15]AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HU,  IE,  IS,  IT,  LI,  LT,  LU,  LV,  MC,  NL,  PL,  PT,  RO,  SE,  SI,  SK,  TR 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Metallorganische Verbindungen, geeignet zur Verwendung in Dampfphasenabscheidungsprozessen[2006/15]
Englisch:Organometallic compounds suitable for use in vapor deposition processes[2006/15]
Französisch:Composés organométalliques utilisables dans des procédés de dépôt en phase vapeur[2006/15]
Prüfungsverfahren04.10.2005Prüfungsantrag gestellt  [2006/15]
11.08.2006Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
12.12.2006Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
26.10.2007Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
26.02.2008Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
04.11.2009Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
03.03.2010Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
01.05.2013Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit  [2013/43]
06.06.2013Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Jahresgebühr nicht fristgerecht entrichtet  [2013/43]
Teilanmeldung(en)Das Datum des ersten Bescheids der Prüfungsabteilung zu der frühesten Anmeldung, zu der ein Bescheid ergangen ist , ist  11.08.2006
Entrichtete GebührenJahresgebühr
29.10.2007Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
27.10.2008Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
26.10.2009Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
12.10.2010Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
11.10.2011Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 07
Zuschlagsgebühr
Zuschlagsgebühr zur Jahresgebühr
31.10.201208   M06   Noch nicht entrichtet
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[X]US4734999  (FUJISAWA MASAO [JP], et al) [X] 8-10 * column 2, line 59 - column 3, line 7; figures 1,2 *;
 [A]US5403620  (KAESZ HERBERT D [US], et al) [A] 1-10* column 7, line 8 - column 8, line 53 *;
 [XY]US6750120  (KNEISSL MICHAEL A [US], et al) [X] 1,3-5,7 * column 3, line 24 - line 42; figure 4; claims 1-5 * [Y] 2,6;
 [Y]  - J.C.WANG ET AL, "High-quality GaN nanowires synthesized using a CVD approach", APPLIED PHYSICS A: MATERIALS SCIENCE AND PROCESSING, (20021201), vol. 75, pages 691 - 693, XP002363973 [Y] 2 * paragraph [0002] *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1007/s00339-002-1455-z
 [Y]  - MAMORU ISHIZAKI ET AL, "ATOMIC LAYER EPITAXY OF AIAS USING DIMETHYLALUMINUMHYDRIDE/TRIMETHYLA LUMINUM MIXTURE AS THE AL SOURCE", JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS, TOKYO, JP, (19910315), vol. 30, no. 3B, ISSN 0021-4922, pages L428 - L430, XP000224857 [Y] 6 * page L428, column L, line 22 - line 34 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1143/JJAP.30.L428
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