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EP About this file: EP2118928

EP2118928 - METHOD OF FORMING HIGH DENSITY STRUCTURES AND LOW DENSITY STRUCTURES WITH A SINGLE PHOTOMASK [Right-click to bookmark this link]
Former [2009/47]SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS, METHODS OF FORMING MULTIPLE LINES, AND METHODS OF FORMING HIGH DENSITY STRUCTURES AND LOW DENSITY STRUCTURES WITH A SINGLE PHOTOMASK
[2011/21]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  17.08.2012
Database last updated on 14.09.2024
Most recent event   Tooltip18.07.2014Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): HU		published on 20.08.2014  [2014/34]
Applicant(s)For all designated states
Micron Technology, Inc.
8000 S. Federal Way P.O. Box 6
Boise, ID 83707-0006 / US
[2009/47]
Inventor(s)01 / ALAPATI, Ramakanth
Sint Pauluslaan 62
3080 -Teruren / BE
02 / NIROOMAND, Ardavan
Acacialaan 7
3040- Huldenberg / BE
03 / SANDHU, Gurtej, S.
2964 E. Parkriver Drive
Boise, ID 83706 / US
 [2010/08]
Former [2009/47]01 / ALAPATI, Ramakanth
2401 So. Apple Street, J101
Boise, ID 83706 / US
02 / NIROOMAND, Ardavan
5840 S. Horseshoe Place
Boise, Idaho 83716 / US
03 / SANDHU, Gurtej, S.
2964 E. Parkriver Drive
Boise, ID 83706 / US
Representative(s)Beresford, Keith Denis Lewis, et al
Beresford Crump LLP
16 High Holborn
London WC1V 6BX / GB
[N/P]
Former [2009/47]Beresford, Keith Denis Lewis, et al
Beresford & Co. 16 High Holborn London
WC1V 6BX / GB
Application number, filing date08725624.415.02.2008
[2009/47]
WO2008US02012
Priority number, dateUS2007071437805.03.2007         Original published format: US 714378
[2009/47]
Filing languageEN
Procedural languageEN
PublicationType: A1 Application with search report
No.:WO2008108921
Date:12.09.2008
Language:EN
[2008/37]
Type: A1 Application with search report 
No.:EP2118928
Date:18.11.2009
Language:EN
The application published by WIPO in one of the EPO official languages on 12.09.2008 takes the place of the publication of the European patent application.
[2009/47]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP2118928
Date:12.10.2011
Language:EN
[2011/41]
Search report(s)International search report - published on:EP12.09.2008
ClassificationIPC:H01L21/8247
[2009/47]
CPC:
H01L21/32139 (EP,KR,US); H01L21/0337 (EP,KR,US); G03F7/70433 (KR);
H01L21/0338 (KR); H01L21/31144 (EP,KR,US); H10B41/40 (EP,KR,US);
H10B41/48 (EP,KR,US) (-)
Designated contracting statesAT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   SE,   SI,   SK,   TR [2009/47]
TitleGerman:VERFAHREN ZUR FORMUNG VON STRUKTUREN MIT HOHER DICHTE UND STRUKTUREN MIT NIEDRIGER DICHTE MITHILFE EINER EINZELNEN FOTOMASKE[2011/21]
English:METHOD OF FORMING HIGH DENSITY STRUCTURES AND LOW DENSITY STRUCTURES WITH A SINGLE PHOTOMASK[2011/21]
French:PROCÉDÉ POUR FORMER DES STRUCTURES HAUTE DENSITÉ ET DES STRUCTURES BASSE DENSITÉ AVEC UN PHOTOMASQUE SIMPLE[2011/21]
Former [2009/47]HALBLEITERKONSTRUKTIONEN, VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MEHRERER LEITUNGEN UND VERFAHREN ZUR FORMUNG VON STRUKTUREN MIT HOHER DICHTE UND STRUKTUREN MIT NIEDRIGER DICHTE MITHILFE EINER EINZELNEN FOTOMASKE
Former [2009/47]SEMICONDUCTOR CONSTRUCTIONS, METHODS OF FORMING MULTIPLE LINES, AND METHODS OF FORMING HIGH DENSITY STRUCTURES AND LOW DENSITY STRUCTURES WITH A SINGLE PHOTOMASK
Former [2009/47]CONSTRUCTIONS SEMI-CONDUCTRICES, PROCÉDÉS POUR FORMER DE MULTIPLES LIGNES, ET PROCÉDÉS POUR FORMER DES STRUCTURES HAUTE DENSITÉ ET DES STRUCTURES BASSE DENSITÉ AVEC UN PHOTOMASQUE SIMPLE
Entry into regional phase04.09.2009National basic fee paid 
04.09.2009Designation fee(s) paid 
04.09.2009Examination fee paid 
Examination procedure04.09.2009Amendment by applicant (claims and/or description)
04.09.2009Examination requested  [2009/47]
06.05.2011Communication of intention to grant the patent
03.08.2011Fee for grant paid
03.08.2011Fee for publishing/printing paid
Divisional application(s)The date of the Examining Division's first communication in respect of the earliest application for which a communication has been issued is  06.05.2011
Opposition(s)13.07.2012No opposition filed within time limit [2012/38]
Fees paidRenewal fee
17.02.2010Renewal fee patent year 03
15.02.2011Renewal fee patent year 04
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU15.02.2008
AT12.10.2011
BE12.10.2011
CY12.10.2011
CZ12.10.2011
DK12.10.2011
EE12.10.2011
FI12.10.2011
HR12.10.2011
IT12.10.2011
LT12.10.2011
LV12.10.2011
MT12.10.2011
NL12.10.2011
PL12.10.2011
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SE12.10.2011
SI12.10.2011
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LU15.02.2012
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FR29.02.2012
LI29.02.2012
MC29.02.2012
[2014/34]
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CY12.10.2011
CZ12.10.2011
DK12.10.2011
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PL12.10.2011
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SE12.10.2011
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SK12.10.2011
TR12.10.2011
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BE12.10.2011
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SE12.10.2011
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BG12.01.2012
NO12.01.2012
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PT13.02.2012
MC29.02.2012
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CY12.10.2011
CZ12.10.2011
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CY12.10.2011
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DK12.10.2011
EE12.10.2011
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LT12.10.2011
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NL12.10.2011
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SE12.10.2011
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GR13.01.2012
IS12.02.2012
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DK12.10.2011
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LT12.10.2011
NL12.10.2011
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GR13.01.2012
IS12.02.2012
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LT12.10.2011
NO12.01.2012
IS12.02.2012
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