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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP2713372

EP2713372 - Non-volatile resistive memory devices with boosting capacitor and methods for baising resistive memory structures thereof [Right-click to bookmark this link]
Former [2014/14]Non-volatile resistive memory devices with boosting capacitor and methods for biasing resistive memory structures thereof
[2017/19]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  29.06.2018
Database last updated on 15.06.2024
FormerThe patent has been granted
Status updated on  21.07.2017
FormerGrant of patent is intended
Status updated on  20.04.2017
Most recent event   Tooltip17.07.2020Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): AL		published on 19.08.2020  [2020/34]
Applicant(s)For all designated states
IMEC VZW
Kapeldreef 75
3001 Leuven / BE
[2017/52]
Former [2014/14]For all designated states
IMEC
Kapeldreef 75
3001 Leuven / BE
Inventor(s)01 / Cosemans, Stefan
IMEC, IP Department
Kapeldreef 75
3001 Leuven / BE
 [2014/14]
Representative(s)Gevers Patents
De Kleetlaan 7A
1831 Diegem / BE
[N/P]
Former [2014/14]Sarlet, Steven Renaat Irène, et al
Gevers Intellectual Property House Holidaystraat 5
1831 Diegem / BE
Application number, filing date12186669.328.09.2012
[2014/14]
Filing languageEN
Procedural languageEN
PublicationType: A1 Application with search report 
No.:EP2713372
Date:02.04.2014
Language:EN
[2014/14]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP2713372
Date:23.08.2017
Language:EN
[2017/34]
Search report(s)(Supplementary) European search report - dispatched on:EP11.02.2013
ClassificationIPC:G11C13/00, H01L27/24, G11C11/16, H01L45/00
[2017/19]
CPC:
G11C13/0069 (EP,US); G11C13/0007 (EP,US); G11C13/003 (EP,US);
G11C13/0097 (EP,US); H10B63/30 (EP,US); H10B63/80 (EP,US);
G11C11/1659 (EP,US); G11C11/1675 (EP,US); G11C2013/0073 (EP,US);
G11C2013/0083 (EP,US); G11C2013/0088 (EP,US); G11C2213/79 (EP,US);
H10N70/24 (EP,US); H10N70/826 (EP,US); H10N70/8833 (EP,US) (-)
Former IPC [2014/14]G11C13/00, H01L27/24
Designated contracting statesAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2017/34]
Former [2014/14]AL,  AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HR,  HU,  IE,  IS,  IT,  LI,  LT,  LU,  LV,  MC,  MK,  MT,  NL,  NO,  PL,  PT,  RO,  RS,  SE,  SI,  SK,  SM,  TR 
TitleGerman:Nicht flüchtige resistive Speichervorrichtungen mit Boost-Kondensatoren und Verfahren zum Betrieb von Speicherstrukturen in den Speichervorrichtungen[2014/14]
English:Non-volatile resistive memory devices with boosting capacitor and methods for baising resistive memory structures thereof[2017/19]
French:Dispositifs de mémoire résistive non volatile avec condensateurs de survoltage et procédés de polarisation de leurs structures de mémoire résistive[2014/14]
Former [2014/14]Non-volatile resistive memory devices with boosting capacitor and methods for biasing resistive memory structures thereof
Examination procedure29.09.2014Amendment by applicant (claims and/or description)
29.09.2014Examination requested  [2014/45]
09.06.2015Despatch of a communication from the examining division (Time limit: M04)
11.09.2015Reply to a communication from the examining division
21.04.2017Communication of intention to grant the patent
11.07.2017Fee for grant paid
11.07.2017Fee for publishing/printing paid
11.07.2017Receipt of the translation of the claim(s)
Divisional application(s)The date of the Examining Division's first communication in respect of the earliest application for which a communication has been issued is  09.06.2015
Opposition(s)24.05.2018No opposition filed within time limit [2018/31]
Fees paidRenewal fee
24.09.2014Renewal fee patent year 03
28.09.2015Renewal fee patent year 04
23.09.2016Renewal fee patent year 05
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU28.09.2012
AL23.08.2017
AT23.08.2017
CY23.08.2017
CZ23.08.2017
DK23.08.2017
EE23.08.2017
ES23.08.2017
FI23.08.2017
HR23.08.2017
IT23.08.2017
LT23.08.2017
LV23.08.2017
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MK23.08.2017
NL23.08.2017
PL23.08.2017
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RS23.08.2017
SE23.08.2017
SI23.08.2017
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SM23.08.2017
TR23.08.2017
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[2020/34]
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HR23.08.2017
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MC23.08.2017
MK23.08.2017
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PL23.08.2017
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SE23.08.2017
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LU28.09.2017
CH30.09.2017
LI30.09.2017
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FI23.08.2017
HR23.08.2017
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LT23.08.2017
NL23.08.2017
SE23.08.2017
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Former [2018/08]FI23.08.2017
LT23.08.2017
NL23.08.2017
NO23.11.2017
Former [2018/07]LT23.08.2017
NO23.11.2017
Documents cited:Search[XY]US2009184350  (KODAMA NORIAKI [JP], et al) [X] 1,2,12 * figures 4-6 * [Y] 3-7;
 [XY]US2009285041  (ITO HIROSHI [JP]) [X] 1-7,10,12,14 * figures 1,3,4 * [Y] 3-9,13;
 [Y]US2011080774  (SAITO TOSHIHIKO [JP], et al) [Y] 3,6* figures 17-20 *;
 [XYI]EP2439746  (EMEMORY TECHNOLOGY INC [TW]) [X] 1,2,12 * figures 3-7 * [Y] 3,4,6-9,11,13,15 [I] 10,14;
 [Y]  - WALCZYK D ET AL, "Resistive switching characteristics of CMOS embedded HfO-based 1T1R cells", MICROELECTRONIC ENGINEERING, ELSEVIER PUBLISHERS BV., AMSTERDAM, NL, vol. 88, no. 7, doi:10.1016/J.MEE.2011.03.123, ISSN 0167-9317, (20110324), pages 1133 - 1135, (20110330), XP028375874 [Y] 9,11,13,15 * figures 1-4 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/j.mee.2011.03.123
 [Y]  - WALCZYK CH ET AL, "On the role of Ti adlayers for resistive switching in HfO2-based metal-insulator-metal structures: Top versus bottom electrode integration", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE AND TECHNOLOGY: PART B, AVS / AIP, MELVILLE, NEW YORK, NY, US, (20110118), vol. 29, no. 1, doi:10.1116/1.3536524, ISSN 1071-1023, pages 1AD02 - 1AD02, XP012144533 [Y] 9,11,13,15 * figures 1,3 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1116/1.3536524
ExaminationUS2011305070
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