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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP2876686

EP2876686 - High-voltage semiconductor device and method of producing the same [Right-click to bookmark this link]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  24.01.2020
Database last updated on 03.10.2024
FormerThe patent has been granted
Status updated on  15.02.2019
FormerGrant of patent is intended
Status updated on  07.10.2018
FormerExamination is in progress
Status updated on  15.12.2017
Most recent event   Tooltip01.07.2022Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): MK
published on 03.08.2022  [2022/31]
Applicant(s)For all designated states
ams AG
Schloss Premstätten
Tobelbader Str. 30
8141 Premstätten / AT
[2018/52]
Former [2015/22]For all designated states
ams AG
Schloss Premstätten
Tobelbader Strasse 30
8141 Unterpremstätten / AT
Inventor(s)01 / Knaipp, Martin
Schwarzer Weg 49
8141 Unterpremstätten / AT
 [2015/22]
Representative(s)Epping - Hermann - Fischer
Patentanwaltsgesellschaft mbH
Schloßschmidstraße 5
80639 München / DE
[2015/22]
Application number, filing date13194098.322.11.2013
[2015/22]
Filing languageEN
Procedural languageEN
PublicationType: A1 Application with search report 
No.:EP2876686
Date:27.05.2015
Language:EN
[2015/22]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP2876686
Date:20.03.2019
Language:EN
[2019/12]
Search report(s)(Supplementary) European search report - dispatched on:EP11.04.2014
ClassificationIPC:H01L29/808, H01L29/10, H01L29/06, H01L21/337, // H01L29/08, H01L29/40
[2018/42]
CPC:
H01L29/808 (EP,US); H01L21/2253 (US); H01L21/266 (US);
H01L29/063 (US); H01L29/0692 (EP,US); H01L29/0843 (EP,US);
H01L29/1066 (EP,US); H01L29/1095 (US); H01L29/404 (EP,US);
H01L29/66901 (EP,US) (-)
Former IPC [2015/22]H01L29/808, H01L29/10, H01L29/06, // H01L29/08, H01L29/40
Designated contracting statesAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2015/43]
Former [2015/22]AL,  AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HR,  HU,  IE,  IS,  IT,  LI,  LT,  LU,  LV,  MC,  MK,  MT,  NL,  NO,  PL,  PT,  RO,  RS,  SE,  SI,  SK,  SM,  TR 
TitleGerman:Hochspannungs-Halbleitervorrichtung und Verfahren zu deren Herstellung[2015/22]
English:High-voltage semiconductor device and method of producing the same[2015/22]
French:Dispositif à semi-conducteur haute tension et son procédé de fabrication[2015/22]
Examination procedure15.09.2015Amendment by applicant (claims and/or description)
15.09.2015Examination requested  [2015/43]
18.12.2017Despatch of a communication from the examining division (Time limit: M04)
29.03.2018Reply to a communication from the examining division
08.10.2018Communication of intention to grant the patent
07.02.2019Fee for grant paid
07.02.2019Fee for publishing/printing paid
07.02.2019Receipt of the translation of the claim(s)
Divisional application(s)The date of the Examining Division's first communication in respect of the earliest application for which a communication has been issued is  18.12.2017
Opposition(s)02.01.2020No opposition filed within time limit [2020/09]
Fees paidRenewal fee
19.11.2015Renewal fee patent year 03
21.11.2016Renewal fee patent year 04
23.11.2017Renewal fee patent year 05
21.11.2018Renewal fee patent year 06
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court
See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU22.11.2013
AL20.03.2019
AT20.03.2019
CY20.03.2019
CZ20.03.2019
DK20.03.2019
EE20.03.2019
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FI20.03.2019
HR20.03.2019
IT20.03.2019
LT20.03.2019
LV20.03.2019
MC20.03.2019
MK20.03.2019
MT20.03.2019
NL20.03.2019
PL20.03.2019
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RS20.03.2019
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SM20.03.2019
TR20.03.2019
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CH30.11.2019
LI30.11.2019
[2022/31]
Former [2021/34]HU22.11.2013
AL20.03.2019
AT20.03.2019
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MC20.03.2019
MT20.03.2019
NL20.03.2019
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Former [2021/32]HU22.11.2013
AL20.03.2019
AT20.03.2019
CY20.03.2019
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DK20.03.2019
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FI20.03.2019
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RO20.03.2019
RS20.03.2019
SE20.03.2019
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SM20.03.2019
TR20.03.2019
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LV20.03.2019
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NL20.03.2019
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LI30.11.2019
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AT20.03.2019
CZ20.03.2019
DK20.03.2019
EE20.03.2019
ES20.03.2019
FI20.03.2019
HR20.03.2019
IT20.03.2019
LT20.03.2019
LV20.03.2019
NL20.03.2019
PL20.03.2019
RO20.03.2019
RS20.03.2019
SE20.03.2019
SI20.03.2019
SK20.03.2019
SM20.03.2019
TR20.03.2019
BG20.06.2019
NO20.06.2019
GR21.06.2019
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PT20.07.2019
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AT20.03.2019
CZ20.03.2019
DK20.03.2019
EE20.03.2019
ES20.03.2019
FI20.03.2019
HR20.03.2019
IT20.03.2019
LT20.03.2019
LV20.03.2019
NL20.03.2019
PL20.03.2019
RO20.03.2019
RS20.03.2019
SE20.03.2019
SI20.03.2019
SK20.03.2019
SM20.03.2019
BG20.06.2019
NO20.06.2019
GR21.06.2019
IS20.07.2019
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ES20.03.2019
FI20.03.2019
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HR20.03.2019
IT20.03.2019
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RO20.03.2019
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LV20.03.2019
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SE20.03.2019
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PT20.07.2019
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FI20.03.2019
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IT20.03.2019
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HR20.03.2019
IT20.03.2019
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LV20.03.2019
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RS20.03.2019
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SE20.03.2019
BG20.06.2019
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DOI:   http://dx.doi.org/10.1109/LED.2007.900869
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