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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP2750170

EP2750170 - Method for forming spacers of a transistor gate [Right-click to bookmark this link]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  15.02.2019
Database last updated on 15.07.2024
FormerThe patent has been granted
Status updated on  09.03.2018
FormerGrant of patent is intended
Status updated on  25.10.2017
Most recent event   Tooltip10.07.2020Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): IS		published on 12.08.2020  [2020/33]
Applicant(s)For all designated states
COMMISSARIAT À L'ÉNERGIE ATOMIQUE ET AUX ÉNERGIES ALTERNATIVES
Bâtiment "Le Ponant D"
25, rue Leblanc
75015 Paris / FR
For all designated states
Centre National de la Recherche Scientifique
3, rue Michel-Ange
75016 Paris / FR
For all designated states
Applied Materials, Inc.
2881 Scott Blvd.
Santa Clara, CA 95050 / US
[2018/15]
Former [2014/27]For all designated states
COMMISSARIAT A L'ENERGIE ATOMIQUE ET AUX ENERGIES ALTERNATIVES
Bâtiment "Le Ponant D" 25, rue Leblanc
75015 Paris / FR
For all designated states
Centre National de la Recherche Scientifique
3, rue Michel-Ange
75016 Paris / FR
For all designated states
Applied Materials, Inc.
2881 Scott Blvd.
Santa Clara, CA 95050 / US
Inventor(s)01 / Posseme, Nicolas
46, rue Pierre Sémard
38000 Grenoble / FR
02 / David, Thibaut
10, Lotissement Le Grand Pré
Avenue des Tirignons
38570 Goncelin / FR
03 / Joubert, Olivier
18, Allée du Bayart
38240 Meylan / FR
04 / Lill, Torsten
88 Muir Avenue
Santa Clara, 95050 Californie CA California / US
05 / Nemani, Srinivas
C/O APPLIED MATERIALS, Inc
2881 Scott Boulevard M/S 20161
Santa Clara, 95050 Californie CA California / US
06 / Vallier, Laurent
2, Che De La Dhuy
38240 Meylan / FR
 [2018/15]
Former [2014/27]01 / Posseme, Nicolas
46 rue Pierre Sémard
38000 GRENOBLE / FR
02 / David, Thibaut
10, Lotissement Le Grand Pré
Avenue des Tirignons
38570 GONCELIN / FR
03 / Joubert, Olivier
18 Allée du Bayart
38240 MEYLAN / FR
04 / Lill, Torsten
88 Muir Avenue
Santa Clara, 95051 Californie, CA California / US
05 / Nemani, Srinivas
C/O APPLIED MATERIALS, Inc
2881 Scott Boulevard M/S 20161
Santa Clara, 95050 Californie, CA California / US
06 / Vallier, Laurent
2 CHE DE LA DHUY
38240 MEYLAN / FR
Representative(s)Hautier, Nicolas
Cabinet Hautier
20, rue de la Liberté
06000 Nice / FR
[N/P]
Former [2014/27]Hautier, Nicolas
Cabinet Hautier 20, rue de la Liberté
06000 Nice / FR
Application number, filing date13199218.220.12.2013
[2014/27]
Priority number, dateFR2012006296228.12.2012         Original published format: FR 1262962
[2014/27]
Filing languageFR
Procedural languageFR
PublicationType: A1 Application with search report 
No.:EP2750170
Date:02.07.2014
Language:FR
[2014/27]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP2750170
Date:11.04.2018
Language:FR
[2018/15]
Search report(s)(Supplementary) European search report - dispatched on:EP04.02.2014
ClassificationIPC:H01L21/311, H01L21/02, H01L29/66, H01L21/265, H01L21/3115, H01L21/306, H01L21/3065
[2017/46]
CPC:
H01L21/0234 (EP,US); H01L21/0217 (EP,US); H01L21/02321 (EP,US);
H01L21/02532 (US); H01L21/26506 (US); H01L21/30604 (US);
H01L21/3065 (US); H01L21/31111 (EP,US); H01L21/31116 (EP,US);
H01L21/31155 (EP,US); H01L29/66628 (EP,US); H01L29/66772 (EP,US) (-)
Former IPC [2014/27]H01L21/311, H01L29/66
Designated contracting statesAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2018/15]
Former [2014/27]AL,  AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HR,  HU,  IE,  IS,  IT,  LI,  LT,  LU,  LV,  MC,  MK,  MT,  NL,  NO,  PL,  PT,  RO,  RS,  SE,  SI,  SK,  SM,  TR 
TitleGerman:Verfahren zur Bildung von Abstandshaltern eines Gates eines Transistors[2017/47]
English:Method for forming spacers of a transistor gate[2014/27]
French:Procédé de formation des espaceurs d'une grille d'un transistor[2014/27]
Former [2014/27]Verfahren zur Bildung von Abstandhaltern eines Gates eines Transistors
Examination procedure18.12.2014Amendment by applicant (claims and/or description)
18.12.2014Examination requested  [2015/05]
26.10.2017Communication of intention to grant the patent
05.03.2018Fee for grant paid
05.03.2018Fee for publishing/printing paid
05.03.2018Receipt of the translation of the claim(s)
Divisional application(s)The date of the Examining Division's first communication in respect of the earliest application for which a communication has been issued is  26.10.2017
Opposition(s)14.01.2019No opposition filed within time limit [2019/12]
Fees paidRenewal fee
29.12.2015Renewal fee patent year 03
22.12.2016Renewal fee patent year 04
20.12.2017Renewal fee patent year 05
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU20.12.2013
AL11.04.2018
AT11.04.2018
CY11.04.2018
CZ11.04.2018
DK11.04.2018
EE11.04.2018
ES11.04.2018
FI11.04.2018
HR11.04.2018
IT11.04.2018
LT11.04.2018
LV11.04.2018
MC11.04.2018
MK11.04.2018
MT11.04.2018
NL11.04.2018
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RS11.04.2018
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SI11.04.2018
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SM11.04.2018
TR11.04.2018
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NO11.07.2018
GR12.07.2018
IS11.08.2018
PT13.08.2018
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CH31.12.2018
LI31.12.2018
[2020/32]
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SE11.04.2018
SI11.04.2018
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SE11.04.2018
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SE11.04.2018
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ES11.04.2018
FI11.04.2018
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GR12.07.2018
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DK11.04.2018
ES11.04.2018
FI11.04.2018
HR11.04.2018
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LV11.04.2018
NL11.04.2018
PL11.04.2018
RS11.04.2018
SE11.04.2018
BG11.07.2018
NO11.07.2018
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