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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP2884547

EP2884547 - Method for manufacturing a photodetector [Right-click to bookmark this link]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  15.09.2017
Database last updated on 11.09.2024
Most recent event   Tooltip17.07.2020Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): AL		published on 19.08.2020  [2020/34]
Applicant(s)For all designated states
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Bâtiment "Le Ponant D"
25, rue Leblanc
75015 Paris / FR
[2015/25]
Inventor(s)01 / Hartmann, Jean-Michel
34. Cité Le Pruney
38420 Le Versoud / FR
02 / Bogumilowicz, Yann
24 bis rue Mallifaud
38100 Grenoble / FR
03 / Fedeli, Jean-Marc
2 boulevard de Jomardière
38120 Saint-Egrève / FR
 [2015/25]
Representative(s)Talbot, Alexandre, et al
Cabinet Hecké
28 Cours Jean Jaurès
38000 Grenoble / FR
[N/P]
Former [2015/25]Talbot, Alexandre, et al
Cabinet Hecké
Europole
10, rue d'Arménie - BP 1537
38025 Grenoble Cedex 1 / FR
Application number, filing date14197696.912.12.2014
[2015/25]
Priority number, dateFR2013000293413.12.2013         Original published format: FR 1302934
[2015/25]
Filing languageFR
Procedural languageFR
PublicationType: A1 Application with search report 
No.:EP2884547
Date:17.06.2015
Language:FR
[2015/25]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP2884547
Date:09.11.2016
Language:FR
[2016/45]
Search report(s)(Supplementary) European search report - dispatched on:EP15.04.2015
ClassificationIPC:H01L31/105, H01L31/18, G02B6/42, G02B6/12
[2016/28]
CPC:
H01L31/1804 (EP,US); G02B6/12004 (EP,US); H01L31/105 (EP,US);
Y02E10/547 (US); Y02P70/50 (EP,US)
Former IPC [2015/25]H01L31/105, G02B6/42
Designated contracting statesAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2016/04]
Former [2015/25]AL,  AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HR,  HU,  IE,  IS,  IT,  LI,  LT,  LU,  LV,  MC,  MK,  MT,  NL,  NO,  PL,  PT,  RO,  RS,  SE,  SI,  SK,  SM,  TR 
TitleGerman:Verfahren zur Herstellung eines Fotodetektors[2015/25]
English:Method for manufacturing a photodetector[2015/25]
French:Procédé de fabrication d'un photo-détecteur.[2015/25]
Examination procedure16.12.2015Amendment by applicant (claims and/or description)
16.12.2015Examination requested  [2016/04]
23.06.2016Communication of intention to grant the patent
30.09.2016Fee for grant paid
30.09.2016Fee for publishing/printing paid
30.09.2016Receipt of the translation of the claim(s)
Opposition(s)10.08.2017No opposition filed within time limit [2017/42]
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU12.12.2014
AL09.11.2016
AT09.11.2016
CY09.11.2016
CZ09.11.2016
DK09.11.2016
EE09.11.2016
ES09.11.2016
FI09.11.2016
HR09.11.2016
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PT09.03.2017
[2020/34]
Former [2018/45]HU12.12.2014
AT09.11.2016
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MT09.11.2016
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RS09.11.2016
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Former [2017/35]AT09.11.2016
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Former [2017/34]AT09.11.2016
CZ09.11.2016
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Former [2017/33]AT09.11.2016
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Former [2017/26]AT09.11.2016
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NO09.02.2017
GR10.02.2017
IS09.03.2017
PT09.03.2017
Former [2017/12]LV09.11.2016
Documents cited:Search[A]US2007104441  (AHN DONGHWAN [US], et al) [A] 1-7 * abstract * * page 4, paragraph 30 - page 5, paragraph 39 * * figures 1-3 *;
 [A]US2011012221  (FUJIKATA JUNICHI [JP], et al) [A] 1-7 * page 12, paragraph 195 - page 16, paragraph 254 * * figures 7,8 *;
 [A]US2012126286  (NA YUN-CHUNG N [US], et al) [A] 1-7* figure 1 *;
 [AD]  - REN S ET AL, "Thin Dielectric Spacer for the Monolithic Integration of Bulk Germanium or Germanium Quantum Wells With Silicon-on-Insulator Waveguides", IEEE PHOTONICS JOURNAL, IEEE, USA, (201108), vol. 3, no. 4, doi:10.1109/JPHOT.2011.2162644, ISSN 1943-0655, pages 739 - 747, XP011485120 [AD] 1-7 * page 741, paragraph 3 * * page 744, paragraphs 3,4 * * figures 1e,1f,4 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1109/JPHOT.2011.2162644
by applicant   - DE REN ET AL., "Thin Dielectric Spacer for the Monolithic Integration of Bulk Germanium or Germanium Quantum Wells With Silicon-on-Insulator Waveguides", IEEE PHOTONICS JOURNAL, (2011), vol. 3, no. 4, doi:doi:10.1109/JPHOT.2011.2162644, page 739, XP011485120

DOI:   http://dx.doi.org/10.1109/JPHOT.2011.2162644
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