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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP3093885

EP3093885 - SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD [Right-click to bookmark this link]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  13.12.2019
Database last updated on 03.09.2024
FormerThe patent has been granted
Status updated on  04.01.2019
FormerGrant of patent is intended
Status updated on  03.09.2018
Most recent event   Tooltip08.07.2022Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): MK		published on 10.08.2022  [2022/32]
Applicant(s)For all designated states
MITSUBISHI ELECTRIC CORPORATION
7-3, Marunouchi 2-chome
Chiyoda-ku
Tokyo 100-8310 / JP
[2016/46]
Inventor(s)01 / KIKUGAWA, Satoru
c/o Mitsubishi Electric Engineering Company Limited
13-5 Kudankita 1-chome
Chiyoda-ku
Tokyo 102-0073 / JP
 [2016/47]
Former [2016/46]01 / KIKUGAWA, Satoru
c/o Mitsubishi Electric Engineering Company Limited
13-5, Kudankita 1-chome
Chiyoda-ku
Tokyo 1020073 / JP
Representative(s)Pfenning, Meinig & Partner mbB
Patent- und Rechtsanwälte
Theresienhöhe 11a
80339 München / DE
[2016/46]
Application number, filing date15862153.208.04.2015
[2016/46]
WO2015JP61041
Filing languageJA
Procedural languageEN
PublicationType: A1 Application with search report
No.:WO2016162991
Date:13.10.2016
Language:JA
[2016/41]
Type: A1 Application with search report 
No.:EP3093885
Date:16.11.2016
Language:EN
[2016/46]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP3093885
Date:06.02.2019
Language:EN
[2019/06]
Search report(s)International search report - published on:JP13.10.2016
(Supplementary) European search report - dispatched on:EP06.12.2016
ClassificationIPC:H01L23/40, H01L23/367, H01L21/48
[2018/35]
CPC:
H01L23/4006 (EP,US); H01L23/3677 (CN); H01L21/4882 (US);
H01L21/50 (CN); H01L23/367 (EP,US); H01L23/498 (CN);
H01L2023/4031 (US); H01L2023/4056 (US); H01L2023/4087 (US) (-)
Former IPC [2017/01]H01L23/40, H01L23/367
Former IPC [2016/46]H01L23/40
Designated contracting statesAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2016/46]
Extension statesBANot yet paid
MENot yet paid
Validation statesMANot yet paid
TitleGerman:HALBLEITERBAUELEMENT UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES HALBLEITERBAUELEMENTS[2016/46]
English:SEMICONDUCTOR DEVICE AND SEMICONDUCTOR DEVICE MANUFACTURING METHOD[2016/46]
French:DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR ET SON PROCÉDÉ DE FABRICATION[2016/46]
Entry into regional phase02.06.2016Translation filed 
02.06.2016National basic fee paid 
02.06.2016Search fee paid 
02.06.2016Designation fee(s) paid 
02.06.2016Examination fee paid 
Examination procedure02.06.2016Examination requested  [2016/46]
20.06.2017Amendment by applicant (claims and/or description)
04.09.2018Communication of intention to grant the patent
18.12.2018Fee for grant paid
18.12.2018Fee for publishing/printing paid
18.12.2018Receipt of the translation of the claim(s)
Opposition(s)07.11.2019No opposition filed within time limit [2020/03]
Fees paidRenewal fee
29.07.2016Renewal fee patent year 03
11.04.2018Renewal fee patent year 04
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU08.04.2015
AL06.02.2019
AT06.02.2019
CY06.02.2019
CZ06.02.2019
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HR06.02.2019
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SM06.02.2019
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[2022/32]
Former [2021/34]HU08.04.2015
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IT06.02.2019
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MC06.02.2019
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FI06.02.2019
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