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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1067716

EP1067716 - Breitbandiger faseroptischer Verstärker und Verstärkungsverfahren dafür [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusAnmeldung gilt als zurückgenommen
Status aktualisiert am  14.04.2006
Datenbank zuletzt aktualisiert am 17.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip14.04.2006Anmeldung gilt als zurückgenommenveröffentlicht am 31.05.2006  [2006/22]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Samsung Electronics Co., Ltd.
416, Maetan-dong
Paldal-gu
Suwon-City, Kyungki-do / KR
[N/P]
Frühere [2001/02]Für alle benannten Staaten
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
416, Maetan-dong, Paldal-gu
Suwon-City, Kyungki-do / KR
Erfinder01 / Yoon, Soo-Young
14, Shingal-ri, Kihung-up
Yongin-shi, Kyonggi-do / KR
02 / Hwang, Seong-Teak c/o SAMSUNG ELECTRONICS CO.LTD
9th Fl.Samsung Plaza 263,Seohyeon-Dong,Pundang-Gu
Sungnam-Shi, Kyunggi-So / KR
03 / Jung, Rae-Sung SAMSUNG ELECTRONICS CO. LTD.
9th Fl.Samsung Plaza,263 Seohyeon-Dong,Pundang-Gu
Sungnam-Shi, Kyunggi-Do / KR
04 / Kim, Jeong-Mee c/o SAMSUNG ELECTRONICS CO.LTD.
9th FL., Samsung Plaza 263 Seohyeon-Dong
Pundang-Gu, Sangnam-Shi, Kyunggi-Do / KR
05 / Kim, Sung-Jun
468, Tokgok-dong, Songtan-jiyok
Pyongtaek-shi, Kyonggi-do / KR
 [2001/08]
Frühere [2001/02]01 / Yoon, Soo-Young
14, Shingal-ri, Kihung-up
Yongin-shi, Kyonggi-do / KR
02 / Hwang, Seong-Teak
491, Tokgok-dong, Songtan-jiyok
Pyongtaek-shi, Kyonggi-cho / KR
03 / Jung, Rae-Sung, Hwanggolmaeul Jugong 1-danji
Apt. 132-2002, Youngtong-dong, Paltal-gu
Suwon-shi, Kyonggi-do / KR
04 / Kim, Jeong-Mee c/o SAMSUNG ELECTRONICS CO.LTD.
9th FL., Samsung Plaza 263 Seohyeon-Dong
Pundang-Gu, Sangnam-Shi, Kyunggi-Do / KR
05 / Kim, Sung-Jun
468, Tokgok-dong, Songtan-jiyok
Pyongtaek-shi, Kyonggi-do / KR
VertreterGrünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB
Leopoldstrasse 4
80802 München / DE
[N/P]
Frühere [2001/02]Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät
Maximilianstrasse 58
80538 München / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag00114630.707.07.2000
[2001/02]
Prioritätsnummer, PrioritätstagKR1999002727607.07.1999         Ursprünglich veröffentlichtes Format: KR 9927276
[2001/02]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP1067716
Datum:10.01.2001
Sprache:EN
[2001/02]
Art: A3 Recherchenbericht 
Nr.:EP1067716
Datum:28.11.2001
[2001/48]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP11.10.2001
KlassifikationIPC:H04B10/17, H01S3/067
[2001/48]
CPC:
H04B10/294 (EP,US); G02F1/39 (KR)
Frühere IPC [2001/02]H04B10/17
Benannte VertragsstaatenDE,   FR,   GB [2002/33]
Frühere [2001/02]AT,  BE,  CH,  CY,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Breitbandiger faseroptischer Verstärker und Verstärkungsverfahren dafür[2001/02]
Englisch:Wide-band optical fiber amplifier and amplifying method thereof[2001/02]
Französisch:Amplificateur à fibre optique à large bande et sa méthode d'amplification[2001/02]
Prüfungsverfahren07.07.2000Prüfungsantrag gestellt  [2001/02]
13.07.2005Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
24.11.2005Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit  [2006/22]
02.01.2006Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Erwiderung auf die Mitteilung der Prüfungsabteilung nicht fristgerecht eingegangen  [2006/22]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
29.07.2002Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
30.07.2003Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
30.07.2004Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
29.07.2005Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[PX]FR2786325  (SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD [KR]) [PX] 1-11 * the whole document *;
 [PX]  - BUMKI MIN ET AL, "Performance improvement of wideband EDFA by ASE injection from C band to L band amplifier", ASIA-PACIFIC CONFERENCE ON COMMUNICATIONS AND OPTOELECTRONICS ANDCOMMUNICATIONS CONFERENCE. APCC/OECC. PROCEEDINGS. CONFERENCE VITALITY TO THE NEW CENTURY,XX,XX, (19991018), vol. 2, pages 1346 - 1347, XP002154432 [PX] 1-11 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1109/APCC.1999.820515
 [A]  - LEE J H ET AL, "IMPROVEMENT OF 1.57-1.61 MUM BAND AMPLIFICATION EFFICIENCY BY RECYCLING WASTED BACKWARD ASE THROUGH THE UNPUMPED EDF SECTION", SAN DIEGO, CA, FEB. 21 - 26, 1999,NEW YORK, NY: IEEE,US, (1999), ISBN 0-7803-5430-3, pages 7 - 9, XP000882916 [A] 1-3 * page 8, line 28 - line 34; figure 1 *
 [A]  - SUN Y ET AL, "80 nm ultra-wideband erbium-doped silica fibre amplifier", ELECTRONICS LETTERS,IEE STEVENAGE,GB, (19971106), vol. 33, no. 23, ISSN 0013-5194, pages 1965 - 1967, XP006008152 [A] 1 * figure 1 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1049/el:19971305
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