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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1073121

EP1073121 - Halbleiterspeicherbauelement und dessen Herstellungsverfahren [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusAnmeldung gilt als zurückgenommen
Status aktualisiert am  22.06.2007
Datenbank zuletzt aktualisiert am 20.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip22.06.2007Anmeldung gilt als zurückgenommenveröffentlicht am 25.07.2007  [2007/30]
AnmelderFür alle benannten Staaten
FUJITSU LIMITED
1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku Kawasaki-shi
Kanagawa 211-8588 / JP
[N/P]
Frühere [2001/05]Für alle benannten Staaten
FUJITSU LIMITED
1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku
Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 / JP
Erfinder01 / Hashimoto, Hiroshi, c/o Fujitsu Limited
1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku
Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 / JP
 [2001/05]
VertreterJoly, Jean-Jacques, et al
Cabinet Beau de Loménie
158, rue de l'Université
75340 Paris cedex 07 / FR
[N/P]
Frühere [2001/05]Joly, Jean-Jacques, et al
Cabinet Beau de Loménie 158, rue de l'Université
75340 Paris Cédex 07 / FR
Anmeldenummer, Anmeldetag00402175.428.07.2000
[2001/05]
Prioritätsnummer, PrioritätstagJP1999021560129.07.1999         Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 21560199
[2001/05]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP1073121
Datum:31.01.2001
Sprache:EN
[2001/05]
Art: A3 Recherchenbericht 
Nr.:EP1073121
Datum:29.10.2003
[2003/44]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP15.09.2003
KlassifikationIPC:H01L27/115, H01L21/8247
[2001/05]
CPC:
H10B69/00 (EP,US); H01L27/10 (KR); H10B41/30 (EP,US)
Benannte VertragsstaatenDE,   FR [2004/30]
Frühere [2001/05]AT,  BE,  CH,  CY,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Halbleiterspeicherbauelement und dessen Herstellungsverfahren[2001/05]
Englisch:Semiconductor memory device and method for manufacturing the same[2001/05]
Französisch:Dispositif de mémoire à semi-conducteur et son procédé de fabrication[2001/05]
Prüfungsverfahren19.11.2003Prüfungsantrag gestellt  [2004/03]
29.04.2004Teilrechtsverlust, Datum der Rechtswirksamkeit: benannte Vertragsstaat(en)
20.08.2004Absendung der Mitteilung über einen Teilrechtsverlusts: benannte Vertragsstaat(en) AT, BE, CH, CY, DK, ES, FI, GB, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE
31.01.2007Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
01.02.2007Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit  [2007/30]
09.03.2007Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Jahresgebühr nicht fristgerecht entrichtet  [2007/30]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
25.07.2002Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
26.06.2003Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
02.07.2004Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
09.06.2005Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
Zuschlagsgebühr
Zuschlagsgebühr/Regel 85a EPÜ 1973
04.06.2004AT   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004BE   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004CH   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004CY   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004DK   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004ES   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004FI   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004GB   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004GR   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004IE   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004IT   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004LU   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004MC   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004NL   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004PT   M01   Noch nicht entrichtet
04.06.2004SE   M01   Noch nicht entrichtet
Zuschlagsgebühr zur Jahresgebühr
31.07.200607   M06   Noch nicht entrichtet
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[A]JP3171664  ;
 [A]US5270240  (LEE ROGER R [US]);
 [YA]EP0712163  (COMMISSARIAT ENERGIE ATOMIQUE [FR]);
 [XY]US5679591  (LIN RUEI-LING [TW], et al)
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