blank Kurzhilfe
blank Wartungsmeldungen

Geplante Wartungsarbeiten

Regelmäßige Unterbrechungen:
zwischen 5.00 und 5.15 Uhr MEZ (Montag bis Sonntag).

Andere Unterbrechungen
Verfügbarkeit

2022.02.11

Mehr...
blank Kurzmeldungen

Kurzmeldungen

Neue Version des Europäischen Patentregisters – Angaben zu ESZ-Verfahren im Einheitspatentregister.

2024-07-24

Mehr...
blank Themenbezogene Links

Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1231628

EP1231628 - Methode, die Oberfläche eines Halbleiters aufzurauhen [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusAnmeldung gilt als zurückgenommen
Status aktualisiert am  03.10.2003
Datenbank zuletzt aktualisiert am 04.11.2024
Letztes Ereignis   Tooltip03.10.2003Anmeldung gilt als zurückgenommenveröffentlicht am 19.11.2003  [2003/47]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG
Königsbrücker Strasse 180
01099 Dresden / DE
[2002/33]
Erfinder01 / Storbeck, Olaf
Nordstrasse 38
01099 Dresden / DE
02 / Kurtenbach, Andreas
Kamenzer Strasse 60
01099 Dresden / DE
03 / Kuerner, Wolfgang
Karl-Marx-Strasse 13
01099 Dresden / DE
 [2002/33]
VertreterFischer, Volker, et al
Epping Hermann Fischer
Patentanwaltsgesellschaft mbH
Schlossschmidstrasse 5
80639 München / DE
[N/P]
Frühere [2002/33]Fischer, Volker, Dipl.-Ing., et al
Epping Hermann & Fischer Ridlerstrasse 55
80339 München / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag01103005.308.02.2001
[2002/33]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht 
Nr.:EP1231628
Datum:14.08.2002
Sprache:EN
[2002/33]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP18.07.2001
KlassifikationIPC:H01L21/02, H01L21/8242
[2002/33]
CPC:
H01L28/84 (EP); H01L21/32135 (EP)
Benannte Vertragsstaaten(deleted) [2003/19]
Frühere [2002/33]AT,  BE,  CH,  CY,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE,  TR 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Methode, die Oberfläche eines Halbleiters aufzurauhen[2002/33]
Englisch:Method for roughening a surface of a semioconductor substrate[2002/33]
Französisch:Procédé pour rendre des surfaces de semiconducteur rugueuses[2002/33]
Prüfungsverfahren15.02.2003Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit  [2003/47]
18.06.2003Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Prüfungsgebühr nicht fristgerecht entrichtet  [2003/47]
Entrichtete GebührenZuschlagsgebühr
Zuschlagsgebühr/Regel 85a EPÜ 1973
25.03.2003AT   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003BE   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003CH   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003CY   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003DE   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003DK   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003ES   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003FI   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003FR   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003GB   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003GR   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003IE   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003IT   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003LU   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003MC   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003NL   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003PT   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003SE   M01   Noch nicht entrichtet
25.03.2003TR   M01   Noch nicht entrichtet
Zuschlagsgebühr/Regel 85b EPÜ 1973
25.03.2003M01   Noch nicht entrichtet
Zuschlagsgebühr zur Jahresgebühr
28.02.200303   M06   Noch nicht entrichtet
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[A]US6020609  (WU SHYE-LIN [TW]) [A] 1,4* the whole document *;
 [A]US6171955  (CHEN SHIH-CHING [TW]) [A] 1-3,5,6 * the whole document *;
 [X]  - PUTTE VAN DER P ET AL, "SURFACE MORPHOLOGY OF HCI SILICON WAFERS I. GAS PHASE COMPOSITION IN THE SILICON HCI SYSTEM AND SURFACE REACTIONS DURING ETCHING", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,NL,NORTH-HOLLAND PUBLISHING CO. AMSTERDAM, (1977), vol. 41, ISSN 0022-0248, pages 133 - 145, XP000577106 [X] 1-3 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(77)90106-3
Das EPA übernimmt keine Gewähr für die Richtigkeit von Daten, die aus anderen Behörden stammen, und schließt insbesondere jegliche Garantie dafür aus, dass solche Daten vollständig, aktuell oder für bestimmte Zwecke geeignet sind.