EP1231628 - Methode, die Oberfläche eines Halbleiters aufzurauhen [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Anmeldung gilt als zurückgenommen Status aktualisiert am 03.10.2003 Datenbank zuletzt aktualisiert am 04.11.2024 | Letztes Ereignis Tooltip | 03.10.2003 | Anmeldung gilt als zurückgenommen | veröffentlicht am 19.11.2003 [2003/47] | Anmelder | Für alle benannten Staaten Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Königsbrücker Strasse 180 01099 Dresden / DE | [2002/33] | Erfinder | 01 /
Storbeck, Olaf Nordstrasse 38 01099 Dresden / DE | 02 /
Kurtenbach, Andreas Kamenzer Strasse 60 01099 Dresden / DE | 03 /
Kuerner, Wolfgang Karl-Marx-Strasse 13 01099 Dresden / DE | [2002/33] | Vertreter | Fischer, Volker, et al Epping Hermann Fischer Patentanwaltsgesellschaft mbH Schlossschmidstrasse 5 80639 München / DE | [N/P] |
Frühere [2002/33] | Fischer, Volker, Dipl.-Ing., et al Epping Hermann & Fischer Ridlerstrasse 55 80339 München / DE | Anmeldenummer, Anmeldetag | 01103005.3 | 08.02.2001 | [2002/33] | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A1 Anmeldung mit Recherchenbericht | Nr.: | EP1231628 | Datum: | 14.08.2002 | Sprache: | EN | [2002/33] | Recherchenbericht(e) | (Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am: | EP | 18.07.2001 | Klassifikation | IPC: | H01L21/02, H01L21/8242 | [2002/33] | CPC: |
H01L28/84 (EP);
H01L21/32135 (EP)
| Benannte Vertragsstaaten | (deleted) [2003/19] |
Frühere [2002/33] | AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE, TR | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | Methode, die Oberfläche eines Halbleiters aufzurauhen | [2002/33] | Englisch: | Method for roughening a surface of a semioconductor substrate | [2002/33] | Französisch: | Procédé pour rendre des surfaces de semiconducteur rugueuses | [2002/33] | Prüfungsverfahren | 15.02.2003 | Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit [2003/47] | 18.06.2003 | Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Prüfungsgebühr nicht fristgerecht entrichtet [2003/47] | Entrichtete Gebühren | Zuschlagsgebühr | Zuschlagsgebühr/Regel 85a EPÜ 1973 | 25.03.2003 | AT   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | BE   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | CH   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | CY   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | DE   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | DK   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | ES   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | FI   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | FR   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | GB   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | GR   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | IE   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | IT   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | LU   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | MC   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | NL   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | PT   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | SE   M01   Noch nicht entrichtet | 25.03.2003 | TR   M01   Noch nicht entrichtet | Zuschlagsgebühr/Regel 85b EPÜ 1973 | 25.03.2003 | M01   Noch nicht entrichtet | Zuschlagsgebühr zur Jahresgebühr | 28.02.2003 | 03   M06   Noch nicht entrichtet |
Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführte Dokumente: | Recherche | [A]US6020609 (WU SHYE-LIN [TW]) [A] 1,4* the whole document *; | [A]US6171955 (CHEN SHIH-CHING [TW]) [A] 1-3,5,6 * the whole document *; | [X] - PUTTE VAN DER P ET AL, "SURFACE MORPHOLOGY OF HCI SILICON WAFERS I. GAS PHASE COMPOSITION IN THE SILICON HCI SYSTEM AND SURFACE REACTIONS DURING ETCHING", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,NL,NORTH-HOLLAND PUBLISHING CO. AMSTERDAM, (1977), vol. 41, ISSN 0022-0248, pages 133 - 145, XP000577106 [X] 1-3 * the whole document * DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(77)90106-3 |