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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1197995

EP1197995 - Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus einer Nitridverbindung der Gruppe III [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
Status	Kein Einspruch fristgerecht eingelegt Status aktualisiert am 11.11.2011 Datenbank zuletzt aktualisiert am 14.09.2024
Letztes Ereignis Tooltip	27.09.2013	Erlöschen des Patents in einem Vertragsstaat Neue Staaten: TR	veröffentlicht am 30.10.2013 [2013/44]
Anmelder	Für alle benannten Staaten NGK Insulators, Ltd. 2-56, Suda-Cho, Mizuho-ku Nagoya City, Aichi Pref. / JP
	[2011/01]
Frühere [2002/16]	Für alle benannten Staaten NGK INSULATORS, LTD. 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku Nagoya City Aichi Pref. / JP
Erfinder	01 / Shibata, Tomohiko, c/o NGK Insulators 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku Nagoya City, Aichi Pref. / JP
	02 / Nakamura, Yukinori, c/o NGK Insulators 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku Nagoya City, Aichi Pref. / JP
	03 / Tanaka, Mitsuhiro, c/o NGK Insulators 2-56, Suda-cho, Mizuho-ku Nagoya City, Aichi Pref. / JP
	[2002/16]
Vertreter	TBK Bavariaring 4-6 80336 München / DE
	[N/P]
Frühere [2005/34]	TBK-Patent Bavariaring 4-6 80336 München / DE
Frühere [2002/16]	Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing. Tiedtke-Bühling-Kinne & Partner GbR, TBK-Patent, Bavariaring 4 80336 München / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag	01124422.5	11.10.2001
	[2002/16]
Prioritätsnummer, Prioritätstag	JP20000313033	13.10.2000 Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 2000313033
	[2002/16]
Anmeldesprache	EN
Verfahrenssprache	EN
Veröffentlichung	Art:	A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht
	Nr.:	EP1197995
	Datum:	17.04.2002
	Sprache:	EN
	[2002/16]
	Art:	A3 Recherchenbericht
	Nr.:	EP1197995
	Datum:	05.07.2006
	[2006/27]
	Art:	B1 Patentschrift
	Nr.:	EP1197995
	Datum:	05.01.2011
	Sprache:	EN
	[2011/01]
Recherchenbericht(e)	(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:	EP	07.06.2006
Klassifikation	IPC:	C30B25/02, C30B29/40, H01L21/205	[2010/30]
	CPC:	C30B25/02 (EP,KR,US); C30B29/403 (EP,KR,US); H01L21/0242 (EP,KR,US); H01L21/0254 (EP,KR,US); H01L21/0262 (EP,US)
	Frühere IPC [2002/16]	H01L21/205, C30B25/02
Benannte Vertragsstaaten	AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE, TR [2002/16]
Bezeichnung der Erfindung	Deutsch:	Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus einer Nitridverbindung der Gruppe III	[2002/16]
	Englisch:	Method for fabricating a group III nitride film	[2010/30]
	Französisch:	Méthode de fabrication d'une couche en nitrure d'éléments du groupe III	[2010/30]
	Frühere [2002/16]	A method for fabricating a III nitride film
	Frühere [2002/16]	Méthode de fabrication d'une couche en nitrure du groupe III
Prüfungsverfahren	28.09.2006	Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
	28.09.2006	Prüfungsantrag gestellt [2006/45]
	05.06.2007	Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06)
	14.12.2007	Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
	24.11.2008	Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06)
	04.05.2009	Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
	16.07.2010	Ankündigung der Patenterteilung
	19.11.2010	Erteilungsgebühr entrichtet
	19.11.2010	Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
Einspruch (Einsprüche)	06.10.2011	Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2011/50]
Entrichtete Gebühren	Jahresgebühr
	30.10.2003	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
	28.10.2004	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
	26.10.2005	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
	30.10.2006	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
	31.10.2007	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 07
	30.10.2008	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 08
	29.10.2009	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 09
	29.10.2010	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 10
Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts	Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
	Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Erlöschen während des Einspruchsverfahrens Tooltip	AT	05.01.2011
	BE	05.01.2011
	CY	05.01.2011
	DK	05.01.2011
	FI	05.01.2011
	IT	05.01.2011
	NL	05.01.2011
	SE	05.01.2011
	TR	05.01.2011
	GR	06.04.2011
	ES	16.04.2011
	PT	05.05.2011
	[2013/44]
Frühere [2012/03]	AT	05.01.2011
	BE	05.01.2011
	CY	05.01.2011
	DK	05.01.2011
	FI	05.01.2011
	IT	05.01.2011
	NL	05.01.2011
	SE	05.01.2011
	GR	06.04.2011
	ES	16.04.2011
	PT	05.05.2011
Frühere [2011/47]	AT	05.01.2011
	BE	05.01.2011
	CY	05.01.2011
	DK	05.01.2011
	FI	05.01.2011
	NL	05.01.2011
	SE	05.01.2011
	GR	06.04.2011
	ES	16.04.2011
	PT	05.05.2011
Frühere [2011/40]	AT	05.01.2011
	BE	05.01.2011
	CY	05.01.2011
	FI	05.01.2011
	NL	05.01.2011
	SE	05.01.2011
	GR	06.04.2011
	ES	16.04.2011
	PT	05.05.2011
Frühere [2011/37]	BE	05.01.2011
	CY	05.01.2011
	FI	05.01.2011
	SE	05.01.2011
	GR	06.04.2011
	ES	16.04.2011
	PT	05.05.2011
Frühere [2011/35]	SE	05.01.2011
	GR	06.04.2011
	ES	16.04.2011
	PT	05.05.2011
Angeführte Dokumente:	Recherche	[Y]JPS5975622 ;
		[A]JPS6021518 ;
		[XY] - SATO K ET AL, "Low temperature growth of epitaxial AlN films on sapphire", IEEE 1985 ULTRASONICS SYMPOSIUM. PROCEEDINGS. (CAT. NO.85CH2209-5) IEEE NEW YORK, NY, USA, (1985), pages 192 - 197 vol.1, XP008064693 [X] 1,4,7,8 * page 192, paragraph ABSTRACT * * page 193, column 1, line 37 - column 2, line 15; figure 2 * * page 196, column 1, lines 22-41; figures 7,9 * * page 197, lines 33-35 * * page 193, column 1, lines 15-21 * [Y] 2,3,5,6
		[Y] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19840824), vol. 008, no. 185, Database accession no. (E - 262), & JP59075622 A 19840428 (NIHON SANSO KK) [Y] 2,3,5,6 * abstract *
		[A] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19850614), vol. 009, no. 140, Database accession no. (E - 321), & JP60021518 A 19850202 (NIPPON DENSHIN DENWA KOSHA) [A] 2,3,5,6 * abstract *
	Prüfung	- KANEKO S.; TANAKA M.; MASU K.; TSUBOUCHI K.; MIKOSHIBA N., "Epitaxial growth of AlN film by low-pressure MOCVD in gas-beam-flow reactor", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Amsterdam, Netherlands, (19911201), vol. 115, ISSN 0022-0248, pages 643 - 647, XP000322870 DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(91)90819-Q
	vom Anmelder	JPS5975622
		JPS6021518

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