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EP1195801
Europäisches Verfahren
Auszug aus dem europäischen Patentregister
EP Übersicht: EP1195801
| EP1195801 - Verfahren zur Behandlung einer Isolierschicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Kein Einspruch fristgerecht eingelegt Status aktualisiert am 05.12.2014 Datenbank zuletzt aktualisiert am 17.09.2024 | Letztes Ereignis Tooltip | 05.12.2014 | Kein Einspruch fristgerecht eingelegt | veröffentlicht am 07.01.2015 [2015/02] | Anmelder | Für alle benannten Staaten IMEC Kapeldreef 75 3001 Leuven / BE | Für alle benannten Staaten Applied Materials, Inc. 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054-3299 / US | [2014/05] |
| Frühere [2009/33] | Für alle benannten Staaten IMEC Kapeldreef 75 3001 Leuven / BE | ||
| Für alle benannten Staaten Applied Materials, Inc. 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054-3299 / US | |||
| Frühere [2002/15] | Für alle benannten Staaten Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vereniging Zonder Winstbejag, Kapeldreef 75 3001 Heverlee / BE | ||
| Für alle benannten Staaten Applied Materials, Inc. 3050 Bowers Avenue Santa Clara, California 95054-3299 / US | Erfinder | 01 /
Baklanov, Michael R. Vandervaerenlaan 16/8 3000 Leuven / BE | 02 /
Vanhaelemeersch, Serge Vijfbunderstraat 9 3001 Leuven / BE | 03 /
Maex, Karen A. Rulenslaan 31 3020 Herent / BE | 04 /
Donaton, Ricardo Leeuwerikenstraat 39/44 3001 Heverlee / BE | 05 /
Schaekers, Marc Leeuwerikenstraat 53/73 3001 Heverlee / BE | 06 /
Struyf, Herbert Schorpioenstraat 34 2018 Antwerpen / BE | [2002/15] | Vertreter | Van Malderen, Joëlle, et al pronovem - Office Van Malderen Avenue Josse Goffin 158 1082 Bruxelles / BE | [2014/05] |
| Frühere [2002/15] | Van Malderen, Joelle, et al Office Van Malderen, Place Reine Fabiola 6/1 1083 Bruxelles / BE | Anmeldenummer, Anmeldetag | 01870205.0 | 28.09.2001 | [2002/15] | Prioritätsnummer, Prioritätstag | US20000236569 | 29.09.2000 Ursprünglich veröffentlichtes Format: US 236569 | [2002/15] | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht | Nr.: | EP1195801 | Datum: | 10.04.2002 | Sprache: | EN | [2002/15] | Art: | A3 Recherchenbericht | Nr.: | EP1195801 | Datum: | 03.06.2009 | [2009/23] | Art: | B1 Patentschrift | Nr.: | EP1195801 | Datum: | 29.01.2014 | Sprache: | EN | [2014/05] | Recherchenbericht(e) | (Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am: | EP | 06.05.2009 | Klassifikation | IPC: | H01L21/321, H01L21/768, H01L21/316, H01L23/532 | [2002/15] | CPC: |
H01L21/31116 (EP);
H01L21/02203 (EP,US);
H01L21/02126 (EP,US);
H01L21/02167 (EP,US);
H01L21/0234 (US);
H01L21/76802 (EP);
H01L21/76826 (EP);
H01L21/76831 (EP);
H01L21/02216 (EP,US);
H01L21/02274 (EP,US)
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| Benannte Vertragsstaaten | DE, FR, GB [2010/06] |
| Frühere [2002/15] | AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE, TR | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | Verfahren zur Behandlung einer Isolierschicht mit niedriger Dielektrizitätskonstante | [2002/15] | Englisch: | Process for plasma treating an isolation layer with low permittivity | [2002/15] | Französisch: | Procédé de traitement par plasma d'une couche isolante à constante diélectrique faible | [2002/15] | Prüfungsverfahren | 23.11.2009 | Prüfungsantrag gestellt [2010/01] | 04.12.2009 | Teilrechtsverlust, Datum der Rechtswirksamkeit: benannte Vertragsstaat(en) | 13.01.2010 | Absendung der Mitteilung über einen Teilrechtsverlusts: benannte Vertragsstaat(en) AT, BE, CH, CY, DK, ES, FI, GR, IE, IT, LU, MC, NL, PT, SE, TR | 25.02.2010 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06) | 25.02.2010 | Aufforderung, Auskünfte über den Stand der Technik zur Verfügung zu stellen | 21.06.2010 | Erwiderung auf die Aufforderung, Auskünfte über den Stand der Technik zur Verfügung zu stellen | 30.08.2010 | Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung | 24.04.2012 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M02) | 02.07.2012 | Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung | 22.08.2013 | Ankündigung der Patenterteilung | 18.12.2013 | Erteilungsgebühr entrichtet | 18.12.2013 | Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet | Teilanmeldung(en) | Das Datum des ersten Bescheids der Prüfungsabteilung zu der frühesten Anmeldung, zu der ein Bescheid ergangen ist , ist 25.02.2010 | Einspruch (Einsprüche) | 30.10.2014 | Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2015/02] | Entrichtete Gebühren | Jahresgebühr | 25.09.2003 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03 | 24.09.2004 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04 | 29.09.2005 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05 | 28.09.2006 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06 | 27.09.2007 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 07 | 25.09.2008 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 08 | 29.09.2009 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 09 | 28.09.2010 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 10 | 29.09.2011 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 11 | 24.09.2012 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 12 | 23.09.2013 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 13 |
| Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
| Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführte Dokumente: | Recherche | [X]WO0010199 (LAM RES CORP [US]) [X] 1-9 * claim - *; | [X]EP1030353 (FRANCE TELECOM [FR]) [X] 1-9 * claim - *; | [X] - DELSOL R ET AL, "Transformer coupled plasma dielectric etch for 0.25 mum technologies", MICROELECTRONIC ENGINEERING, ELSEVIER PUBLISHERS BV., AMSTERDAM, NL, (20000101), vol. 50, no. 1-4, ISSN 0167-9317, pages 75 - 80, XP004237653 [X] 1-9 * page 78, section "5. Low k dielectric etching" * DOI: http://dx.doi.org/10.1016/S0167-9317(99)00267-1 | [X] - BAKLANOV M R ET AL, "Process integration induced thermodesorption from SiO2/SiLK resin dielectric based interconnects", JOURNAL OF VACUUM SCIENCE & TECHNOLOGY B: MICROELECTRONICSPROCESSING AND PHENOMENA, AMERICAN VACUUM SOCIETY, NEW YORK, NY, US, (19990901), vol. 17, no. 5, ISSN 0734-211X, pages 2136 - 2146, XP012007707 [X] 1-9 * page 2142, column R, paragraph LAST * DOI: http://dx.doi.org/10.1116/1.590883 | [X] - THOMPSON ET AL., "Etch process Development for FLARE for Dual Damascene Architecture using a N2/O2 plasma", PROC. OF THE IEEE 1999 INT. INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE, Piscataway, USA, (19990524), pages 59 - 61, XP002524587 [X] 1-9 * the whole document * DOI: http://dx.doi.org/10.1109/IITC.1999.787078 | Prüfung | - DONATON ET AL, "Critical issues in the integration of copper and low-k dielectrics", IEEE INT. INTERCONNECT TECHNOLOGY CONFERENCE, vol. 99, pages 262 - 264 |