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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1372191

EP1372191 - Verfahren zur Abscheidung einer Struktur auf einem Substrat [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusAnmeldung gilt als zurückgenommen
Status aktualisiert am  03.06.2005
Datenbank zuletzt aktualisiert am 14.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip03.06.2005Anmeldung gilt als zurückgenommenveröffentlicht am 20.07.2005  [2005/29]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Filtronic Compound Semiconductor Limited
Heighington Lane Business Park Newton Ayecliffe
Co. Durham, DL5 6JW / GB
[N/P]
Frühere [2003/51]Für alle benannten Staaten
Filtronic Compound Semiconductor Limited
Heighington Lane Business Park
Newton Ayecliffe, Co. Durham, DL5 6JW / GB
Erfinder01 / Phillips, Carl Christopher, Filtronic Compound
Semiconductors Ltd, Heighington Lane Business Park
Newton Aycliffe, Co. Durham DL5 6JW / GB
 [2003/51]
VertreterMcDonough, Jonathan
Urquhart-Dykes & Lord LLP
Tower North Central
Merrion Way
Leeds LS2 8PA / GB
[N/P]
Frühere [2003/51]McDonough, Jonathan
Urquhart-Dykes & Lord, Tower House, Merrion Way
Leeds LS2 8PA / GB
Anmeldenummer, Anmeldetag03253753.212.06.2003
[2003/51]
Prioritätsnummer, PrioritätstagGB2002001369514.06.2002         Ursprünglich veröffentlichtes Format: GB 0213695
[2003/51]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP1372191
Datum:17.12.2003
Sprache:EN
[2003/51]
Art: A3 Recherchenbericht 
Nr.:EP1372191
Datum:07.04.2004
[2004/15]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP24.02.2004
KlassifikationIPC:H01L21/027, H01L21/308, G03F7/38
[2004/14]
CPC:
H01L21/7688 (EP,US); G03F7/168 (EP,US); G03F7/38 (EP,US);
H01L21/0272 (EP,US); H01L21/0274 (EP,US); H01L21/76838 (EP,US);
G03F7/095 (EP,US); H01L21/28587 (EP,US); H05K3/048 (EP,US);
Y10T428/24273 (EP,US); Y10T428/24331 (EP,US) (-)
Frühere IPC [2003/51]H01L21/768, H01L21/027
Benannte Vertragsstaaten(deleted) [2005/01]
Frühere [2003/51]AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HU,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  RO,  SE,  SI,  SK,  TR 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Verfahren zur Abscheidung einer Struktur auf einem Substrat[2003/51]
Englisch:Method for depositing a device feature on a substrate[2003/51]
Französisch:Technique de dépot d'une structure sur un substrat[2003/51]
Prüfungsverfahren08.10.2004Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit  [2005/29]
09.02.2005Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Prüfungsgebühr nicht fristgerecht entrichtet  [2005/29]
Entrichtete GebührenZuschlagsgebühr
Zuschlagsgebühr/Regel 85a EPÜ 1973
16.11.2004DE   M01   Noch nicht entrichtet
16.11.2004FR   M01   Noch nicht entrichtet
16.11.2004GB   M01   Noch nicht entrichtet
16.11.2004IT   M01   Noch nicht entrichtet
Zuschlagsgebühr/Regel 85b EPÜ 1973
16.11.2004M01   Noch nicht entrichtet
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[X]JPH03235322  ;
 [X]JPS57199222  ;
 [X]JPH1197328  ;
 [A]JPH03119720  ;
 [X]US6372414  (REDD RANDY D [US], et al) [X] 1-9 * column 2, line 45 - column 3, line 12 * * column 4, lines 12-28 *;
 [X]  - REDD ET AL., "Lithographic Process for High-Resolution Metal Lift-Off", PROCEEDINGS OF THE SPIE CONFERENCE ON ADVANCES IN RESIST TECHNOLOGY AND PROCESSING XVI - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Santa Clara, California, (19990315), vol. 3678, pages 641 - 651, XP008027240 [X] 1-9 * abstract * * page 641 - page 643 * * figure 1 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1117/12.350188
 [X]  - REDD ET AL., "Revitalization of Single Layer Lift-off For Finer Resolution and Challenging Topography", GAAS MANTECH CONFERENCE - DIGEST OF PAPERS PROCEEDINGS OF 2001 INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPOUND SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, Las Vegas, (20010521), pages 99 - 101, XP001188108 [X] 1-9 * the whole document *
 [X]  - ANONYMOUS, "Single Layer Optical Lift Off Process. October 1975.", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, New York, US, (19751001), vol. 18, no. 5, page 1395, XP002269032 [X] 1-4,7-9 * the whole document *
 [X]  - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19920114), vol. 016, no. 014, Database accession no. (E - 1154), & JP03235322 A 19911021 (NEC CORP) [X] 1-4,7-9 * abstract *
 [X]  - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19830225), vol. 007, no. 049, Database accession no. (E - 161), & JP57199222 A 19821207 (NIPPON DENSHIN DENWA KOSHA) [X] 1,2,4-9 * abstract *
 [X]  - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19990730), vol. 1999, no. 09, & JP11097328 A 19990409 (TOSHIBA CORP) [X] 1,2,4-9 * abstract *
 [A]  - ANONYMOUS, "Single Layer Lift-Off Process. September 1979.", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, New York, US, (19790901), vol. 22, no. 4, page 1399, XP002269033 [A] 1-9 * the whole document *
 [A]  - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19910816), vol. 015, no. 323, Database accession no. (E - 1101), & JP03119720 A 19910522 (NIPPON TELEGR & TELEPH CORP) [A] 1-9 * abstract *
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