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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1753018

EP1753018 - Verfahren zur Herstellung eines auf Nitrid Basis einkristallinen Substrats und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung auf Nitrid Basis [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusKein Einspruch fristgerecht eingelegt
Status aktualisiert am  19.07.2013
Datenbank zuletzt aktualisiert am 29.10.2024
Letztes Ereignis   Tooltip17.07.2015Erlöschen des Patents in einem Vertragsstaat
Neue Staaten: HU		veröffentlicht am 19.08.2015  [2015/34]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Samsung LED Co., Ltd.
314 Maetan 3-dong Yeongtong-gu Suwon
Gyunggi-do 442-743 / KR
[2010/29]
Frühere [2007/07]Für alle benannten Staaten
Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.
314, Maetan-3-dong, Youngtong-ku
Suwon, Kyungki-do / KR
Erfinder01 / Yang, Jong In
402-601 Greenvill
Singal-ri
Kiheung-eup
Yongin
Kyungki-do / KR
02 / Park, Ki Yon
105-801 Booyoung Apt.
2542 Yongam-dong
Sangdang-ku
Cheongjoo Choongchungbook-do / KR
 [2012/37]
Frühere [2007/07]01 / Yang, Jong In
402-601 Greenvill Singal-ri Kiheung-eup Yongin
Kyungki-do / KR
02 / Park, Ki Yon
105-801 Booyoung Apt. 2542 Yongam-dong Sangdang-ku
Cheongjoo Choongchungbook-do / KR
VertreterPowell, Timothy John
Potter Clarkson LLP The Belgrave Centre
Talbot Street
Nottingham NG1 5GG / GB
[N/P]
Frühere [2012/37]Powell, Timothy John
Potter Clarkson LLP Park View House 58 The Ropewalk Nottingham
NG1 5DD / GB
Frühere [2007/07]Powell, Timothy John
Eric Potter Clarkson LLP Park View House 58 The Ropewalk
Nottingham NG1 5DD / GB
Anmeldenummer, Anmeldetag06253864.024.07.2006
[2007/07]
Prioritätsnummer, PrioritätstagKR2005007424612.08.2005         Ursprünglich veröffentlichtes Format: KR 20050074246
[2007/07]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP1753018
Datum:14.02.2007
Sprache:EN
[2007/07]
Art: A3 Recherchenbericht 
Nr.:EP1753018
Datum:31.03.2010
[2010/13]
Art: B1 Patentschrift 
Nr.:EP1753018
Datum:12.09.2012
Sprache:EN
[2012/37]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP26.02.2010
KlassifikationIPC:H01L21/20, C30B29/40
[2007/07]
CPC:
C30B29/60 (EP,US); C30B29/403 (EP,US); H01L21/6835 (EP,US);
H01L21/6836 (EP,US); H01L21/78 (EP,US); H01L24/96 (EP,US);
H01L33/0075 (EP,US); H01L2221/68327 (EP,US); H01L2221/68363 (EP,US);
H01L2221/68368 (EP,US); H01L2924/01003 (US); H01L2924/01005 (EP,US);
H01L2924/01006 (EP,US); H01L2924/01012 (EP,US); H01L2924/01013 (EP,US);
H01L2924/01015 (EP,US); H01L2924/01023 (EP,US); H01L2924/01027 (EP,US);
H01L2924/01029 (EP,US); H01L2924/01033 (EP,US); H01L2924/01047 (EP,US);
H01L2924/0106 (EP,US); H01L2924/01073 (EP,US); H01L2924/01079 (EP,US);
H01L2924/01082 (EP,US); H01L2924/10329 (EP,US); H01L2924/12041 (EP,US);
H01L2924/12042 (EP,US); H01L2924/351 (EP,US); H01L2924/3511 (EP,US);
H01L33/0093 (EP,US) (-)
C-Set:
H01L2924/12041, H01L2924/00 (EP,US);
H01L2924/12042, H01L2924/00 (US,EP);
H01L2924/3511, H01L2924/00 (US,EP);
H01L2924/351, H01L2924/00 (US,EP)
Benannte VertragsstaatenAT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   NL,   PL,   PT,   RO,   SE,   SI,   SK,   TR [2007/07]
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Verfahren zur Herstellung eines auf Nitrid Basis einkristallinen Substrats und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung auf Nitrid Basis[2007/07]
Englisch:Method for manufacturing nitride based single crystal substrate and method for manufacturing nitride based semiconductor device[2007/07]
Französisch:Procédé pour fabriquer un substrat monocristallin à base de nitrure et procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à base de nitrure[2007/07]
Prüfungsverfahren30.09.2010Prüfungsantrag gestellt  [2010/45]
29.10.2010Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
12.05.2011Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
18.08.2011Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
22.02.2012Ankündigung der Patenterteilung
02.07.2012Erteilungsgebühr entrichtet
02.07.2012Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
Teilanmeldung(en)Das Datum des ersten Bescheids der Prüfungsabteilung zu der frühesten Anmeldung, zu der ein Bescheid ergangen ist , ist  12.05.2011
Einspruch (Einsprüche)13.06.2013Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2013/34]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
14.07.2008Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
10.07.2009Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
30.07.2010Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
29.07.2011Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
30.07.2012Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 07
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts		 Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Erlöschen während des Einspruchsverfahrens  TooltipHU24.07.2006
AT12.09.2012
BE12.09.2012
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CZ12.09.2012
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SE12.09.2012
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SK12.09.2012
TR12.09.2012
BG12.12.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
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[2015/34]
Frühere [2015/32]AT12.09.2012
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Frühere [2013/23]BE12.09.2012
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Frühere [2013/22]BE12.09.2012
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Frühere [2013/20]BE12.09.2012
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Frühere [2013/12]CY12.09.2012
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Frühere [2013/11]CY12.09.2012
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GR13.12.2012
Frühere [2013/10]CY12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
Frühere [2013/09]FI12.09.2012
LT12.09.2012
Frühere [2013/08]LT12.09.2012
Angeführte Dokumente:Recherche[XYI]US6071795  (CHEUNG NATHAN W [US], et al) [X] 1-7 * column 4, lines 4-9, 26-31, 38-41,46-53; figures 1-6 * * column 5, lines 21-24,44-49 * * column 5, lines 21-35 * [Y] 13,25 [I] 8;
 [XYI]US2003189212  (YOO MYUNG CHEOL [US]) [X] 23-24,26-33 * paragraphs [0013] , [0033] , [0034] , [0036] , [0040] - [0048]; figures 2a,2b,3,4,6-15, 21-24 * [Y] 13,25 [I] 9-12,14-22;
 [IY]US2004245543  (YOO MYUNG CHEOL [US]) [I] 9-10,14,22 * paragraphs [0031] - [0035] - [0076] , [0 79] , [0080] , [0083]; figures 4-12 * [Y] 13,25;
 [X]  - WONG W S ET AL, "Fabrication of thin-film InGaN light-emitting diode membranes by laser lift-off", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (19990906), vol. 75, no. 10, ISSN 0003-6951, pages 1360 - 1362, XP012023432 [X] 1 * figure 1 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.124693
 [I]  - WONG WILLIAM S ET AL, "Continuous-wave InGaN multiple-quantum-well laser diodes on copper substrates", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (20010226), vol. 78, no. 9, ISSN 0003-6951, pages 1198 - 1200, XP012028696 [I] 9 * figure 1 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.1350593
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