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EP Übersicht: EP2352182

EP2352182 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN NITRIDHALBLEITERELEMENTS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EPITAKTISCHEN WAFERS [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
Status	Anmeldung zurückgenommen Status aktualisiert am 13.03.2015 Datenbank zuletzt aktualisiert am 28.03.2026
Letztes Ereignis Tooltip	13.03.2015	Zurücknahme der Anmeldung	veröffentlicht am 15.04.2015 [2015/16]
Anmelder	Für alle benannten Staaten Sumitomo Electric Industries, Ltd. 5-33 Kitahama 4-chome Chuo-ku Osaka-shi Osaka 541-0041 / JP
	[N/P]
Frühere [2011/31]	Für alle benannten Staaten Sumitomo Electric Industries, Ltd. 5-33 Kitahama 4-chome Chuo-ku Osaka-shi Osaka 541-0041 / JP
Erfinder	01 / SUMITOMO Takamichi c/o Itami Works of Sumitomo Electric Industries Ltd. 1-1 Koyakita 1-chome Itami-shi Hyogo 664-0016 / JP
	02 / AKITA Katsushi c/o Itami Works of Sumitomo Electric Industries Ltd. 1-1 Koyakita 1-chome Itami-shi Hyogo 664-0016 / JP
	03 / KYONO Takashi c/o Itami Works of Sumitomo Electric Industries Ltd. 1-1 Koyakita 1-chome Itami-shi Hyogo 664-0016 / JP
	04 / YOSHIZUMI Yusuke c/o Itami Works of Sumitomo Electric Industries Ltd. 1-1 Koyakita 1-chome Itami-shi Hyogo 664-0016 / JP
	[2011/31]
Vertreter	Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB Leopoldstraße 4 80802 München / DE
	[N/P]
Frühere [2011/31]	Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät Leopoldstrasse 4 80802 München / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag	09821994.2	19.10.2009
	[2011/31]
	WO2009JP67988
Prioritätsnummer, Prioritätstag	JP20080270065	20.10.2008 Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 2008270065
	JP20090225355	29.09.2009 Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 2009225355
	[2011/31]
Anmeldesprache	JA
Verfahrenssprache	EN
Veröffentlichung	Art:	A1 Anmeldung mit Recherchenbericht
	Nr.:	WO2010047297
	Datum:	29.04.2010
	Sprache:	JA
	[2010/17]
	Art:	A1 Anmeldung mit Recherchenbericht
	Nr.:	EP2352182
	Datum:	03.08.2011
	Sprache:	EN
	[2011/31]
Recherchenbericht(e)	Internationaler Recherchenbericht - veröffentlicht am:	JP	29.04.2010
	(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:	EP	14.01.2015
Klassifikation	IPC:	H01L21/205, H01L33/06, H01L33/32, H01L33/16	[2015/07]
	CPC:	H10P14/3416 (EP,US); H10H20/817 (EP,KR,US); B82Y20/00 (EP,US); H10H20/013 (EP,US); H10H20/812 (EP,KR,US); H10H20/825 (EP,US); (+) H10P14/24 (EP,US); H10P14/2908 (EP,US); H10P14/2926 (EP,US); H10P14/3216 (EP,US); H10P14/3444 (EP,US); H01S5/34333 (EP,US); H10H20/01335 (EP,US) (-)
	Frühere IPC [2011/31]	H01L33/32, H01L21/205, H01S5/343
Benannte Vertragsstaaten	AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, SM, TR [2011/31]
Bezeichnung der Erfindung	Deutsch:	VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES LICHTEMITTIERENDEN NITRIDHALBLEITERELEMENTS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG EINES EPITAKTISCHEN WAFERS	[2011/31]
	Englisch:	METHOD FOR MANUFACTURING NITRIDE SEMICONDUCTOR LIGHT EMITTING ELEMENT AND METHOD FOR MANUFACTURING EPITAXIAL WAFER	[2011/31]
	Französisch:	PROCEDE DE FABRICATION D' UN ELEMENT EMETTEUR DE LUMIERE SEMI-CONDUCTEUR AU NITRURE ET PROCEDE DE FABRICATION D' UNE PLAQUETTE EPITAXIQUE	[2011/31]
Eintritt in die regionale Phase	19.05.2011	Übersetzung eingereicht
	19.05.2011	Nationale Grundgebühr entrichtet
	19.05.2011	Recherchengebühr entrichtet
	19.05.2011	Benennungsgebühr(en) entrichtet
	19.05.2011	Prüfungsgebühr entrichtet
Prüfungsverfahren	19.05.2011	Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
	19.05.2011	Prüfungsantrag gestellt [2011/31]
	05.03.2015	Anmeldung vom Anmelder zurückgenommen [2015/16]
Entrichtete Gebühren	Jahresgebühr
	28.10.2011	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
	30.10.2012	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
	28.10.2013	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
	28.10.2014	Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts	Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
	Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:	Recherche	[XI] JP2008218645 (ROHM CO LTD et al.) [X] 1-5,7-19,21 * paragraph [0020] - paragraph [0027]; figure 3 * * paragraph [0028] - paragraph [0033]; figure 4 * * paragraph [0034] - paragraph [0042] * * paragraph [0046] *[I] 6,20
		[A] EP1814164 (SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES et al.) [A] 20 * paragraph [0036] *
		[I] JP2008109066 (ROHM CO LTD et al.) [I] 1-21 * paragraph [0021] - paragraph [0041]; figures 1-3 * * paragraph [0051] - paragraph [0087]; figures 11-13 *
		[A] US2008128729 (OKAMOTO KUNIYOSHI et al.) [A] 1-19,21 * paragraph [0031] - paragraph [0042] * * paragraph [0017] - paragraph [0030]; figure 1 *
		[A] US6162656 (KUNISATO TATSUYA et al.) [A] 1,4,6,7,11,14,21 * column 1, line 45 - line 48 *
		[A] WU J ET AL: "Small band gap bowing in In1-xGaxN alloys", APPLIED PHYSICS LETTERS, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, US, vol. 80, no. 25, 24 June 2002 (2002-06-24), pages 4741 - 4743, XP012031257, ISSN: 0003-6951, DOI: 10.1063/1.1489481 [A] 1,3,8,12,21 * equation (1);; figure 2 * DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1489481
		[A] HITOSHI SATO ET AL: "High power and high efficiency green light emitting diode on free-standing semipolar (1122) bulk GaN substrate", PHYSICA STATUS SOLIDI. RAPID RESEARCH LETTERS, WILEY - V C H VERLAG, DE, vol. 1, no. 4, 15 July 2007 (2007-07-15), pages 162 - 164, XP002636795, ISSN: 1862-6254, [retrieved on 20070615], DOI: 10.1002/PSSR.200701098 [A] 1,3,8,12,21 * page 164, column 1, line 6 - line 10 * DOI: http://dx.doi.org/10.1002/pssr.200701098
		[A] TYAGI A ET AL: "Stimulated Emission at Blue-green (480nm) and Green (514nm) Wavelentghs from Nonpolar (m-plane) and Semipolar (1122) InGaN Multiple Quantum Well Laser Diode Structures", APPLIED PHYSICS EXPRESS, JAPAN SOCIETY OF APPLIED PHYSICS; JP, JP, vol. 1, no. 9, 5 September 2008 (2008-09-05), pages 91103 - 1, XP001516610, ISSN: 1882-0778, DOI: 10.1143/APEX.1.091103 [A] 1,21 * pages 091103-2, column 2, line 40 - line 41 * DOI: http://dx.doi.org/10.1143/APEX.1.091103

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