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Neue Version des Europäischen Patentregisters – Angaben zu ESZ-Verfahren im Einheitspatentregister.

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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP2599132

EP2599132 - LICHTEMITTIERENDE DIODEN [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusKein Einspruch fristgerecht eingelegt
Status aktualisiert am  22.01.2016
Datenbank zuletzt aktualisiert am 04.11.2024
Letztes Ereignis   Tooltip12.10.2018Erlöschen des Patents in einem Vertragsstaat
Neue Staaten: AL
veröffentlicht am 14.11.2018  [2018/46]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Seren Photonics Limited
The Enterprise Centre
Bryn Road
Bridgend CF32 9BS / GB
[2013/23]
Erfinder01 / WANG, Tao
58 Muskoka Drive
Bents Green Sheffield S11 7RJ / GB
 [2013/23]
VertreterWilson, Alan Stuart
Barker Brettell LLP
Medina Chambers
Town Quay
Southampton SO14 2AQ / GB
[2015/12]
Frühere [2013/23]Wilson, Alan Stuart
Barker Brettell LLP
Medina Chambers Town Quay
Southhampton, Hampshire SO14 2AQ / GB
Anmeldenummer, Anmeldetag11749220.725.07.2011
WO2011GB51407
Prioritätsnummer, PrioritätstagGB2010001248326.07.2010         Ursprünglich veröffentlichtes Format: GB 201012483
[2013/23]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht
Nr.:WO2012013965
Datum:02.02.2012
Sprache:EN
[2012/05]
Art: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht 
Nr.:EP2599132
Datum:05.06.2013
Sprache:EN
Die von der WIPO am 02.02.2012 in einer EPA-Amtssprache veröffentlichte Anmeldung tritt an die Stelle der Veröffentlichung der europäischen Patentanmeldung.
[2013/23]
Art: B1 Patentschrift 
Nr.:EP2599132
Datum:18.03.2015
Sprache:EN
[2015/12]
Recherchenbericht(e)Internationaler Recherchenbericht - veröffentlicht am:EP02.02.2012
KlassifikationIPC:H01L33/00, H01L33/08, H01L21/30, H01L33/32
[2013/23]
CPC:
H01L33/0075 (EP,US); H01L33/00 (KR); H01L21/3006 (EP,US);
H01L33/0095 (EP,US); H01L33/08 (EP,US); H01L33/20 (KR);
H01L33/32 (EP,KR,US) (-)
Benannte VertragsstaatenAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2013/23]
ErstreckungsstaatenBANoch nicht entrichtet
MENoch nicht entrichtet
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:LICHTEMITTIERENDE DIODEN[2013/23]
Englisch:LIGHT EMITTING DIODES[2013/23]
Französisch:DIODES ÉLECTROLUMINESCENTES[2013/23]
Eintritt in die regionale Phase25.01.2013Nationale Grundgebühr entrichtet 
25.01.2013Benennungsgebühr(en) entrichtet 
25.01.2013Prüfungsgebühr entrichtet 
Prüfungsverfahren25.01.2013Prüfungsantrag gestellt  [2013/23]
05.09.2013Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
06.11.2013Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06)
09.05.2014Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
04.07.2014Ankündigung der Patenterteilung
03.11.2014Nichteinverständnis des Anmelders mit der Mitteilung über die beabsichtigte Erteilung eines Patents oder Wiederaufnahme des Prüfungsverfahrens durch das EPA
19.01.2015Ankündigung der Patenterteilung
30.01.2015Erteilungsgebühr entrichtet
30.01.2015Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
30.01.2015Eingang der Übersetzungen des Patentanspruchs/der Patentansprüche
Teilanmeldung(en)Das Datum des ersten Bescheids der Prüfungsabteilung zu der frühesten Anmeldung, zu der ein Bescheid ergangen ist , ist  06.11.2013
Einspruch (Einsprüche)21.12.2015Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2016/08]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
19.07.2013Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
28.07.2014Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Erlöschen während des Einspruchsverfahrens  TooltipHU25.07.2011
AL18.03.2015
AT18.03.2015
BE18.03.2015
BG18.03.2015
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DK18.03.2015
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Frühere [2015/35]LT18.03.2015
NO18.06.2015
Angeführt inInternationale Recherche[XA]US2009026476  (TAZIMA MIKIO [JP], et al) [X] 13-17 * paragraph [0038] - paragraph [0048]; figures 3a-9 * [A] 1-8;
 [XY]US2010120237  (TANAKA SHINICHI [JP], et al) [X] 9,12 * paragraphs [0004] , [0005] , [0019] - [0022] - [0028] , [0030]; figures 3a-4 * [Y] 10,11;
 [Y]DE19652471  (INST OBERFLAECHENMODIFIZIERUNG [DE]) [Y] 10,11 * page 1, line 10 - line 40 *;
 [Y]CA2024134  (AMERICAN TELEPHONE & TELEGRAPH [US]) [Y] 10,11 * page 1, line 30 - page 2, line 10; claim 1 *;
 [XI]  - CHIU C H ET AL, "Fabrication of InGaN/GaN nanorod light-emitting diodes with self-assembled Ni metal islands", NANOTECHNOLOGY, IOP, BRISTOL, GB, (20071107), vol. 18, no. 44, ISSN 0957-4484, page 445201, XP020129422 [X] 1-3,7,8,13-17 * page 2, column 1; figure 1 * [I] 4-6
 [A]  - CHAO C ET AL, "Freestanding high quality GaN substrate by associated GaN nanorods self-separated hydride vapor-phase epitaxy", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (20090804), vol. 95, no. 5, doi:10.1063/1.3195684, ISSN 0003-6951, pages 1 - 3, XP012122531 [A] 1 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.3195684
 [A]  - I. ADESIDA ET AL, "Dry and Wet Etching for Group III - Nitrides", MRS PROCEEDINGS, (19980101), vol. 537, doi:10.1557/PROC-537-G1.4, ISSN 0272-9172, page 11PP, XP055010355 [A] 1 * the whole document *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1557/PROC-537-G1.4
vom AnmelderWO2010GB50992
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