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EP2631913
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Auszug aus dem europäischen Patentregister
EP Übersicht: EP2631913
| EP2631913 - Feldeffekttransistor mit magnetischer Schicht [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Anmeldung gilt als zurückgenommen Status aktualisiert am 04.05.2018 Datenbank zuletzt aktualisiert am 20.09.2024 | |
| Frühere | Anmeldung veröffentlicht Status aktualisiert am 28.01.2018 | Letztes Ereignis Tooltip | 04.05.2018 | Anmeldung gilt als zurückgenommen | veröffentlicht am 06.06.2018 [2018/23] | Anmelder | Für alle benannten Staaten Hitachi, Ltd. 6-6, Marunouchi 1-chome Chiyoda-ku Tokyo / JP | [N/P] |
| Frühere [2013/35] | Für alle benannten Staaten Hitachi Ltd. 6-6 Marunouchi 1-chome, Chiyoda-ku Tokyo / JP | Erfinder | 01 /
Wunderlich, Joerg Hitachi Cambridge Laboratory Cavendish Laboratory JJ Thompson Avenue Cambridge Cambridgeshire CB3 0HE / GB | 02 /
Ferguson, Andrew Microelectronics Research Centre Cavendish Laboratory JJ Thompson Avenue Cambridge Cambridgeshire CB3 0HE / GB | 03 /
Jungwirth, Tomas Institute of Physics ASCR Cukrovarnicka 10 162 53 Praha 6 / CZ | 04 /
Chiara, Chiccarelli Microelectronics Research Centre Cavendish Laboratory JJ Thompson Avenue Cambridge Cambridgeshire CB3 0HE / GB | [2013/35] | Vertreter | Piotrowicz, Pawel Jan Andrzej, et al Venner Shipley LLP 406 Science Park Milton Road Cambridge CB4 0WW / GB | [N/P] |
| Frühere [2013/35] | Piotrowicz, Pawel Jan Andrzej, et al Venner Shipley LLP Byron House Cambridge Business Park Cowley Road Cambridge CB4 0WZ / GB | Anmeldenummer, Anmeldetag | 12172627.7 | 19.06.2012 | [2013/35] | Prioritätsnummer, Prioritätstag | EP20120157109 | 27.02.2012 Ursprünglich veröffentlichtes Format: EP 12157109 | EP20120157773 | 01.03.2012 Ursprünglich veröffentlichtes Format: EP 12157773 | [2013/35] | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht | Nr.: | EP2631913 | Datum: | 28.08.2013 | Sprache: | EN | [2013/35] | Klassifikation | IPC: | G11C11/16, H01F10/32, H01L29/66, H01L43/08, H01L27/22, H01L43/00 | [2017/33] | CPC: |
G11C11/161 (EP);
H01L29/66984 (EP);
H10N50/00 (EP);
H10N50/20 (US)
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| Frühere IPC [2013/35] | G11C11/16, H01F10/32, H01L29/66, H01L43/08, H01L27/22 | Benannte Vertragsstaaten | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR [2013/35] | Erstreckungsstaaten | BA | Noch nicht entrichtet | ME | Noch nicht entrichtet | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | Feldeffekttransistor mit magnetischer Schicht | [2013/35] | Englisch: | Field-effect transistor with magnetic layer | [2013/35] | Französisch: | Transistor à effet de champ avec une couche magnetique | [2013/35] | Prüfungsverfahren | 03.01.2018 | Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit [2018/23] | 29.01.2018 | Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Jahresgebühr nicht fristgerecht entrichtet [2018/23] | Entrichtete Gebühren | Jahresgebühr | 31.03.2014 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03 | 17.06.2015 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04 | 29.06.2016 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05 | Zuschlagsgebühr | Zuschlagsgebühr zur Jahresgebühr | 30.06.2017 | 06 M06 Noch nicht entrichtet |
| Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
| Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführt in | vom Anmelder | US5652445 | EP1830410 |