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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP2884547

EP2884547 - Verfahren zur Herstellung eines Fotodetektors [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusKein Einspruch fristgerecht eingelegt
Status aktualisiert am  15.09.2017
Datenbank zuletzt aktualisiert am 17.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip17.07.2020Erlöschen des Patents in einem Vertragsstaat
Neue Staaten: AL		veröffentlicht am 19.08.2020  [2020/34]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Commissariat à l'Energie Atomique et aux Energies Alternatives
Bâtiment "Le Ponant D"
25, rue Leblanc
75015 Paris / FR
[2015/25]
Erfinder01 / Hartmann, Jean-Michel
34. Cité Le Pruney
38420 Le Versoud / FR
02 / Bogumilowicz, Yann
24 bis rue Mallifaud
38100 Grenoble / FR
03 / Fedeli, Jean-Marc
2 boulevard de Jomardière
38120 Saint-Egrève / FR
 [2015/25]
VertreterTalbot, Alexandre, et al
Cabinet Hecké
28 Cours Jean Jaurès
38000 Grenoble / FR
[N/P]
Frühere [2015/25]Talbot, Alexandre, et al
Cabinet Hecké
Europole
10, rue d'Arménie - BP 1537
38025 Grenoble Cedex 1 / FR
Anmeldenummer, Anmeldetag14197696.912.12.2014
[2015/25]
Prioritätsnummer, PrioritätstagFR2013000293413.12.2013         Ursprünglich veröffentlichtes Format: FR 1302934
[2015/25]
AnmeldespracheFR
VerfahrensspracheFR
VeröffentlichungArt: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht 
Nr.:EP2884547
Datum:17.06.2015
Sprache:FR
[2015/25]
Art: B1 Patentschrift 
Nr.:EP2884547
Datum:09.11.2016
Sprache:FR
[2016/45]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP15.04.2015
KlassifikationIPC:H01L31/105, H01L31/18, G02B6/42, G02B6/12
[2016/28]
CPC:
H01L31/1804 (EP,US); G02B6/12004 (EP,US); H01L31/105 (EP,US);
Y02E10/547 (US); Y02P70/50 (EP,US)
Frühere IPC [2015/25]H01L31/105, G02B6/42
Benannte VertragsstaatenAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2016/04]
Frühere [2015/25]AL,  AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HR,  HU,  IE,  IS,  IT,  LI,  LT,  LU,  LV,  MC,  MK,  MT,  NL,  NO,  PL,  PT,  RO,  RS,  SE,  SI,  SK,  SM,  TR 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Verfahren zur Herstellung eines Fotodetektors[2015/25]
Englisch:Method for manufacturing a photodetector[2015/25]
Französisch:Procédé de fabrication d'un photo-détecteur.[2015/25]
Prüfungsverfahren16.12.2015Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
16.12.2015Prüfungsantrag gestellt  [2016/04]
23.06.2016Ankündigung der Patenterteilung
30.09.2016Erteilungsgebühr entrichtet
30.09.2016Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
30.09.2016Eingang der Übersetzungen des Patentanspruchs/der Patentansprüche
Einspruch (Einsprüche)10.08.2017Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2017/42]
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts		 Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Erlöschen während des Einspruchsverfahrens  TooltipHU12.12.2014
AL09.11.2016
AT09.11.2016
CY09.11.2016
CZ09.11.2016
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NO09.02.2017
GR10.02.2017
IS09.03.2017
PT09.03.2017
[2020/34]
Frühere [2018/45]HU12.12.2014
AT09.11.2016
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Frühere [2017/12]LV09.11.2016
Angeführte Dokumente:Recherche[A]US2007104441  (AHN DONGHWAN [US], et al) [A] 1-7 * abstract * * page 4, paragraph 30 - page 5, paragraph 39 * * figures 1-3 *;
 [A]US2011012221  (FUJIKATA JUNICHI [JP], et al) [A] 1-7 * page 12, paragraph 195 - page 16, paragraph 254 * * figures 7,8 *;
 [A]US2012126286  (NA YUN-CHUNG N [US], et al) [A] 1-7* figure 1 *;
 [AD]  - REN S ET AL, "Thin Dielectric Spacer for the Monolithic Integration of Bulk Germanium or Germanium Quantum Wells With Silicon-on-Insulator Waveguides", IEEE PHOTONICS JOURNAL, IEEE, USA, (201108), vol. 3, no. 4, doi:10.1109/JPHOT.2011.2162644, ISSN 1943-0655, pages 739 - 747, XP011485120 [AD] 1-7 * page 741, paragraph 3 * * page 744, paragraphs 3,4 * * figures 1e,1f,4 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1109/JPHOT.2011.2162644
vom Anmelder   - DE REN ET AL., "Thin Dielectric Spacer for the Monolithic Integration of Bulk Germanium or Germanium Quantum Wells With Silicon-on-Insulator Waveguides", IEEE PHOTONICS JOURNAL, (2011), vol. 3, no. 4, doi:doi:10.1109/JPHOT.2011.2162644, page 739, XP011485120

DOI:   http://dx.doi.org/10.1109/JPHOT.2011.2162644
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