EP3026694 - SIC HALBLEITERBAUELEMENT UND SEINE HERSTELLUNGSVERFAHREN [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Anmeldung zurückgenommen Status aktualisiert am 30.12.2018 Datenbank zuletzt aktualisiert am 18.11.2024 | |
Frühere | Prüfungsverfahren läuft Status aktualisiert am 07.09.2018 | Letztes Ereignis Tooltip | 30.12.2018 | Zurücknahme der Anmeldung | veröffentlicht am 30.01.2019 [2019/05] | Anmelder | Für alle benannten Staaten Kabushiki Kaisha Toshiba 1-1, Shibaura 1-Chome Minato-Ku Tokyo 105-8001 / JP | [2016/22] | Erfinder | 01 /
NISHIO, Johji c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 02 /
SHIMIZU, Tatsuo c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 03 /
IIJIMA, Ryosuke c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 04 /
OHASHI, Teruyuki c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 05 /
TAKAO, Kazuto c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 06 /
SHINOHE, Takashi c/o Toshiba Research Consulting Corporation 1, Komukai Toshiba-cho Saiwai-ku, Kawasaki Kanagawa 212-8582 / JP | [2016/22] | Vertreter | Moreland, David, et al Marks & Clerk LLP The Beacon 176 St Vincent Street Glasgow G2 5SG / GB | [N/P] |
Frühere [2016/22] | Moreland, David, et al Marks & Clerk LLP Aurora 120 Bothwell Street Glasgow G2 7JS / GB | Anmeldenummer, Anmeldetag | 15176154.1 | 09.07.2015 | [2016/22] | Prioritätsnummer, Prioritätstag | JP20140239332 | 26.11.2014 Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 2014239332 | [2016/22] | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A1 Anmeldung mit Recherchenbericht | Nr.: | EP3026694 | Datum: | 01.06.2016 | Sprache: | EN | [2016/22] | Recherchenbericht(e) | (Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am: | EP | 23.03.2016 | Klassifikation | IPC: | H01L21/329, H01L29/861, H01L29/32, H01L29/24 | [2016/22] | CPC: |
H01L29/1608 (EP,US);
H01L29/868 (US);
H01L21/046 (US);
H01L29/32 (EP,US);
H01L29/6606 (EP,US);
H01L29/8611 (EP,US);
| Benannte Vertragsstaaten | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR [2016/22] | Erstreckungsstaaten | BA | Noch nicht entrichtet | ME | Noch nicht entrichtet | Validierungsstaat(en) | MA | Noch nicht entrichtet | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | SIC HALBLEITERBAUELEMENT UND SEINE HERSTELLUNGSVERFAHREN | [2016/22] | Englisch: | SIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHODS | [2016/22] | Französisch: | DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN SIC ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION | [2016/22] | Prüfungsverfahren | 09.07.2015 | Prüfungsantrag gestellt [2016/22] | 01.12.2016 | Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung) | 07.09.2018 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04) | 20.12.2018 | Anmeldung vom Anmelder zurückgenommen [2019/05] | Entrichtete Gebühren | Jahresgebühr | 12.07.2017 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03 | 11.07.2018 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04 |
Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführte Dokumente: | Recherche | [XA]EP1883102 (CENTRAL RES INST ELECT [JP]); | [A]US2011018005 (NAKANO YUKI [JP]); | [A]US2014070230 (O'LOUGHLIN MICHAEL JOHN [US], et al); | Prüfung | US2012223333 |