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EP3437137
Europäisches Verfahren
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Auszug aus dem europäischen Patentregister
EP Übersicht: EP3437137
| EP3437137 - INDIUMHALTIGE FLOSSE EINES TRANSISTORS MIT EINEM INDIUMREICHEN KERN [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Anmeldung zurückgenommen Status aktualisiert am 05.02.2021 Datenbank zuletzt aktualisiert am 04.11.2024 | |
| Frühere | Prüfungsantrag gestellt Status aktualisiert am 04.01.2019 | ||
| Frühere | Veröffentlichung bereits erfolgt Status aktualisiert am 07.10.2017 | Letztes Ereignis Tooltip | 05.02.2021 | Zurücknahme der Anmeldung | veröffentlicht am 10.03.2021 [2021/10] | Anmelder | Für alle benannten Staaten INTEL Corporation 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 / US | [2019/06] | Erfinder | 01 /
MOHAPATRA, Chandra S. 150 NE 57th Avenue Hillsboro, Oregon 97124 / US | 02 /
GLASS, Glenn A. 5009 NW 124th Avenue Portland, Oregon 97229 / US | 03 /
KENNEL, Harold W. 7320 SW Hunt Club Drive Portland, Oregon 97223 / US | 04 /
MURTHY, Anand S. 10934 NW Lucerne Court Portland, Oregon 97229 / US | 05 /
RACHMADY, Willy 10945 SW Nutcracker Court Beaverton, Oregon 97007 / US | 06 /
DEWEY, Gilbert 15530 NW Norwich Street Beaverton, Oregon 97006 / US | 07 /
MA, Sean T. 3304 SW Scholls Ferry Road Portland, Oregon 97221 / US | 08 /
METZ, Matthew V. 18860 NW Aurora Place Portland, Oregon 97229 / US | 09 /
KAVALIEROS, Jack T. 3734 NW Bronson Crest Loop Portland, Oregon 97229 / US | 10 /
GHANI, Tahir 14191 NW Stonebridge Drive Portland, Oregon 97229 / US | [2019/06] | Vertreter | HGF HGF Limited 1 City Walk Leeds LS11 9DX / GB | [N/P] |
| Frühere [2019/06] | HGF Limited Fountain Precinct Balm Green Sheffield S1 2JA / GB | Anmeldenummer, Anmeldetag | 16897413.7 | 01.04.2016 | [2019/06] | WO2016US25729 | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A1 Anmeldung mit Recherchenbericht | Nr.: | WO2017171875 | Datum: | 05.10.2017 | Sprache: | EN | [2017/40] | Art: | A1 Anmeldung mit Recherchenbericht | Nr.: | EP3437137 | Datum: | 06.02.2019 | Sprache: | EN | Die von der WIPO am 05.10.2017 in einer EPA-Amtssprache veröffentlichte Anmeldung tritt an die Stelle der Veröffentlichung der europäischen Patentanmeldung. | [2019/06] | Recherchenbericht(e) | Internationaler Recherchenbericht - veröffentlicht am: | KR | 05.10.2017 | (Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am: | EP | 24.10.2019 | Klassifikation | IPC: | H01L29/78, H01L21/336 | [2019/06] | CPC: |
H01L29/785 (EP,US);
H01L29/41791 (US);
H01L27/0924 (EP);
H01L27/1211 (EP);
H01L29/1054 (EP);
H01L29/201 (US);
| Benannte Vertragsstaaten | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR [2019/06] | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | INDIUMHALTIGE FLOSSE EINES TRANSISTORS MIT EINEM INDIUMREICHEN KERN | [2019/06] | Englisch: | AN INDIUM-CONTAINING FIN OF A TRANSISTOR DEVICE WITH AN INDIUM-RICH CORE | [2019/06] | Französisch: | AILETTE CONTENANT DE L'INDIUM D'UN DISPOSITIF DE TRANSISTOR À C UR RICHE EN INDIUM | [2019/06] | Eintritt in die regionale Phase | 05.09.2018 | Nationale Grundgebühr entrichtet | 05.09.2018 | Recherchengebühr entrichtet | 05.09.2018 | Benennungsgebühr(en) entrichtet | 05.09.2018 | Prüfungsgebühr entrichtet | Prüfungsverfahren | gelöscht | Datum, an dem die Prüfungsabteilung zuständig geworden ist | 05.09.2018 | Prüfungsantrag gestellt [2019/06] | 21.05.2020 | Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung) | 01.02.2021 | Anmeldung vom Anmelder zurückgenommen [2021/10] | Entrichtete Gebühren | Jahresgebühr | 05.09.2018 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03 | 15.04.2019 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04 | 31.03.2020 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05 |
| Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
| Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführte Dokumente: | Recherche | [A]US8836016 (WU CHENG-HSIEN [TW], et al) [A] 1-15* figure 6 *; | [XI]US2014284726 (LEE YI-JING [TW], et al) [X] 1,2,7 * paragraph [0040]; figure 1 * [I] 3-6,8-15; | [A] - WALDRON NIAMH ET AL, "Replacement fin processing for III-V on Si: From FinFets to nanowires", SOLID STATE ELECTRONICS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, BARKING, GB, (20151023), vol. 115, doi:10.1016/J.SSE.2015.09.020, ISSN 0038-1101, pages 81 - 91, XP029309681 [A] 1-15 * figures 9, 10 * DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.09.020 | Internationale Recherche | [A]US2014302658 (ADAM THOMAS N [US], et al) [A] 1-21 * See abstract, paragraphs [0041]-[0046] and figures 6A-7. *; | [A]US2015137266 (HUANG YU-LIEN [TW], et al) [A] 1-21 * See abstract, paragraph [0030] and figure 5B. *; | [A]WO2015147858 (INTEL CORP [US]) [A] 1-21 * See abstract, paragraphs [0080]-[0083] and figures 18A-19. *; | [A]KR20150116771 (SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD [KR], et al) [A] 1-21* See abstract, paragraphs [0049]-[0055] and figures 2a-3c. *; | [A]WO2016043769 (INTEL CORP [US], et al) [A] 1-21 * See abstract, page 5, lines 6-20 and figure 7. * |