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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP3469120

EP3469120 - HOCHOHMIGE MONOKRISTALLINE SILICIUMBARREN UND WAFER MIT VERBESSERTER MECHANISCHER FESTIGKEIT [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusKein Einspruch fristgerecht eingelegt
Status aktualisiert am  09.12.2022
Datenbank zuletzt aktualisiert am 07.10.2024
FrüherePatent erteilt
Status aktualisiert am  31.12.2021
FrühereErteilung des Patents vorgesehen
Status aktualisiert am  23.08.2021
FrüherePrüfungsverfahren läuft
Status aktualisiert am  16.03.2020
FrüherePrüfungsantrag gestellt
Status aktualisiert am  15.03.2019
FrühereVeröffentlichung bereits erfolgt
Status aktualisiert am  16.12.2017
Frühereunbekannt
Status aktualisiert am  22.06.2017
Letztes Ereignis   Tooltip27.09.2024Erlöschen des Patents in einem Vertragsstaat
Neue Staaten: MT		veröffentlicht am 30.10.2024 [2024/44]
AnmelderFür alle benannten Staaten
GlobalWafers Co., Ltd.
No. 8 Industrial East Road 2
Science-Based Industrial Park
Hsinchu, Taiwan / TW
[2019/16]
Erfinder01 / BASAK, Soubir
501 Pearl Drive
St. Peters Missouri 63376 / US
02 / PEIDOUS, Igor
501 Pearl Drive
St. Peters Missouri 63376 / US
03 / HUDSON, Carissima Marie
501 Pearl Drive
St. Peters Missouri 63376 / US
04 / LEE, HyungMin
501 Pearl Drive
St. Peters Missouri 63376 / US
05 / KIM, ByungChun
501 Pearl Drive
St. Peters Missouri 63376 / US
06 / FALSTER, Robert J.
501 Pearl Drive
St. Peters Missouri 63376 / US
 [2019/16]
VertreterParchmann, Stefanie
Maiwald GmbH
Elisenhof
Elisenstraße 3
80335 München / DE
[N/P]
Frühere [2019/16]Parchmann, Stefanie
Maiwald Patentanwalts- und
Rechtsanwaltsgesellschaft mbH
Elisenhof
Elisenstraße 3
80335 München / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag17729735.506.06.2017
[2019/16]
WO2017US36061
Prioritätsnummer, PrioritätstagUS201662347143P08.06.2016         Ursprünglich veröffentlichtes Format: US 201662347143 P
US201662347145P08.06.2016         Ursprünglich veröffentlichtes Format: US 201662347145 P
[2019/16]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht
Nr.:WO2017214084
Datum:14.12.2017
Sprache:EN
[2017/50]
Art: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht 
Nr.:EP3469120
Datum:17.04.2019
Sprache:EN
Die von der WIPO am 14.12.2017 in einer EPA-Amtssprache veröffentlichte Anmeldung tritt an die Stelle der Veröffentlichung der europäischen Patentanmeldung.
[2019/16]
Art: B1 Patentschrift 
Nr.:EP3469120
Datum:02.02.2022
Sprache:EN
[2022/05]
Recherchenbericht(e)Internationaler Recherchenbericht - veröffentlicht am:EP14.12.2017
KlassifikationIPC:C30B29/06, C30B15/30
[2019/16]
CPC:
C30B29/06 (EP,CN,KR,US); C30B15/007 (US); C30B15/10 (US);
C30B15/30 (CN); C30B15/305 (EP,KR,US); C30B30/04 (CN);
H01L21/02005 (US); H01L21/02123 (US); H01L21/28167 (US);
H01L31/0288 (CN) (-)
Benannte VertragsstaatenAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2019/16]
ErstreckungsstaatenBANoch nicht entrichtet
MENoch nicht entrichtet
Validierungsstaat(en)MANoch nicht entrichtet
MDNoch nicht entrichtet
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:HOCHOHMIGE MONOKRISTALLINE SILICIUMBARREN UND WAFER MIT VERBESSERTER MECHANISCHER FESTIGKEIT[2019/16]
Englisch:HIGH RESISTIVITY SINGLE CRYSTAL SILICON INGOT AND WAFER HAVING IMPROVED MECHANICAL STRENGTH[2019/16]
Französisch:LINGOT ET PLAQUETTE DE SILICIUM MONOCRISTALLIN À RÉSISTIVITÉ ÉLEVÉE PRÉSENTANT UNE RÉSISTANCE MÉCANIQUE AMÉLIORÉE[2019/16]
Eintritt in die regionale Phase04.12.2018Nationale Grundgebühr entrichtet 
04.12.2018Benennungsgebühr(en) entrichtet 
04.12.2018Prüfungsgebühr entrichtet 
Prüfungsverfahren04.12.2018Prüfungsantrag gestellt  [2019/16]
04.12.2018Datum, an dem die Prüfungsabteilung zuständig geworden ist
17.06.2019Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
19.03.2020Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
07.07.2020Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
05.11.2020Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
19.02.2021Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
24.08.2021Ankündigung der Patenterteilung
20.12.2021Erteilungsgebühr entrichtet
20.12.2021Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
20.12.2021Eingang der Übersetzungen des Patentanspruchs/der Patentansprüche
Teilanmeldung(en)EP21217094.8  / EP3995608
Einspruch (Einsprüche)03.11.2022Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2023/02]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
27.06.2019Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
29.06.2020Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
28.06.2021Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts		 Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Erlöschen während des Einspruchsverfahrens  TooltipHU06.06.2017
AL02.02.2022
AT02.02.2022
CY02.02.2022
CZ02.02.2022
DK02.02.2022
EE02.02.2022
ES02.02.2022
FI02.02.2022
HR02.02.2022
IT02.02.2022
LT02.02.2022
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MC02.02.2022
MK02.02.2022
MT02.02.2022
NL02.02.2022
PL02.02.2022
RO02.02.2022
RS02.02.2022
SE02.02.2022
SI02.02.2022
SK02.02.2022
SM02.02.2022
TR02.02.2022
BG02.05.2022
NO02.05.2022
GR03.05.2022
IS02.06.2022
PT02.06.2022
GB06.06.2022
IE06.06.2022
LU06.06.2022
BE30.06.2022
CH30.06.2022
LI30.06.2022
[2024/44]
Frühere [2024/29]HU06.06.2017
AL02.02.2022
AT02.02.2022
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IT02.02.2022
LT02.02.2022
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MC02.02.2022
MK02.02.2022
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RS02.02.2022
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NO02.05.2022
GR03.05.2022
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