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Neue Version des Europäischen Patentregisters – Angaben zu ESZ-Verfahren im Einheitspatentregister.

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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP3844318

EP3844318 - VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILICIUM- UND STICKSTOFFHALTIGEN SCHICHTEN [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusPrüfungsverfahren läuft
Status aktualisiert am  17.11.2023
Datenbank zuletzt aktualisiert am 17.09.2024
FrüherePrüfungsantrag gestellt
Status aktualisiert am  04.06.2021
FrühereVeröffentlichung bereits erfolgt
Status aktualisiert am  11.04.2020
Letztes Ereignis   Tooltip13.09.2024Neuer Eintrag: Jahresgebühr entrichtet 
AnmelderFür alle benannten Staaten
Versum Materials US, LLC
8555 S. River Parkway
Tempe, AZ 85284 / US
[2021/27]
Erfinder01 / LEI, Xinjian
8555 S. River Parkway
Tempe, AZ 85284 / US
02 / KIM, Moo-sung
8555 S. River Parkway
Tempe, AZ 85284 / US
03 / LEE, Se-won
8555 S. River Parkway
Tempe, AZ 85284 / US
 [2021/27]
VertreterSommer, Andrea
Andrea Sommer
Patentanwälte Partnerschaft mbB
Uhlandstraße 2
80336 München / DE
[N/P]
Frühere [2021/27]Sommer, Andrea
Andrea Sommer
Patentanwälte PartG mbB
Uhlandstraße 2
80336 München / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag19869361.602.10.2019
[2021/27]
WO2019US54268
Prioritätsnummer, PrioritätstagUS201862740478P03.10.2018         Ursprünglich veröffentlichtes Format: US 201862740478 P
[2021/27]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht
Nr.:WO2020072625
Datum:09.04.2020
Sprache:EN
[2020/15]
Art: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht 
Nr.:EP3844318
Datum:07.07.2021
Sprache:EN
Die von der WIPO am 09.04.2020 in einer EPA-Amtssprache veröffentlichte Anmeldung tritt an die Stelle der Veröffentlichung der europäischen Patentanmeldung.
[2021/27]
Recherchenbericht(e)Internationaler Recherchenbericht - veröffentlicht am:KR09.04.2020
(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP04.05.2022
KlassifikationIPC:H01L21/02, C23C16/455, C23C16/34, C23C16/56, C23C16/36, C23C16/505, C07F7/12
[2022/22]
CPC:
H01L21/0228 (EP,KR,US); C23C16/45553 (EP,KR,US); C07F7/12 (EP,KR);
C23C16/308 (US); C23C16/345 (EP,KR,US); C23C16/36 (EP,US);
C23C16/45531 (EP,US); C23C16/45536 (KR); C23C16/45542 (EP,US);
C23C16/505 (EP,US); C23C16/56 (EP,KR,US); H01L21/02126 (EP);
H01L21/0214 (EP,US); H01L21/02167 (EP); H01L21/0217 (EP,KR,US);
H01L21/02208 (US); H01L21/02211 (EP); H01L21/02219 (KR);
H01L21/02274 (EP); H01L21/02326 (EP,US); H01L21/0234 (EP,US);
H01L21/02348 (US) (-)
Frühere IPC [2021/27]C23C16/455, C23C16/34, C23C16/56, H01L21/02, C07F7/12
Benannte VertragsstaatenAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2021/27]
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG VON SILICIUM- UND STICKSTOFFHALTIGEN SCHICHTEN[2021/27]
Englisch:METHODS FOR MAKING SILICON AND NITROGEN CONTAINING FILMS[2021/27]
Französisch:PROCÉDÉS DE FABRICATION DE FILMS CONTENANT DU SILICIUM ET DE L'AZOTE[2021/27]
Eintritt in die regionale Phase31.03.2021Nationale Grundgebühr entrichtet 
31.03.2021Recherchengebühr entrichtet 
31.03.2021Benennungsgebühr(en) entrichtet 
31.03.2021Prüfungsgebühr entrichtet 
Prüfungsverfahren31.03.2021Prüfungsantrag gestellt  [2021/27]
03.06.2022Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
17.11.2023Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
15.03.2024Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
Entrichtete GebührenJahresgebühr
29.09.2021Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
15.09.2022Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
13.09.2023Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
12.09.2024Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[XAY]KR20180010994  (DNF CO LTD [KR]);
 [XYI]US2018033614  (CHANDRA HARIPIN [US], et al);
 US2019249296  [ ] (JANG SE JIN [KR], et al)
Internationale Recherche[X]US2011256734  (HAUSMANN DENNIS M [US], et al) [X] 8-12,23-24;
 [X]US2013078376  (HIGASHINO KATSUKO [US], et al)[X] 23-24;
 [YX]WO2016149541  (APPLIED MATERIALS INC [US]) [Y] 18-20 [X] 23-24;
 [YX]US2018033614  (CHANDRA HARIPIN [US], et al) [Y] 1-7,13-20,22 [X] 21,23-24;
 [YX]KR20180034581  (VERSUM MAT US LLC [US]) [Y] 1-7,13-20,22 [X] 23-24
vom AnmelderUS5069244
 JP2000100812
 US6077356
 US6355582
 US7334595
 US2009155606
 KR20180010994
 US2018033614
 WO2018057677
 WO2018063907
 US9984868
 US10049882
    - OLSEN, "Analysis of LPCVD Process Conditions for the Deposition of Low Stress Silicon Nitride", Materials Science in Semiconductor Process, (20020000), vol. 5, doi:10.1016/S1369-8001(02)00058-6, page 51, XP004383353

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/S1369-8001(02)00058-6
    - TAYLOR et al., "Hexachlorodisilane as a Precursor in the LPCVD of Silicon Dioxide and Silicon Oxynitride Films", J. Electrochem. Soc., (19890000), vol. 136, page 2382, XP000117260
    - M. TANAKA et al., "Film Properties of Low-k Silicon Nitride Films Formed by Hexachlorodisilane and Ammonia", J. Electrochem. Soc., (20000000), vol. 147, page 2284
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