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Neue Version des Europäischen Patentregisters – Angaben zu ESZ-Verfahren im Einheitspatentregister.

2024-07-24

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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP3920251

EP3920251 - QUANTENPUNKTVORRICHTUNG UND QUANTENPUNKTANZEIGEVORRICHTUNG [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusPrüfungsverfahren läuft
Status aktualisiert am  26.01.2024
Datenbank zuletzt aktualisiert am 04.11.2024
FrüherePrüfungsantrag gestellt
Status aktualisiert am  18.03.2022
FrühereAnmeldung veröffentlicht
Status aktualisiert am  05.11.2021
Letztes Ereignis   Tooltip21.05.2024Neuer Eintrag: Erwiderung auf den Prüfungsbericht 
AnmelderFür alle benannten Staaten
Samsung Electronics Co., Ltd.
129, Samsung-ro
Yeongtong-gu
Suwon-si, Gyeonggi-do 16677 / KR
[N/P]
Frühere [2021/49]Für alle benannten Staaten
Samsung Electronics Co., Ltd.
129, Samsung-ro
Yeongtong-gu
Gyeonggi-do
Suwon-si 16677 / KR
Erfinder01 / CHUNG, Dae Young
Gyeonggi-do / KR
02 / SEO, Hongkyu
Gyeonggi-do / KR
03 / LEE, Yeonkyung
Gyeonggi-do / KR
04 / JANG, Eun Joo
Gyeonggi-do / KR
 [2021/49]
VertreterElkington and Fife LLP
Prospect House
8 Pembroke Road
Sevenoaks, Kent TN13 1XR / GB
[2021/49]
Anmeldenummer, Anmeldetag21172213.705.05.2021
[2021/49]
Prioritätsnummer, PrioritätstagKR2020006661602.06.2020         Ursprünglich veröffentlichtes Format: KR 20200066616
[2021/49]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP3920251
Datum:08.12.2021
Sprache:EN
[2021/49]
Art: A3 Recherchenbericht 
Nr.:EP3920251
Datum:16.03.2022
Sprache:EN
[2022/11]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP14.02.2022
KlassifikationIPC:H01L51/50, H01L51/52, H01L27/32
[2021/49]
CPC:
H10K59/35 (EP); H01L33/04 (KR); H10K50/115 (EP,CN);
H01L33/50 (KR); H10K50/15 (EP,CN); H10K50/17 (EP);
H10K50/852 (EP); H10K59/876 (EP,CN,KR); H10K2102/3026 (EP);
H10K2102/351 (EP); H10K50/16 (EP); H10K50/171 (EP);
H10K50/818 (EP); H10K50/828 (EP); H10K59/80518 (EP,CN,KR);
H10K59/80524 (EP,CN,KR) (-)
Benannte VertragsstaatenAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2022/16]
Frühere [2021/49]AL,  AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HR,  HU,  IE,  IS,  IT,  LI,  LT,  LU,  LV,  MC,  MK,  MT,  NL,  NO,  PL,  PT,  RO,  RS,  SE,  SI,  SK,  SM,  TR 
ErstreckungsstaatenBANoch nicht entrichtet
MENoch nicht entrichtet
Validierungsstaat(en)KHNoch nicht entrichtet
MANoch nicht entrichtet
MDNoch nicht entrichtet
TNNoch nicht entrichtet
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:QUANTENPUNKTVORRICHTUNG UND QUANTENPUNKTANZEIGEVORRICHTUNG[2021/49]
Englisch:QUANTUM DOT DEVICE AND QUANTUM DOT DISPLAY DEVICE[2021/49]
Französisch:DISPOSITIF À POINTS QUANTIQUES ET DISPOSITIF D'AFFICHAGE À POINTS QUANTIQUES[2021/49]
Prüfungsverfahren16.03.2022Änderung durch den Anmelder (Ansprüche und/oder Beschreibung)
16.03.2022Prüfungsantrag gestellt  [2022/16]
16.03.2022Datum, an dem die Prüfungsabteilung zuständig geworden ist
29.01.2024Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
20.05.2024Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
Entrichtete GebührenJahresgebühr
14.03.2023Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
13.03.2024Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[A]CN110400890  (CHANGCHUN INST OPTICS FINE MECH & PHYSICS CAS) [A] 1-14* page 5 - page 11; figures 1,2,7 *;
 [Y]EP3656833  (SAMSUNG DISPLAY CO LTD [KR]) [Y] 13 * paragraphs [0200] , [0203]; figure 3 *;
    [XAYI] - LIU SHIHAO ET AL, "Top-emitting quantum dots light-emitting devices employing microcontact printing with electricfield-independent emission", SCIENTIFIC REPORTS, (20160302), vol. 6, no. 1, doi:10.1038/srep22530, XP055821260 [X] 1,7,9,11,12 * page 1 - page 6; figures 1,3,5; table 1 * [A] 4-6 [Y] 2,3,8,10,13 [I] 14

DOI:   http://dx.doi.org/10.1038/srep22530
 [Y]  - LIU GUOHONG ET AL, "Very Bright and Efficient Microcavity Top-Emitting Quantum Dot Light-Emitting Diodes with Ag Electrodes", APPLIED MATERIALS & INTERFACES, US, (20160624), vol. 8, no. 26, doi:10.1021/acsami.6b03367, ISSN 1944-8244, pages 16768 - 16775, XP055846389 [Y] 2,8 * figure 1; table 1 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1021/acsami.6b03367
 [Y]  - LI DONG ET AL, "Enhanced Efficiency of InP-Based Red Quantum Dot Light-Emitting Diodes", APPLIED MATERIALS & INTERFACES, US, (20190823), vol. 11, no. 37, doi:10.1021/acsami.9b07437, ISSN 1944-8244, pages 34067 - 34075, XP055832908 [Y] 3,10 * page 34068 - page 34069; figures 1b, 2, 4 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1021/acsami.9b07437
 [A]  - WHALEN M. S. ET AL, "Index of refraction of n -type InP at 0.633- and 1.15-[mu]m wavelengths as a function of carrier concentration", JOURNAL OF APPLIED PHYSICS, US, (19820601), vol. 53, no. 6, doi:10.1063/1.331213, ISSN 0021-8979, pages 4340 - 4343, XP055847125 [A] 3 * page 4342 - page 4343; figure 5 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.331213
 [A]  - ZHANG DONG-YAN ET AL, "First-principles simulation and experimental evidence for improvement of transmittance in ZnO films", PROGRESS IN NATURAL SCIENCE, (20120316), vol. 21, no. 1, doi:10.1016/S1002-0071(12)60023-9, ISSN 1002-0071, pages 40 - 45, XP028908243 [A] 3 * page 43 - page 44; figure 5 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/S1002-0071(12)60023-9
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