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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP0163132

EP0163132 - Aus einer sechs-Transistor-Speicherzelle mit zwei CMOS-Invertern bestehende Halbleiter-Speichervorrichtung [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusKein Einspruch fristgerecht eingelegt
Status aktualisiert am  11.01.1990
Datenbank zuletzt aktualisiert am 20.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip11.01.1990Kein Einspruch fristgerecht eingelegtveröffentlicht am 28.02.1990 [1990/09]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Kabushiki Kaisha Toshiba
72, Horikawa-cho, Saiwai-ku Kawasaki-shi
Kanagawa-ken 210-8572 / JP
[N/P]
Frühere [1985/49]Für alle benannten Staaten
KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
72, Horikawa-cho, Saiwai-ku
Kawasaki-shi, Kanagawa-ken 210, Tokyo / JP
Erfinder01 / Masuoka, Fujio c/o Patent Division
K.K. Toshiba 1-1 Shibaura 1-chome
Minato-ku Tokyo 105 / JP
02 / Ochii, Kiyofumi c/o Patent Division
K.K. Toshiba 1-1 Shibaura 1-chome
Minato-ku Tokyo 105 / JP
[1989/11]
Frühere [1985/49]01 / Masuoka, Fujio c/o Patent Division
K.K. toshiba 1-1 Shibaura 1-chome
Minato-ku Tokyo 105 / JP
02 / Ochii, Kiyofumi c/o Patent Division
K.K. toshiba 1-1 Shibaura 1-chome
Minato-ku Tokyo 105 / JP
VertreterLehn, Werner, et al
Hoffmann Eitle, Patent- und Rechtsanwälte, Postfach 81 04 20
81904 München / DE
[N/P]
Frühere [1985/49]Lehn, Werner, Dipl.-Ing., et al
Hoffmann, Eitle & Partner, Patentanwälte, Postfach 81 04 20
D-81904 München / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag85105039.325.04.1985
[1985/49]
Prioritätsnummer, PrioritätstagJP1984008561727.04.1984         Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 8561784
JP1984008561827.04.1984         Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 8561884
JP1984025302630.11.1984         Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 25302684
JP1984025302730.11.1984         Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 25302784
[1985/49]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht 
Nr.:EP0163132
Datum:04.12.1985
Sprache:EN
[1985/49]
Art: B1 Patentschrift 
Nr.:EP0163132
Datum:15.03.1989
Sprache:EN
[1989/11]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP04.09.1985
KlassifikationIPC:H01L27/10, H01L23/52, G11C11/40
[1985/49]
CPC:
H01L23/53271 (EP,US); H10B10/12 (EP,KR,US); H01L21/32155 (KR);
H01L21/76838 (KR); H01L27/092 (KR); H01L2924/0002 (EP,US);
Y10S257/903 (EP,US) (-)
C-Set:
H01L2924/0002, H01L2924/00 (EP,US)
Benannte VertragsstaatenDE,   FR,   GB [1985/49]
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Aus einer sechs-Transistor-Speicherzelle mit zwei CMOS-Invertern bestehende Halbleiter-Speichervorrichtung[1985/49]
Englisch:A semiconductor memory device comprising a matrix of six-transistor memory cells with a pair of CMOS inverters[1989/11]
Französisch:Dispositif de mémoire à semi-conducteur comprenant une cellule de mémoire à six transistors à deux inverseurs CMOS[1985/49]
Frühere [1985/49]A semiconductor memory device comprised of sex-transistor memory cell with a pair of CMOS inverters
Prüfungsverfahren25.04.1985Prüfungsantrag gestellt  [1985/49]
20.08.1987Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06)
12.01.1988Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
01.07.1988Absendung der Ankündigung der Erteilung (Einverständnis: Ja)
31.08.1988Ankündigung der Patenterteilung
21.11.1988Erteilungsgebühr entrichtet
21.11.1988Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
Einspruch (Einsprüche)16.12.1989Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [1990/09]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
15.04.1987Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
15.04.1988Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[Y]JP5661158  ;
 [A]DE3002343  (NIPPON ELECTRIC CO);
 [A]WO8102222  (MOSTEK CORP [US]);
 [Y]EP0098737  (FUJITSU LTD [JP])
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