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EP0177903
Europäisches Verfahren
Auszug aus dem europäischen Patentregister
EP Übersicht: EP0177903
| EP0177903 - Halbleiteranordnung mit monokristalliner Schicht aus Ga-As auf einem Substrat aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Kein Einspruch fristgerecht eingelegt Status aktualisiert am 16.11.1991 Datenbank zuletzt aktualisiert am 10.03.2026 | Letztes Ereignis Tooltip | 16.11.1991 | Kein Einspruch fristgerecht eingelegt | veröffentlicht am 08.01.1992 [1992/02] | Anmelder | Für alle benannten Staaten DAIDOTOKUSHUKO KABUSHIKI KAISHA 66 Aza-Kuridashi Hoshizaki-cho Minami-ku Nagoya-shi Aichi-ken / JP | Für alle benannten Staaten Umeno, Masayoshi 43-2 Nishizato-cho 2-chome Meitoh-ku Nagoya-shi Aichi-ken / JP | [N/P] |
| Frühere [1986/16] | Für alle benannten Staaten DAIDOTOKUSHUKO KABUSHIKI KAISHA 66 Aza-Kuridashi Hoshizaki-cho Minami-ku Nagoya-shi Aichi-ken / JP | ||
| Für alle benannten Staaten Umeno, Masayoshi 43-2 Nishizato-cho 2-chome Meitoh-ku Nagoya-shi Aichi-ken / JP | Erfinder | 01 /
Umeno, Masayoshi 43-2 Nishizato-cho 2-chome Meitoh-ku Nagoya-shi Aichi-ken / JP | 02 /
Sakai, Shiro 128-4 Kawanayama-cho Shohwa-ku Nagoya-shi Aichi-ken / JP | 03 /
Soga, Tetsuo 2-13 Hinode-cho Nakatsugawa-shi Gifu-ken / JP | [1986/16] | Vertreter | Blumbach Weser Bergen Kramer Zwirner Hoffmann Patentanwälte Radeckestrasse 43 81245 München / DE | [N/P] |
| Frühere [1986/16] | Blumbach Weser Bergen Kramer Zwirner Hoffmann Patentanwälte Radeckestrasse 43 D-81245 München / DE | Anmeldenummer, Anmeldetag | 85112542.7 | 03.10.1985 | [1986/16] | Prioritätsnummer, Prioritätstag | JP19840213188 | 09.10.1984 Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 21318884 | [1986/16] | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht | Nr.: | EP0177903 | Datum: | 16.04.1986 | Sprache: | EN | [1986/16] | Art: | A3 Recherchenbericht | Nr.: | EP0177903 | Datum: | 09.09.1987 | Sprache: | EN | [1987/37] | Art: | B1 Patentschrift | Nr.: | EP0177903 | Datum: | 16.01.1991 | Sprache: | EN | [1991/03] | Recherchenbericht(e) | (Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am: | EP | 23.07.1987 | Klassifikation | IPC: | H01L29/167, H01L21/205 | [1986/16] | CPC: |
H10P14/2905 (EP,US);
H10D62/82 (US);
H10P14/24 (EP,US);
H10P14/3211 (EP,US);
H10P14/3218 (EP,US);
H10P14/3221 (EP,US);
| Benannte Vertragsstaaten | DE, FR, GB, NL [1986/16] | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | Halbleiteranordnung mit monokristalliner Schicht aus Ga-As auf einem Substrat aus Silicium und Verfahren zu deren Herstellung | [1986/16] | Englisch: | Semiconductor device having a gallium arsenide crystal layer grown on a silicon substrate and method for producing it | [1986/16] | Französisch: | Dispositif semi-conducteur comportant une couche de Ga-As monocristallin formée sur un substrat en silicium et procédé pour la fabrication de ce dispositif | [1986/16] | Prüfungsverfahren | 12.09.1986 | Prüfungsantrag gestellt [1986/46] | 01.06.1989 | Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04) | 28.09.1989 | Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung | 04.01.1990 | Absendung der Ankündigung der Erteilung (Einverständnis: Ja) | 17.04.1990 | Ankündigung der Patenterteilung | 06.07.1990 | Erteilungsgebühr entrichtet | 06.07.1990 | Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet | Einspruch (Einsprüche) | 17.10.1991 | Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [1992/02] | Entrichtete Gebühren | Jahresgebühr | 17.10.1987 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03 | 19.10.1988 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04 | 14.10.1989 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05 | 16.10.1990 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06 |
| Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
| Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführte Dokumente: | Recherche | [A] JAPANESE JOURNAL OF APPLIED PHYSICS. SUPPLEMENTS 16th INTERNATIONAL CONFERENCE SOLID STATE DEVICES AND MATERIALS, 30th August - 1st September 1984, Kobe, JP, pages 115-119, Tokyo, JP; J.C.C. FAN: "Monolithic integration of GaAs and Si" [A] | [A] APPLIED PHYSICS LETTERS, vol. 43, no. 8, 15th October 1983, pages 759-761, American Institute of Physics, New York, US; R.M. BIEFELD et al.: "Independently variable band gaps and lattice constants in GaAsP strained-layer superlattices" [A] | [XP] ELECTRONICS LETTERS, vol. 20, no. 22, 25th October 1984, page 916-918, Hitchin Herts, GB; T. SOGA et al.: "MOCVD growth of GaAs on Si substrates with AlGaP and strained superlattice layers" [XP] |