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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP0150885

EP0150885 - Halbleitervorrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahles [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusKein Einspruch fristgerecht eingelegt
Status aktualisiert am  24.04.1989
Datenbank zuletzt aktualisiert am 17.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip24.04.1989Kein Einspruch fristgerecht eingelegtveröffentlicht am 14.06.1989 [1989/24]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Koninklijke Philips Electronics N.V.
Groenewoudseweg 1
5621 BA Eindhoven / NL
[N/P]
Frühere [1985/32]Für alle benannten Staaten
Philips Electronics N.V.
Groenewoudseweg 1
NL-5621 BA Eindhoven / NL
Erfinder01 / van der Mast, Karel Diederick
c/o INT. OCTROOIBUREAU B.V. Prof. Holstlaan 6
NL-5656 AA Eindhoven / NL
02 / Hoeberechts, Arthur Marie Eugene
c/o INT. OCTROOIBUREAU B.V. Prof. Holstlaan 6
NL-5656 AA Eindhoven / NL
03 / van Gorkom, Gerardus Gegorius Petrus
c/o INT. OCTROOIBUREAU B.V. Prof. Holstlaan 6
NL-5656 AA Eindhoven / NL
[1985/32]
VertreterRaap, Adriaan Yde, et al
Philips Intellectual Property & Standards P.O. Box 220
5600 AE Eindhoven / NL
[N/P]
Frühere [1985/32]Raap, Adriaan Yde, et al
INTERNATIONAAL OCTROOIBUREAU B.V., Prof. Holstlaan 6
NL-5656 AA Eindhoven / NL
Anmeldenummer, Anmeldetag85200083.528.01.1985
[1985/32]
Prioritätsnummer, PrioritätstagNL1984000029701.02.1984         Ursprünglich veröffentlichtes Format: NL 8400297
[1985/32]
AnmeldespracheNL
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP0150885
Datum:07.08.1985
Sprache:EN
[1985/32]
Art: A3 Recherchenbericht 
Nr.:EP0150885
Datum:28.08.1985
Sprache:EN
[1985/35]
Art: B1 Patentschrift 
Nr.:EP0150885
Datum:29.06.1988
Sprache:EN
[1988/26]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP25.06.1985
KlassifikationIPC:H01J1/30, H01J29/04, H01J37/073
[1985/32]
CPC:
H01J1/308 (EP,US)
Benannte VertragsstaatenAT,   DE,   FR,   GB,   IT,   NL [1985/32]
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Halbleitervorrichtung zur Erzeugung eines Elektronenstrahles[1985/32]
Englisch:Semiconductor device for producing an electron beam[1985/32]
Französisch:Dispositif à semi-conducteur émettant un faisceau d'électrons[1985/32]
Prüfungsverfahren27.02.1986Prüfungsantrag gestellt  [1986/18]
13.10.1986Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M04)
15.01.1987Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
13.02.1987Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M02)
20.03.1987Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
13.07.1987Absendung der Ankündigung der Erteilung (Einverständnis: )
27.10.1987Ankündigung der Patenterteilung
27.01.1988Erteilungsgebühr entrichtet
27.01.1988Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
Einspruch (Einsprüche)30.03.1989Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [1989/24]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
22.01.1987Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
19.01.1988Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[A]JP56160740  ;
 [A]US3581151  (BOYLE WILLARD S, et al);
 [A]US4168213  (HOEBERECHTS ARTHUR M E);
 [A]GB2054959  (PHILIPS NV)
 [A]  - PATENTS ABSTRACTS OF JAPAN, vol. 6, no. 47 (E-99)[925], 26th March 1982, page 12E99; & JP-A-56 160 740 (SONY K.K.) 10-12-1981, & JP56160740 A 00000000
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