-
EP0480780
Europäisches Verfahren
- EP Übersicht
- EP Rechtsstand
- EP Vereinigtes Register
- EP Alle Ereignisse
- EP Angeführte Dokumente
- EP Patentfamilie
- EP Alle Dokumente
Auszug aus dem europäischen Patentregister
EP Übersicht: EP0480780
| EP0480780 - Optoelektronische Vorrichtung und ihre Verwendung zur Herstellung eines Lasers und eines Fotodetektors [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Anmeldung gilt als zurückgenommen Status aktualisiert am 11.07.1994 Datenbank zuletzt aktualisiert am 17.09.2024 | Letztes Ereignis Tooltip | 11.07.1994 | Anmeldung gilt als zurückgenommen | veröffentlicht am 31.08.1994 [1994/35] | Anmelder | Für alle benannten Staaten THOMSON-CSF 173, Boulevard Haussmann 75008 Paris / FR | [N/P] |
| Frühere [1994/07] | Für alle benannten Staaten THOMSON-CSF 173, Boulevard Haussmann F-75008 Paris / FR | ||
| Frühere [1992/16] | Für alle benannten Staaten THOMSON-CSF 173, Boulevard Haussmann F-75008 Paris / FR | Erfinder | 01 /
Razeghi, Manijeh THOMSON-CSF SCPI Cédex 67 F-92045 Paris la Défense / FR | 02 /
Omnes, Franck THOMSON-CSF SCPI Cédex 67 F-92045 Paris la Défense / FR | [1992/16] | Vertreter | Guérin, Michel, et al Marks & Clerk France Conseils en Propriété Industrielle Immeuble Visium 22, Avenue Aristide Briand 94117 Arcueil Cedex / FR | [N/P] |
| Frühere [1992/16] | Guérin, Michel, et al THOMSON-CSF SCPI B.P. 329 50, rue Jean-Pierre Timbaud F-92402 Courbevoie Cédex / FR | Anmeldenummer, Anmeldetag | 91402304.9 | 23.08.1991 | [1992/16] | Prioritätsnummer, Prioritätstag | FR19900010871 | 31.08.1990 Ursprünglich veröffentlichtes Format: FR 9010871 | [1992/16] | Anmeldesprache | FR | Verfahrenssprache | FR | Veröffentlichung | Art: | A1 Anmeldung mit Recherchenbericht | Nr.: | EP0480780 | Datum: | 15.04.1992 | Sprache: | FR | [1992/16] | Recherchenbericht(e) | (Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am: | EP | 31.01.1992 | Klassifikation | IPC: | H01L31/0352, H01L33/00, H01S3/19 | [1992/16] | CPC: |
H01S5/34313 (EP);
B82Y20/00 (EP);
H01L31/0352 (EP);
H01L31/035236 (EP)
| Benannte Vertragsstaaten | DE, GB [1992/16] | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | Optoelektronische Vorrichtung und ihre Verwendung zur Herstellung eines Lasers und eines Fotodetektors | [1992/16] | Englisch: | Optoelectronic device and production of a laser and a photodetector using the same | [1992/16] | Französisch: | Dispositif optoélectronique et application à la réalisation d'un laser et d'un photodétecteur | [1992/16] | Akte vernichtet: | 20.04.2002 | Prüfungsverfahren | 18.05.1992 | Prüfungsantrag gestellt [1992/29] | 01.03.1994 | Anmeldung gilt als zurückgenommen, Datum der Rechtswirksamkeit [1994/35] | 05.04.1994 | Absendung der Mitteilung, wonach die Anmeldung als zurückgenommen gilt. Grund: Jahresgebühr nicht fristgerecht entrichtet [1994/35] | Entrichtete Gebühren | Zuschlagsgebühr | Zuschlagsgebühr zur Jahresgebühr | 31.08.1993 | 03 M06 Noch nicht entrichtet |
| Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
| Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | Angeführte Dokumente: | Recherche | [XP]EP0426419 | [A] - APPLIED PHYSICS LETTERS. vol. 56, no. 23, 4 Juin 1990, NEW YORK, US pages 2293 - 2294; N.K. DUTTA ET AL.: 'Linewidth enhancement factor in strained quantum well lasers' | [A] - APPLIED PHYSICS LETTERS. vol. 53, no. 1, 4 Juillet 1988, NEW YORK, US pages 1 - 3; M. KITIMURA ET AL.: 'High-power operation in InGaAs separate confinement heterostructure quantum well laser diodes' | [A] - APPLIED PHYSICS LETTERS. vol. 47, no. 7, Octobre 1985, NEW YORK, US pages 733 - 735; G.E. BULMAN ET AL.: 'Photocurrent multiplication in ion implanted lateral In0.2Ga0.8As/GaAs strained-layer superlattice photodetectors' | [A] - IEEE PHOTONICS TECHNOLOGY LETTERS vol. 1, no. 11, Novembre 1989, NEW YORK, US pages 376 - 378; F.S. CHOA ET AL.: 'Optoelectronic properties of InGaAs/InGaAsP multiple-quantum-well waveguide detectors' |