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EP0712162
Europäisches Verfahren
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Auszug aus dem europäischen Patentregister
EP Übersicht: EP0712162
| EP0712162 - Nichtflüchtige Halbeleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.] | Status | Anmeldung zurückgenommen Status aktualisiert am 30.08.1996 Datenbank zuletzt aktualisiert am 14.09.2024 | Letztes Ereignis Tooltip | 31.01.1997 | Änderung - Vertreter | veröffentlicht am 19.03.1997 [1997/12] | Anmelder | Für alle benannten Staaten Sony Corporation 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku Tokyo / JP | [N/P] |
| Frühere [1996/20] | Für alle benannten Staaten SONY CORPORATION 7-35, Kitashinagawa 6-chome Shinagawa-ku Tokyo / JP | Erfinder | 01 /
Noda, Masanori, c/o Sony Corp. 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku Tokyo / JP | 02 /
Nakamura, Akihiro, c/o Sony Corp. 7-35, Kitashinagawa 6-chome, Shinagawa-ku Tokyo / JP | [1996/20] | Vertreter | Müller, Frithjof E., et al Müller Hoffmann & Partner Patentanwälte Innere Wiener Strasse 17 81667 München / DE | [N/P] |
| Frühere [1997/12] | Müller, Frithjof E., Dipl.-Ing., et al Patentanwälte MÜLLER & HOFFMANN, Innere Wiener Strasse 17 81667 München / DE | ||
| Frühere [1996/20] | TER MEER - MÜLLER - STEINMEISTER & PARTNER Mauerkircherstrasse 45 81679 München / DE | Anmeldenummer, Anmeldetag | 95120043.5 | 13.07.1990 | [1996/20] | Prioritätsnummer, Prioritätstag | JP19890186299 | 19.07.1989 Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 18629989 | JP19890197829 | 29.07.1989 Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 19782989 | JP19890186385 | 18.07.1989 Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 18638589 | [1996/20] | Anmeldesprache | EN | Verfahrenssprache | EN | Veröffentlichung | Art: | A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht | Nr.: | EP0712162 | Datum: | 15.05.1996 | Sprache: | EN | [1996/20] | Klassifikation | IPC: | H01L27/115, H01L21/82 | [1996/20] | CPC: |
H01L29/40114 (EP,US);
H10B69/00 (EP,US)
| Benannte Vertragsstaaten | DE, FR, GB [1996/20] | Bezeichnung der Erfindung | Deutsch: | Nichtflüchtige Halbeleiterspeicheranordnung und Verfahren zur Herstellung | [1996/20] | Englisch: | A nonvolatile semiconductor memory device and method of manufacturing thereof | [1996/20] | Französisch: | Dispositif de mémoire non volatile à semi-conducteur et procédé de fabrication | [1996/20] | Prüfungsverfahren | 19.12.1995 | Prüfungsantrag gestellt [1996/20] | 22.08.1996 | Anmeldung vom Anmelder zurückgenommen [1996/42] | Stammanmeldung(en) Tooltip | EP90113487.4 / EP0409107 | Entrichtete Gebühren | Jahresgebühr | 19.12.1995 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03 | 19.12.1995 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04 | 19.12.1995 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05 | 19.12.1995 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06 | 11.07.1996 | Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 07 |
| Ausschluss der ausschließlichen Tooltip Zuständigkeit des Einheitlichen Patentgerichts | Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts | ||
| Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht. | |||