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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP0871228

EP0871228 - Halbleitersubstrat, Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusAnmeldung zurückgewiesen
Status aktualisiert am  09.04.2010
Datenbank zuletzt aktualisiert am 14.09.2024
Letztes Ereignis   Tooltip09.04.2010Zurückweisung der Anmeldungveröffentlicht am 12.05.2010  [2010/19]
AnmelderFür alle benannten Staaten
Panasonic Corporation
1006, Oaza Kadoma
Kadoma-shi
Osaka 571-8501 / JP
[N/P]
Frühere [2008/47]Für alle benannten Staaten
Panasonic Corporation
1006, Oaza Kadoma Kadoma-shi
Osaka 571-8501 / JP
Frühere [2001/37]Für alle benannten Staaten
MATSUSHITA ELECTRIC INDUSTRIAL CO., LTD.
1006, Oaza Kadoma
Kadoma-shi, Osaka / JP
Frühere [1998/42]Für alle benannten Staaten
Matsushita Electronics Corporation
1-1, Saiwai-cho
Takatsuki-shi, Osaka 569-1193 / JP
Erfinder01 / Hashimoto, Tadao
1-23-2-202, Mizudo-cho
Amagasaki-shi, Hyogo 661-0027 / JP
02 / Imafuji, Osamu
1-10-5-507, Kamihamuro
Takatsuki-shi, Osaka 569-1044 / JP
03 / Yuri, Masaaki
6-26-1201, Funaki-cho
Ibaraki-shi, Osaka 567-0829 / JP
04 / Ishida, Masahiro
2-30-10, Takayanagi
Neyagawa-shi, Osaka 572-0051 / JP
[1998/42]
VertreterGrünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB
Leopoldstraße 4
80802 München / DE
[N/P]
Frühere [1998/42]Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät
Maximilianstrasse 58
80538 München / DE
Anmeldenummer, Anmeldetag98106483.508.04.1998
[1998/42]
Prioritätsnummer, PrioritätstagJP1997009067509.04.1997         Ursprünglich veröffentlichtes Format: JP 9067597
[1998/42]
AnmeldespracheEN
VerfahrensspracheEN
VeröffentlichungArt: A2 Anmeldung ohne Recherchenbericht 
Nr.:EP0871228
Datum:14.10.1998
Sprache:EN
[1998/42]
Art: A3 Recherchenbericht 
Nr.:EP0871228
Datum:24.10.2001
[2001/43]
Recherchenbericht(e)(Ergänzender) europäischer Recherchenbericht - versandt am:EP10.09.2001
KlassifikationIPC:H01L33/00, H01S3/19, H01L27/15
[2001/43]
CPC:
H01L33/007 (EP,US); B82Y20/00 (EP,US); C30B25/18 (EP,US);
H01S2301/173 (EP,US); H01S5/0207 (EP,US); H01S5/021 (EP,US);
H01S5/2231 (EP,US); H01S5/3201 (EP,US); H01S5/34333 (EP,US) (-)
Frühere IPC [1998/42]H01L33/00, H01S3/19
Benannte VertragsstaatenDE,   GB [2002/29]
Frühere [1998/42]AT,  BE,  CH,  CY,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:Halbleitersubstrat, Halbleitervorrichtung und Herstellungsverfahren[1998/42]
Englisch:Semiconductor substrate, semiconductor device and method of manufacturing the same[1998/42]
Französisch:Substrat semi-conducteur, dispositif semi-conducteur et procédé de fabrication[1998/42]
Prüfungsverfahren28.03.2002Prüfungsantrag gestellt  [2002/23]
11.05.2006Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06)
17.11.2006Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
27.08.2007Absendung einer Mitteilung der Prüfungsabteilung (Frist: M06)
07.02.2008Erwiderung auf eine Mitteilung der Prüfungsabteilung
17.11.2009Anmeldung zurückgewiesen, Datum der Rechtswirksamkeit [2010/19]
17.11.2009Termin der mündlichen Verhandlung
10.12.2009Absendung der Mitteilung über die Zurückweisung der Anmeldung. Grund: Sachprüfung [2010/19]
10.12.2009Niederschrift über die mündliche Verhandlung abgesandt
Entrichtete GebührenJahresgebühr
26.04.2000Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
26.04.2001Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 04
29.04.2002Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 05
29.04.2003Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 06
30.04.2004Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 07
29.04.2005Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 08
29.03.2006Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 09
27.04.2007Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 10
26.03.2008Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 11
29.04.2009Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 12
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts		 Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführte Dokumente:Recherche[Y]EP0332329  (FUJITSU LTD [JP]) [Y] 15,17 * the whole document *;
 [XY]US4990972  (SATOH SHIRO [JP], et al) [X] 1,2,4,6-14,16 * column 3, line 42 - column 4, line 26 * [Y] 15,17;
 [X]JPH08330628  (TOSHIBA CORP) [X] 1,2,4,6,7,9,10,12-14,16;
 [PX]EP0810674  (SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES [JP]) [PX] 1,2,4,6-14,16* the whole document *;
 [E]US5864171  (YAMAMOTO MASAHIRO [JP], et al) [E] 1,2,4,6,7,9,10,12-14,16 * column 13, line 38 - column 15, line 21 *
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