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Auszug aus dem europäischen Patentregister

EP Übersicht: EP1099014

EP1099014 - VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MINDESTENS EINES SiC-EINKRISTALLS [Mit Rechtsklick auf diesen Link können Sie ein Bookmark anlegen.]
StatusKein Einspruch fristgerecht eingelegt
Status aktualisiert am  31.01.2003
Datenbank zuletzt aktualisiert am 26.07.2024
Letztes Ereignis   Tooltip31.01.2003Kein Einspruch fristgerecht eingelegtveröffentlicht am 19.03.2003  [2003/12]
AnmelderFür alle benannten Staaten
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Werner-von-Siemens-Str. 1
DE-80333 München / DE
[N/P]
Frühere [2001/20]Für alle benannten Staaten
SIEMENS AKTIENGESELLSCHAFT
Wittelsbacherplatz 2
80333 München / DE
Erfinder01 / STEIN, Rene
Waldstrasse 7a
D-91341 Röttenbach / DE
02 / VÖLKL, Johannes
Hoferstrasse 4
D-91056 Erlangen / DE
03 / KUHN, Harald
Forchheimerstrasse 5
D-91056 Erlangen / DE
04 / RUPP, Roland
Am Wasserturm 35
D-91207 Lauf / DE
 [2001/20]
Anmeldenummer, Anmeldetag99942775.005.07.1999
[2001/20]
WO1999DE02066
Prioritätsnummer, PrioritätstagDE199813155614.07.1998         Ursprünglich veröffentlichtes Format: DE 19831556
[2001/20]
AnmeldespracheDE
VerfahrensspracheDE
VeröffentlichungArt: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht
Nr.:WO0004212
Datum:27.01.2000
Sprache:DE
[2000/04]
Art: A1 Anmeldung mit Recherchenbericht 
Nr.:EP1099014
Datum:16.05.2001
Sprache:DE
Die von der WIPO am 27.01.2000 in einer EPA-Amtssprache veröffentlichte Anmeldung tritt an die Stelle der Veröffentlichung der europäischen Patentanmeldung.
[2001/20]
Art: B1 Patentschrift 
Nr.:EP1099014
Datum:27.03.2002
Sprache:DE
[2002/13]
Recherchenbericht(e)Internationaler Recherchenbericht - veröffentlicht am:EP27.01.2000
KlassifikationIPC:C30B23/00, C30B29/36
[2001/20]
CPC:
C30B23/00 (EP,US); C30B29/36 (EP,US); Y10T117/10 (EP,US);
Y10T117/1092 (EP,US)
Benannte VertragsstaatenCH,   DE,   FR,   IT,   LI,   SE [2002/13]
Frühere [2001/20]AT,  BE,  CH,  CY,  DE,  DK,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  IE,  IT,  LI,  LU,  MC,  NL,  PT,  SE 
Bezeichnung der ErfindungDeutsch:VORRICHTUNG UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG MINDESTENS EINES SiC-EINKRISTALLS[2001/20]
Englisch:METHOD AND DEVICE FOR PRODUCING AT LEAST ONE SILICON CARBIDE MONOCRYSTAL[2001/20]
Französisch:DISPOSITIF ET PROCEDE POUR LA PRODUCTION D'AU MOINS UN MONOCRISTAL DE SiC[2001/20]
Eintritt in die regionale Phase23.11.2000Nationale Grundgebühr entrichtet 
23.11.2000Benennungsgebühr(en) entrichtet 
23.11.2000Prüfungsgebühr entrichtet 
Prüfungsverfahren13.12.1999Antrag auf vorläufige Prüfung gestellt
mit der internationalen vorläufigen Prüfung beauftragte Behörde: EP
24.11.2000Prüfungsantrag gestellt  [2001/20]
16.07.2001Absendung der Ankündigung der Erteilung (Einverständnis: Ja)
26.09.2001Ankündigung der Patenterteilung
17.12.2001Erteilungsgebühr entrichtet
17.12.2001Veröffentlichungs-/Druckkostengebühr entrichtet
Einspruch (Einsprüche)30.12.2002Kein Einspruch fristgerecht eingelegt [2003/12]
Entrichtete GebührenJahresgebühr
20.07.2001Jahresgebühr entrichtet Patentjahr 03
Ausschluss der ausschließlichen  Tooltip
Zuständigkeit des Einheitlichen
Patentgerichts
Zu den entsprechenden Daten siehe das Register des Einheitlichen Patentgerichts
Die Verantwortung für die Richtigkeit, Vollständigkeit oder Qualität der unter dem Link angezeigten Daten liegt allein beim Einheitlichen Patentgericht.
Angeführt inInternationale Recherche[A]DE4310745  (SIEMENS AG [DE]);
 [AD]WO9423096  (SIEMENS AG [DE], et al) [AD] 1,13 * the whole document *;
 [AD]US5667587  (GLASS ROBERT C [US], et al);
 [A]US5683507  (BARRETT DONOVAN L [US], et al)
Das EPA übernimmt keine Gewähr für die Richtigkeit von Daten, die aus anderen Behörden stammen, und schließt insbesondere jegliche Garantie dafür aus, dass solche Daten vollständig, aktuell oder für bestimmte Zwecke geeignet sind.