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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP1912255

EP1912255 - Method for fabricating a non-volatile memory device [Right-click to bookmark this link]
Former [2008/16]A stacked thin-film-transistor non-volatile memory device and method for fabricating the same
[2011/23]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  14.09.2012
Database last updated on 27.07.2024
Most recent event   Tooltip18.07.2014Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): HU		published on 20.08.2014  [2014/34]
Applicant(s)For all designated states
MACRONIX INTERNATIONAL CO., LTD.
No.16, Li-Hsin Road, Science-Based Industrial Park
Hsinchu / TW
[2008/16]
Inventor(s)01 / Lue, Hang-Ting
c/o No.16, Li-Hsin Rd.
Science-Based Industrial Park
Hsinchu / TW
02 / Lai, Erh-Kun
c/o No.16, Li-Hsin Rd.
Science-Based Industrial Park
Hsinchu / TW
03 / Hsieh, Kuang-Yeu
c/o No.16, Li-Hsin Rd.
Science-Based Industrial Park
Hsinchu / TW
 [2011/45]
Former [2008/16]01 / Lue, Hang-Ting
c/o No.16, Li-Hsin Rd. Science-Based Industrial Park
Hsinchu / TW
02 / Lai, Erh-Kun
c/o No.16, Li-Hsin Rd. Science-Based Industrial Park
Hsinchu / TW
03 / Hsieh, Kuang-Yeu
c/o No.16, Li-Hsin Rd. Science-Based Industrial Park
Hsinchu / TW
Representative(s)Oxley, Robin John George, et al
Marks & Clerk LLP
15 Fetter Lane
London EC4A 1BW / GB
[N/P]
Former [2010/18]Oxley, Robin John George, et al
Marks & Clerk LLP 90 Long Acre London
WC2E 9RA / GB
Former [2008/16]Johnson, Terence Leslie
Marks & Clerk 90 Long Acre
London, WC2E 9RA / GB
Application number, filing date07252422.614.06.2007
[2008/16]
Priority number, dateUS2006054952013.10.2006         Original published format: US 549520
[2008/16]
Filing languageEN
Procedural languageEN
PublicationType: A2 Application without search report 
No.:EP1912255
Date:16.04.2008
Language:EN
[2008/16]
Type: A3 Search report 
No.:EP1912255
Date:11.08.2010
[2010/32]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP1912255
Date:09.11.2011
Language:EN
[2011/45]
Search report(s)(Supplementary) European search report - dispatched on:EP08.07.2010
ClassificationIPC:H01L21/8247, // H01L21/8246, H01L27/06, G11C16/04, H01L27/115
[2011/45]
CPC:
H01L21/8221 (EP,KR,US); H10B43/30 (EP,KR,US); H01L21/84 (EP,KR,US);
H01L27/0688 (EP,KR,US); H01L27/1203 (EP,KR,US); H01L29/40117 (EP,US);
H01L29/4234 (EP,KR,US); H10B43/10 (EP); H10B43/20 (EP,KR,US);
H10B63/80 (KR); H10B69/00 (EP,US) (-)
Former IPC [2008/16]H01L21/8246, H01L27/115, H01L27/06, G11C16/04
Designated contracting statesAT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MT,   NL,   PL,   PT,   RO,   SE,   SI,   SK,   TR [2008/16]
TitleGerman:Herstellungsverfahren für ein nichtflüchtiges Speicherbauelement[2011/23]
English:Method for fabricating a non-volatile memory device[2011/23]
French:Procédé de fabrication d'un dispositif de mémoire non-volatile[2011/23]
Former [2008/16]Nichtflüchtige Speichervorrichtung mit gestapelten Dünnschichttransistoren und Herstellungsverfahren derselben
Former [2008/16]A stacked thin-film-transistor non-volatile memory device and method for fabricating the same
Former [2008/16]Dispositif de mémoire non-volatile ayant des transistors en couche mince empilés et son procédé de fabrication
Examination procedure25.06.2007Examination requested  [2008/16]
28.01.2011Amendment by applicant (claims and/or description)
27.05.2011Communication of intention to grant the patent
26.09.2011Fee for grant paid
26.09.2011Fee for publishing/printing paid
Divisional application(s)The date of the Examining Division's first communication in respect of the earliest application for which a communication has been issued is  27.05.2011
Opposition(s)10.08.2012No opposition filed within time limit [2012/42]
Fees paidRenewal fee
16.06.2009Renewal fee patent year 03
25.03.2010Renewal fee patent year 04
30.06.2011Renewal fee patent year 05
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU14.06.2007
AT09.11.2011
BE09.11.2011
CY09.11.2011
CZ09.11.2011
DK09.11.2011
EE09.11.2011
FI09.11.2011
LT09.11.2011
LV09.11.2011
MT09.11.2011
NL09.11.2011
PL09.11.2011
RO09.11.2011
SE09.11.2011
SI09.11.2011
SK09.11.2011
TR09.11.2011
BG09.02.2012
GR10.02.2012
ES20.02.2012
IS09.03.2012
PT09.03.2012
IE14.06.2012
LU14.06.2012
CH30.06.2012
LI30.06.2012
MC30.06.2012
[2014/34]
Former [2014/27]AT09.11.2011
BE09.11.2011
CY09.11.2011
CZ09.11.2011
DK09.11.2011
EE09.11.2011
FI09.11.2011
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MT09.11.2011
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PL09.11.2011
RO09.11.2011
SE09.11.2011
SI09.11.2011
SK09.11.2011
TR09.11.2011
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GR10.02.2012
ES20.02.2012
IS09.03.2012
PT09.03.2012
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LU14.06.2012
CH30.06.2012
LI30.06.2012
MC30.06.2012
Former [2014/21]AT09.11.2011
BE09.11.2011
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DK09.11.2011
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PT09.03.2012
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CH30.06.2012
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CH30.06.2012
LI30.06.2012
MC30.06.2012
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Former [2012/25]BE09.11.2011
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LV09.11.2011
NL09.11.2011
SE09.11.2011
SI09.11.2011
GR10.02.2012
IS09.03.2012
PT09.03.2012
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NL09.11.2011
GR10.02.2012
IS09.03.2012
PT09.03.2012
Former [2012/21]LT09.11.2011
IS09.03.2012
Former [2012/20]LT09.11.2011
Documents cited:Search[A]JPS5974680  (MITSUBISHI ELECTRIC CORP) [A] 1,12,29,39 * abstract *;
 [XAI]WO0215277  (MATRIX SEMICONDUCTOR INC [US], et al) [X] 1,6-8,18-23 * page 42, line 7 - page 102, line 25; figures 30-88D * [A] 2-4,9-13,17,25-48 [I] 5,24;
 [A]US6440797  (WU YIDER [US], et al) [A] 1,6-16,29,33-42 * column 3, line 42 - column 9, line 5 *;
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 [XYI]US2005070060  (WALKER ANDREW J [US], et al) [X] 1,6-8,18-23 * paragraph [0046] - paragraphs [0055] , [0070]; figure 5B * * paragraph [0031] - paragraph [0045]; figures 2-5A * [Y] 2-5,25-48 [I] 9-17,24;
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