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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP1973174

EP1973174 - Method for fracturing semiconductor substrate and solar cell [Right-click to bookmark this link]
Former [2008/39]Method for fracturing semiconductor substrate, method for fracturing solar cell, and the solar cell
[2018/12]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  12.07.2019
Database last updated on 03.10.2024
FormerThe patent has been granted
Status updated on  03.08.2018
FormerGrant of patent is intended
Status updated on  26.03.2018
FormerExamination is in progress
Status updated on  13.10.2017
FormerRequest for examination was made
Status updated on  23.08.2017
FormerGrant of patent is intended
Status updated on  05.04.2017
FormerRequest for examination was made
Status updated on  28.03.2017
Most recent event   Tooltip09.07.2021Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): HU		published on 11.08.2021  [2021/32]
Applicant(s)For all designated states
Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd.
1-61, Shiromi 2-chome
Chuo-ku
Osaka-shi, Osaka 540-6207 / JP
[2015/47]
Former [2008/39]For all designated states
Sanyo Electric Co., Ltd.
5-5, Keihan-Hondori 2-Chome Moriguchi-City
Osaka 570-8677 / JP
Inventor(s)01 / Kannou, Hiroyuki
Sanyo Electric Co., Ltd
5-5, Keihan-Hondori 2-chome
Moriguchi City Osaka 570-8677 / JP
02 / Shima, Masaki
Sanyo Electric Co., Ltd
5-5, Keihan-Hondori 2-chome
Moriguchi City Osaka 570-8677 / JP
 [2018/36]
Former [2008/39]01 / Kannou, Hiroyuki
Sanyo Electric Co., Ltd 5-5, Keihan-Hondori 2-chome
Moriguchi City Osaka 570-8677 / JP
02 / Shima, Masaki
Sanyo Electric Co., Ltd 5-5, Keihan-Hondori 2-chome
Moriguchi City Osaka 570-8677 / JP
Representative(s)Mewburn Ellis LLP
Aurora Building
Counterslip
Bristol BS1 6BX / GB
[N/P]
Former [2018/36]Addiss, John William, et al
Mewburn Ellis LLP
City Tower
40 Basinghall Street
London EC2V 5DE / GB
Former [2009/36]Calderbank, Thomas Roger, et al
Mewburn Ellis LLP 33 Gutter Lane London
EC2V 8AS / GB
Former [2008/39]Calderbank, Thomas Roger, et al
MEWBURN ELLIS York House 23 Kingsway
London WC2B 6HP / GB
Application number, filing date08250929.018.03.2008
[2008/39]
Priority number, dateJP2007007208520.03.2007         Original published format: JP 2007072085
[2008/39]
Filing languageEN
Procedural languageEN
PublicationType: A2 Application without search report 
No.:EP1973174
Date:24.09.2008
Language:EN
[2008/39]
Type: A3 Search report 
No.:EP1973174
Date:21.07.2010
[2010/29]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP1973174
Date:05.09.2018
Language:EN
[2018/36]
Search report(s)(Supplementary) European search report - dispatched on:EP22.06.2010
ClassificationIPC:H01L31/18, B28D5/00, H01L21/304, H01L31/0352
[2010/29]
CPC:
B28D5/0011 (EP,US); H01L31/1804 (US); H01L31/0352 (EP,US);
H01L31/18 (EP,US); Y02E10/547 (EP)
Former IPC [2008/39]H01L31/18
Designated contracting statesAT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   SE,   SI,   SK,   TR [2018/36]
Former [2008/39]AT,  BE,  BG,  CH,  CY,  CZ,  DE,  DK,  EE,  ES,  FI,  FR,  GB,  GR,  HR,  HU,  IE,  IS,  IT,  LI,  LT,  LU,  LV,  MC,  MT,  NL,  NO,  PL,  PT,  RO,  SE,  SI,  SK,  TR 
TitleGerman:Verfahren zur Frakturierung eines Halbleitersubstrats und Solarzelle[2018/12]
English:Method for fracturing semiconductor substrate and solar cell[2018/12]
French:Procédé pour fracturer un substrat semi-conducteur et cellule solaire[2018/12]
Former [2008/39]Verfahren zur Frakturierung eines Halbleitersubstrats, Verfahren zur Frakturierung einer Solarzelle und Solarzelle
Former [2008/39]Method for fracturing semiconductor substrate, method for fracturing solar cell, and the solar cell
Former [2008/39]Procédé pour fracturer un substrat semi-conducteur, procédé pour fracturer une cellule solaire, et cellule solaire
Examination procedure18.01.2011Amendment by applicant (claims and/or description)
19.01.2011Examination requested  [2011/09]
04.08.2015Invitation to provide information on prior art
20.08.2015Reply to the invitation to provide information on prior art
06.04.2017Communication of intention to grant the patent
04.08.2017Disapproval of the communication of intention to grant the patent by the applicant or resumption of examination proceedings by the EPO
20.10.2017Despatch of a communication from the examining division (Time limit: M03)
29.01.2018Reply to a communication from the examining division
27.03.2018Communication of intention to grant the patent
20.07.2018Fee for grant paid
20.07.2018Fee for publishing/printing paid
20.07.2018Receipt of the translation of the claim(s)
Divisional application(s)The date of the Examining Division's first communication in respect of the earliest application for which a communication has been issued is  06.04.2017
Opposition(s)06.06.2019No opposition filed within time limit [2019/33]
Fees paidRenewal fee
22.03.2010Renewal fee patent year 03
21.03.2011Renewal fee patent year 04
20.03.2012Renewal fee patent year 05
20.03.2013Renewal fee patent year 06
25.03.2014Renewal fee patent year 07
24.03.2015Renewal fee patent year 08
25.03.2016Renewal fee patent year 09
24.03.2017Renewal fee patent year 10
23.03.2018Renewal fee patent year 11
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU18.03.2008
AT05.09.2018
CY05.09.2018
CZ05.09.2018
DK05.09.2018
EE05.09.2018
ES05.09.2018
FI05.09.2018
HR05.09.2018
IT05.09.2018
LT05.09.2018
LV05.09.2018
MC05.09.2018
NL05.09.2018
PL05.09.2018
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SE05.09.2018
SI05.09.2018
SK05.09.2018
TR05.09.2018
BG05.12.2018
NO05.12.2018
GR06.12.2018
IS05.01.2019
PT05.01.2019
IE18.03.2019
LU18.03.2019
MT18.03.2019
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CH31.03.2019
FR31.03.2019
LI31.03.2019
[2021/32]
Former [2021/26]AT05.09.2018
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PL05.09.2018
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SK05.09.2018
TR05.09.2018
BG05.12.2018
NO05.12.2018
GR06.12.2018
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LI31.03.2019
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TR05.09.2018
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NO05.12.2018
GR06.12.2018
IS05.01.2019
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MT18.03.2019
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FR31.03.2019
LI31.03.2019
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GR06.12.2018
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DK05.09.2018
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HR05.09.2018
IT05.09.2018
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SE05.09.2018
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GR06.12.2018
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CZ05.09.2018
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SE05.09.2018
SK05.09.2018
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ES05.09.2018
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HR05.09.2018
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BG05.12.2018
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NO05.12.2018
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Former [2019/07]LT05.09.2018
Documents cited:Search[XY]JPS62105446  (SHARP KK) [X] 1 * the whole document * [Y] 2,3;
 [XY]EP0562880  (NEC CORP [JP]) [X] 1 * column 11, line 32 - line 53; figure 13 * [Y] 2,3;
 [T]US5314844  (IMAMURA SOUICHI [JP]) [T] 1-3 * the whole document *;
 [YD]JPH09148601  (SANYO ELECTRIC CO) [YD] 2,3 * the whole document *;
 [A]EP1195352  (IMEC INTER UNI MICRO ELECTR [BE], et al) [A] 1-3* the whole document *;
 [A]US2002106874  (IWANE MASAAKI [JP], et al) [A] 1-3 * paragraph [0068] - paragraph [0071]; figures 9A-9B *;
 [XY]EP1278236  (SANYO ELECTRIC CO [JP]) [X] 1 * the whole document * [Y] 2,3;
 [A]DE10347647  (SUNWAYS AG [DE]) [A] 1-3 * the whole document *
ExaminationDE3435138
by applicantJPH09148601
 JP2007072085
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