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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP2589642

EP2589642 - Wavelength conversion sheet filled with large amount of phosphor, method of producing light emitting semiconductor device using the sheet, and light emitting semiconductor device [Right-click to bookmark this link]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  15.01.2016
Database last updated on 12.10.2024
Most recent event   Tooltip12.10.2018Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): AL		published on 14.11.2018  [2018/46]
Applicant(s)For all designated states
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
6-1, Ohtemachi 2-chome
Chiyoda-ku
Tokyo / JP
[2015/11]
Former [2013/19]For all designated states
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
6-1, Ohtemachi 2-chome
Chiyoda-ku
Tokyo / JP
Inventor(s)01 / Shiobara, Toshio
c/o Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
6-1, Ohtemachi
2-chome, Chiyoda-ku
Tokyo / JP
02 / Kashiwagi, Tsutomu
c/o Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Kenkyusho
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
1-10, Hitomi
Matsuida-machi
Annaka-shi, Gunma / JP
03 / Wakao, Miyuki
c/o Silicone Denshi Zairyo Gijutsu Kenkyusho
Shin-Etsu Chemical Co., Ltd.
1-10, Hitomi
Matsuida-machi
Annaka-shi, Gunma / JP
 [2013/19]
Representative(s)Hano, Christian, et al
v. Füner Ebbinghaus Finck Hano Patentanwälte Mariahilfplatz 3
81541 München / DE
[2013/19]
Application number, filing date12190487.430.10.2012
[2013/19]
Priority number, dateJP2011024326707.11.2011         Original published format: JP 2011243267
[2013/19]
Filing languageEN
Procedural languageEN
PublicationType: A1 Application with search report 
No.:EP2589642
Date:08.05.2013
Language:EN
[2013/19]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP2589642
Date:11.03.2015
Language:EN
[2015/11]
Search report(s)(Supplementary) European search report - dispatched on:EP20.02.2013
ClassificationIPC:C09K11/02, C09K11/80, C08L63/00, C09D163/00, C09D183/04, H01L33/50, H01L33/56, C08G77/14, C08G77/20
[2014/48]
CPC:
C09D183/04 (EP,US); H01L33/50 (KR,US); H01L33/56 (US);
C09K11/02 (EP,US); H01L33/48 (KR); H01L33/501 (EP,US);
H05B33/14 (EP,US); H05B33/20 (EP,US); C08G77/12 (EP,US);
C08G77/14 (EP,US); C08G77/20 (EP,US); H01L2924/0002 (EP,US);
H01L33/505 (EP,US); Y10T428/24372 (EP,US) (-)
C-Set:
C09D183/04, C08L83/00 (EP,US);
H01L2924/0002, H01L2924/00 (US,EP)
Former IPC [2013/19]C09K11/00, C09K11/77, H05B33/14, C08L63/00, C08L83/04, C09D163/00, H01L33/50, H01L33/56, H05B33/20
Designated contracting statesAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2013/19]
TitleGerman:Mit einer großen Menge Leuchtstoff gefüllte Wellenlängenumwandlungsschicht, Verfahren zur Herstellung einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung mit dieser Schicht und eine lichtemittierende Halbleitervorrichtung diese enthaltend[2014/48]
English:Wavelength conversion sheet filled with large amount of phosphor, method of producing light emitting semiconductor device using the sheet, and light emitting semiconductor device[2013/19]
French:Feuille de conversion de longueur d'onde remplie de grande quantité de luminophore, procédé de production de dispositif semi-conducteur émettant de la lumière utilisant la feuille et dispositif semi-conducteur émettant de la lumière[2014/48]
Former [2013/19]Mit einer großen Menge Phosphor gefüllte Wellenlängenumwandlungsschicht, Verfahren zum Herstellen einer lichtemittierenden Halbleitervorrichtung mit der Schicht und lichtemittierende Halbleitervorrichtung
Former [2013/19]Feuille de conversion de longueur d'onde remplie de grande quantité de phosphore, procédé de production de dispositif semi-conducteur émettant de la lumière utilisant la feuille et dispositif semi-conducteur émettant de la lumière
Examination procedure02.10.2013Amendment by applicant (claims and/or description)
02.10.2013Examination requested  [2013/46]
08.04.2014Despatch of a communication from the examining division (Time limit: M04)
10.07.2014Reply to a communication from the examining division
06.11.2014Communication of intention to grant the patent
28.01.2015Fee for grant paid
28.01.2015Fee for publishing/printing paid
28.01.2015Receipt of the translation of the claim(s)
Divisional application(s)The date of the Examining Division's first communication in respect of the earliest application for which a communication has been issued is  08.04.2014
Opposition(s)14.12.2015No opposition filed within time limit [2016/07]
Fees paidRenewal fee
14.10.2014Renewal fee patent year 03
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU30.10.2012
AL11.03.2015
AT11.03.2015
BE11.03.2015
BG11.03.2015
CY11.03.2015
CZ11.03.2015
DK11.03.2015
EE11.03.2015
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[2018/46]
Former [2018/31]HU30.10.2012
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Documents cited:Search[XDA]WO03093393  (OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH [DE]) [XD] 5 * claim 10 * [A] 1-4;
 [XA]US2004094757  (BRAUNE BERT [DE], et al) [X] 5 * paragraph [0063] * * claims 1-3,10 * * the whole document * [A] 1-4;
 [XA]US2007132359  (WANG BILY [TW], et al) [X] 5 * claim 3 * * claim 5 * * the whole document * [A] 1-4;
 [XA]EP1873211  (SHINETSU CHEMICAL CO [JP]) [X] 5 * example 2 * * claim 1 * * the whole document * [A] 1-4;
 [XA]EP1914811  (NICHIA CORP [JP]) [X] 5 * example 11 * [A] 1-4;
 [XDI]EP1980591  (SHINETSU CHEMICAL CO [JP]) [XD] 5 * example 2 * * claims 1-7 * * the whole document * [I] 1-4;
 [A]US2010133989  (STILES JAMES ALEXANDER ROBERT [CA], et al) [A] 3 * claims 7,8,12,14,15 *;
 [AD]EP2226361  (NITTO DENKO CORP [JP]) [AD] 1-5* claim 1 *;
 [XA]EP2289998  (SHINETSU CHEMICAL CO [JP]) [X] 5 * claims 1,7 * * table 2 * * the whole document * [A] 1-4;
 [XA]EP2336230  (SHINETSU CHEMICAL CO [JP]) [X] 5 * example 1 * * examples 1,2 * * the whole document * [A] 1-4
by applicantJP2005524737
 JP2009235368
 JP2010202801
 JP2011074359
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