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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP2607526

EP2607526 - Method of manufacturing a silicon single crystal substrate [Right-click to bookmark this link]
Former [2013/26]Silicon single crystal substrate and method of manufacturing the same
[2013/50]
StatusNo opposition filed within time limit
Status updated on  27.02.2015
Database last updated on 05.10.2024
Most recent event   Tooltip12.10.2018Lapse of the patent in a contracting state
New state(s): AL		published on 14.11.2018  [2018/46]
Applicant(s)For all designated states
Siltronic AG
Hanns-Seidel-Platz 4
81737 München / DE
[2013/26]
Inventor(s)01 / Nakai, Katsuhiko
2-3-34 Shinkai, Murozumi
Hikari, Yamaguchi 743-0071 / JP
02 / Ookubo, Masamichi
7-1-14 Mitsui
Hikari, Yamaguchi 743-0011 / JP
03 / Sakamoto, Hikaru
Wadacho 14-16-201
Hikari, Yamaguchi 743-0044 / JP
 [2013/26]
Representative(s)Staudacher, Wolfgang, et al
Siltronic AG
Corporate Intellectual Property
Hanns-Seidel-Platz 4
81737 München / DE
[2013/26]
Application number, filing date12196921.613.12.2012
[2013/26]
Priority number, dateJP2011027995621.12.2011         Original published format: JP 2011279956
[2013/26]
Filing languageEN
Procedural languageEN
PublicationType: A1 Application with search report 
No.:EP2607526
Date:26.06.2013
Language:EN
[2013/26]
Type: B1 Patent specification 
No.:EP2607526
Date:23.04.2014
Language:EN
[2014/17]
Search report(s)(Supplementary) European search report - dispatched on:EP23.05.2013
ClassificationIPC:C30B15/04, C30B29/06, C30B33/02, C30B15/20
[2013/26]
CPC:
C30B29/06 (EP,US); H01L21/822 (KR); C30B15/04 (EP,US);
C30B15/206 (EP,US); C30B33/02 (EP,US)
Designated contracting statesAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2013/26]
TitleGerman:Verfahren zur Herstellung eines Siliciumeinzelkristallsubstrats[2013/50]
English:Method of manufacturing a silicon single crystal substrate[2013/50]
French:Procédé de fabrication d'un substrat de monocristal de silicium[2013/50]
Former [2013/26]Siliciumeinzelkristallsubstrat und Verfahren zu dessen Herstellung
Former [2013/26]Silicon single crystal substrate and method of manufacturing the same
Former [2013/26]Substrat de monocristal de silicium et son procédé de fabrication
Examination procedure13.12.2012Examination requested  [2013/26]
12.06.2013Despatch of a communication from the examining division (Time limit: M04)
01.07.2013Reply to a communication from the examining division
18.07.2013Despatch of a communication from the examining division (Time limit: M04)
20.09.2013Reply to a communication from the examining division
08.01.2014Communication of intention to grant the patent
11.03.2014Fee for grant paid
11.03.2014Fee for publishing/printing paid
Divisional application(s)The date of the Examining Division's first communication in respect of the earliest application for which a communication has been issued is  12.06.2013
Opposition(s)26.01.2015No opposition filed within time limit [2015/14]
Opt-out from the exclusive  Tooltip
competence of the Unified
Patent Court		 See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition  TooltipHU13.12.2012
AL23.04.2014
AT23.04.2014
BE23.04.2014
CY23.04.2014
CZ23.04.2014
DK23.04.2014
EE23.04.2014
ES23.04.2014
FI23.04.2014
HR23.04.2014
IT23.04.2014
LT23.04.2014
LV23.04.2014
MC23.04.2014
MK23.04.2014
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[2018/46]
Former [2018/31]HU13.12.2012
AT23.04.2014
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MC23.04.2014
MK23.04.2014
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PL23.04.2014
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SE23.04.2014
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SK23.04.2014
SM23.04.2014
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GR24.07.2014
IS23.08.2014
PT25.08.2014
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LU13.12.2014
FR31.12.2014
Former [2017/39]HU13.12.2012
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CY23.04.2014
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LV23.04.2014
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TR23.04.2014
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FR31.12.2014
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RO23.04.2014
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