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Extract from the Register of European Patents

EP About this file: EP3210242

EP3210242 - NAND MEMORY STRINGS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF [Right-click to bookmark this link]
Status	No opposition filed within time limit Status updated on 06.09.2019 Database last updated on 11.04.2026
Former	The patent has been granted Status updated on 28.09.2018
Former	Grant of patent is intended Status updated on 11.07.2018
Former	Request for examination was made Status updated on 28.07.2017
Former	The international publication has been made Status updated on 27.02.2017
Most recent event Tooltip	01.07.2022	Lapse of the patent in a contracting state New state(s): MK	published on 03.08.2022 [2022/31]
Applicant(s)	For all designated states SanDisk Technologies LLC Two Legacy Town Center 6900 North Dallas Parkway Plano, Texas 75024 / US
	[2017/35]
Inventor(s)	01 / KOKA, Sateesh c/o SanDisk Corporation 951 SanDisk Drive Milpitas, California 95035 / US
	02 / MAKALA, Raghuveer c/o SanDisk Corporation 951 SanDisk Drive Milpitas, California 95035 / US
	03 / ZHANG, Yanli c/o SanDisk Corporation 951 SanDisk Drive Milpitas, California 95035 / US
	04 / KANAKAMEDALA, Senaka c/o SanDisk Corporation 951 SanDisk Drive Milpitas, California 95035 / US
	05 / SHARANGPANI, Rahul c/o SanDisk Corporation 951 SanDisk Drive Milpitas, California 95035 / US
	06 / LEE, Yao-Sheng c/o SanDisk Corporation 951 SanDisk Drive Milpitas, California 95035 / US
	07 / MATAMIS, George c/o SanDisk Corporation 951 SanDisk Drive Milpitas, California 95035 / US
	[2017/35]
Representative(s)	Dehns 10 Old Bailey London EC4M 7NG / GB
	[N/P]
Former [2018/44]	Dehns St. Brides House 10 Salisbury Square London EC4Y 8JD / GB
Former [2017/35]	Tothill, John Paul Dehns St Bride's House 10 Salisbury Square London EC4Y 8JD / GB
Application number, filing date	15779097.3	25.09.2015
	[2017/35]
	WO2015US52191
Priority number, date	US201414523287	24.10.2014 Original published format: US201414523287
	[2017/35]
Filing language	EN
Procedural language	EN
Publication	Type:	A1 Application with search report
	No.:	WO2016064530
	Date:	28.04.2016
	Language:	EN
	[2016/17]
	Type:	A1 Application with search report
	No.:	EP3210242
	Date:	30.08.2017
	Language:	EN
	The application published by WIPO in one of the EPO official languages on 28.04.2016 takes the place of the publication of the European patent application.
	[2017/35]
	Type:	B1 Patent specification
	No.:	EP3210242
	Date:	31.10.2018
	Language:	EN
	[2018/44]
Search report(s)	International search report - published on:	EP	28.04.2016
Classification	IPC:	H01L27/115, H01L29/792, H01L29/788, H01L29/66	[2017/35]
	CPC:	H10D30/0411 (EP,US); H10B43/27 (EP,US); H10B41/10 (EP,US); H10B41/27 (EP,US); H10B41/35 (US); H10B43/10 (EP,US); (+) H10B43/35 (US); H10D30/025 (US); H10D30/0413 (EP,US); H10D30/689 (EP,US); H10D30/693 (EP,US) (-)
Designated contracting states	AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR [2017/35]
Extension states	BA	Not yet paid
	ME	Not yet paid
Validation states	MA	Not yet paid
Title	German:	NAND-SPEICHERSTRINGS UND VERFAHREN ZUR HERSTELLUNG DAVON	[2017/35]
	English:	NAND MEMORY STRINGS AND METHODS OF FABRICATION THEREOF	[2017/35]
	French:	CHAÎNES DE MÉMOIRE NON-ET ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION	[2017/35]
Entry into regional phase	27.02.2017	National basic fee paid
	27.02.2017	Designation fee(s) paid
	27.02.2017	Examination fee paid
Examination procedure	27.02.2017	Examination requested [2017/35]
	27.02.2017	Date on which the examining division has become responsible
	11.12.2017	Amendment by applicant (claims and/or description)
	12.07.2018	Communication of intention to grant the patent
	24.09.2018	Fee for grant paid
	24.09.2018	Fee for publishing/printing paid
	24.09.2018	Receipt of the translation of the claim(s)
Opposition(s)	01.08.2019	No opposition filed within time limit [2019/41]
Fees paid	Renewal fee
	12.09.2017	Renewal fee patent year 03
	11.09.2018	Renewal fee patent year 04
Opt-out from the exclusive Tooltip competence of the Unified Patent Court	See the Register of the Unified Patent Court for opt-out data
	Responsibility for the accuracy, completeness or quality of the data displayed under the link provided lies entirely with the Unified Patent Court.
Lapses during opposition Tooltip	HU	25.09.2015
	AL	31.10.2018
	AT	31.10.2018
	CY	31.10.2018
	CZ	31.10.2018
	DK	31.10.2018
	EE	31.10.2018
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	FI	31.10.2018
	HR	31.10.2018
	IT	31.10.2018
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	NO	31.01.2019
	GR	01.02.2019
	IS	28.02.2019
	PT	01.03.2019
	[2022/31]
Former [2021/34]	HU	25.09.2015
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	IS	28.02.2019
Former [2019/20]	LT	31.10.2018
	NO	31.01.2019
Cited in	by applicant	US201461977173
		T. ENDOH: "Novel Ultra High Density Memory With A Stacked-Surrounding Gate Transistor (S-SGT) Structured Cell", IEDM PROC., 2001, pages 33 - 36

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