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EP1231628
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP1231628
| EP1231628 - Procédé pour rendre des surfaces de semiconducteur rugueuses [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande est réputée retirée Statut actualisé le 03.10.2003 Base de données mise à jour au 04.11.2024 | Dernier événement Tooltip | 03.10.2003 | Demande réputée retirée | publié le 19.11.2003 [2003/47] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Infineon Technologies SC300 GmbH & Co. KG Königsbrücker Strasse 180 01099 Dresden / DE | [2002/33] | Inventeur(s) | 01 /
Storbeck, Olaf Nordstrasse 38 01099 Dresden / DE | 02 /
Kurtenbach, Andreas Kamenzer Strasse 60 01099 Dresden / DE | 03 /
Kuerner, Wolfgang Karl-Marx-Strasse 13 01099 Dresden / DE | [2002/33] | Mandataire(s) | Fischer, Volker, et al Epping Hermann Fischer Patentanwaltsgesellschaft mbH Schlossschmidstrasse 5 80639 München / DE | [N/P] |
| Précédent [2002/33] | Fischer, Volker, Dipl.-Ing., et al Epping Hermann & Fischer Ridlerstrasse 55 80339 München / DE | Numéro de la demande, date de dépôt | 01103005.3 | 08.02.2001 | [2002/33] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A1 Demande avec rapport de recherche | N°: | EP1231628 | Date: | 14.08.2002 | Langue: | EN | [2002/33] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 18.07.2001 | Classification | IPC: | H01L21/02, H01L21/8242 | [2002/33] | CPC: |
H01L28/84 (EP);
H01L21/32135 (EP)
| Etats contractants désignés | (deleted) [2003/19] |
| Précédent [2002/33] | AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE, TR | Titre | Allemand: | Methode, die Oberfläche eines Halbleiters aufzurauhen | [2002/33] | Anglais: | Method for roughening a surface of a semioconductor substrate | [2002/33] | Français: | Procédé pour rendre des surfaces de semiconducteur rugueuses | [2002/33] | Procédure dexamen | 15.02.2003 | La demande est réputée retirée, date d'effet juridique [2003/47] | 18.06.2003 | Envoi dune notification signalant que la demande est réputée retirée, motif: {0} [2003/47] | Taxes payées | Surtaxe | Surtaxe règle 85bis: taxe nationale de base CBE 1973 | 25.03.2003 | AT M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | BE M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | CH M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | CY M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | DE M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | DK M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | ES M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | FI M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | FR M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | GB M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | GR M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | IE M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | IT M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | LU M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | MC M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | NL M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | PT M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | SE M01 Pas encore payé | 25.03.2003 | TR M01 Pas encore payé | Surtaxe règle 85ter CBE 1973 | 25.03.2003 | M01 Pas encore payé | Surtaxe concernant la taxe annuelle | 28.02.2003 | 03 M06 Pas encore payé |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [A]US6020609 (WU SHYE-LIN [TW]) [A] 1,4* the whole document *; | [A]US6171955 (CHEN SHIH-CHING [TW]) [A] 1-3,5,6 * the whole document *; | [X] - PUTTE VAN DER P ET AL, "SURFACE MORPHOLOGY OF HCI SILICON WAFERS I. GAS PHASE COMPOSITION IN THE SILICON HCI SYSTEM AND SURFACE REACTIONS DURING ETCHING", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH,NL,NORTH-HOLLAND PUBLISHING CO. AMSTERDAM, (1977), vol. 41, ISSN 0022-0248, pages 133 - 145, XP000577106 [X] 1-3 * the whole document * DOI: http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(77)90106-3 |