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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP1197995

EP1197995 - Méthode de fabrication d'une couche en nitrure d'éléments du groupe III [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
Précédent [2002/16]Méthode de fabrication d'une couche en nitrure du groupe III
[2010/30]
StatutAucune opposition formée dans le délai
Statut actualisé le  11.11.2011
Base de données mise à jour au 14.09.2024
Dernier événement   Tooltip27.09.2013Extinction du brevet dans un Etat contractant
Nouvel/nouveaux État(s): TR		publié le 30.10.2013  [2013/44]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
NGK Insulators, Ltd.
2-56, Suda-Cho, Mizuho-ku
Nagoya City, Aichi Pref. / JP
[2011/01]
Précédent [2002/16]Pour tous les Etats désignés
NGK INSULATORS, LTD.
2-56, Suda-cho, Mizuho-ku
Nagoya City Aichi Pref. / JP
Inventeur(s)01 / Shibata, Tomohiko, c/o NGK Insulators
2-56, Suda-cho, Mizuho-ku
Nagoya City, Aichi Pref. / JP
02 / Nakamura, Yukinori, c/o NGK Insulators
2-56, Suda-cho, Mizuho-ku
Nagoya City, Aichi Pref. / JP
03 / Tanaka, Mitsuhiro, c/o NGK Insulators
2-56, Suda-cho, Mizuho-ku
Nagoya City, Aichi Pref. / JP
 [2002/16]
Mandataire(s)TBK
Bavariaring 4-6
80336 München / DE
[N/P]
Précédent [2005/34]TBK-Patent
Bavariaring 4-6
80336 München / DE
Précédent [2002/16]Leson, Thomas Johannes Alois, Dipl.-Ing.
Tiedtke-Bühling-Kinne & Partner GbR, TBK-Patent, Bavariaring 4
80336 München / DE
Numéro de la demande, date de dépôt01124422.511.10.2001
[2002/16]
Numéro de priorité, dateJP2000031303313.10.2000         Format original publié: JP 2000313033
[2002/16]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A2 Demande sans rapport de recherche 
N°:EP1197995
Date:17.04.2002
Langue:EN
[2002/16]
Type: A3 Rapport de recherche 
N°:EP1197995
Date:05.07.2006
[2006/27]
Type: B1 Fascicule de brevet 
N°:EP1197995
Date:05.01.2011
Langue:EN
[2011/01]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP07.06.2006
ClassificationIPC:C30B25/02, C30B29/40, H01L21/205
[2010/30]
CPC:
C30B25/02 (EP,KR,US); C30B29/403 (EP,KR,US); H01L21/0242 (EP,KR,US);
H01L21/0254 (EP,KR,US); H01L21/0262 (EP,US)
Précédent IPC [2002/16]H01L21/205, C30B25/02
Etats contractants désignésAT,   BE,   CH,   CY,   DE,   DK,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   IE,   IT,   LI,   LU,   MC,   NL,   PT,   SE,   TR [2002/16]
TitreAllemand:Verfahren zur Herstellung einer Schicht aus einer Nitridverbindung der Gruppe III[2002/16]
Anglais:Method for fabricating a group III nitride film[2010/30]
Français:Méthode de fabrication d'une couche en nitrure d'éléments du groupe III[2010/30]
Précédent [2002/16]A method for fabricating a III nitride film
Précédent [2002/16]Méthode de fabrication d'une couche en nitrure du groupe III
Procédure d'examen28.09.2006Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription)
28.09.2006Requête en examen déposée  [2006/45]
05.06.2007Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06)
14.12.2007Réponse à une notification de la division dexamen
24.11.2008Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06)
04.05.2009Réponse à une notification de la division dexamen
16.07.2010Notification relative à l'intention de délivrer le brevet
19.11.2010Taxe de délivrance payée
19.11.2010Taxe publication/d‘impression payée
Opposition(s)06.10.2011Aucune opposition formée dans le délai imparti [2011/50]
Taxes payéesTaxe annuelle
30.10.2003Taxe annuelle Année du brevet 03
28.10.2004Taxe annuelle Année du brevet 04
26.10.2005Taxe annuelle Année du brevet 05
30.10.2006Taxe annuelle Année du brevet 06
31.10.2007Taxe annuelle Année du brevet 07
30.10.2008Taxe annuelle Année du brevet 08
29.10.2009Taxe annuelle Année du brevet 09
29.10.2010Taxe annuelle Année du brevet 10
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet		 Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Extinctions durant la phase d’opposition  TooltipAT05.01.2011
BE05.01.2011
CY05.01.2011
DK05.01.2011
FI05.01.2011
IT05.01.2011
NL05.01.2011
SE05.01.2011
TR05.01.2011
GR06.04.2011
ES16.04.2011
PT05.05.2011
[2013/44]
Précédent [2012/03]AT05.01.2011
BE05.01.2011
CY05.01.2011
DK05.01.2011
FI05.01.2011
IT05.01.2011
NL05.01.2011
SE05.01.2011
GR06.04.2011
ES16.04.2011
PT05.05.2011
Précédent [2011/47]AT05.01.2011
BE05.01.2011
CY05.01.2011
DK05.01.2011
FI05.01.2011
NL05.01.2011
SE05.01.2011
GR06.04.2011
ES16.04.2011
PT05.05.2011
Précédent [2011/40]AT05.01.2011
BE05.01.2011
CY05.01.2011
FI05.01.2011
NL05.01.2011
SE05.01.2011
GR06.04.2011
ES16.04.2011
PT05.05.2011
Précédent [2011/37]BE05.01.2011
CY05.01.2011
FI05.01.2011
SE05.01.2011
GR06.04.2011
ES16.04.2011
PT05.05.2011
Précédent [2011/35]SE05.01.2011
GR06.04.2011
ES16.04.2011
PT05.05.2011
Citations:Recherche[Y]JPS5975622  ;
 [A]JPS6021518  ;
 [XY]  - SATO K ET AL, "Low temperature growth of epitaxial AlN films on sapphire", IEEE 1985 ULTRASONICS SYMPOSIUM. PROCEEDINGS. (CAT. NO.85CH2209-5) IEEE NEW YORK, NY, USA, (1985), pages 192 - 197 vol.1, XP008064693 [X] 1,4,7,8 * page 192, paragraph ABSTRACT * * page 193, column 1, line 37 - column 2, line 15; figure 2 * * page 196, column 1, lines 22-41; figures 7,9 * * page 197, lines 33-35 * * page 193, column 1, lines 15-21 * [Y] 2,3,5,6
 [Y]  - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19840824), vol. 008, no. 185, Database accession no. (E - 262), & JP59075622 A 19840428 (NIHON SANSO KK) [Y] 2,3,5,6 * abstract *
 [A]  - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19850614), vol. 009, no. 140, Database accession no. (E - 321), & JP60021518 A 19850202 (NIPPON DENSHIN DENWA KOSHA) [A] 2,3,5,6 * abstract *
Examen   - KANEKO S.; TANAKA M.; MASU K.; TSUBOUCHI K.; MIKOSHIBA N., "Epitaxial growth of AlN film by low-pressure MOCVD in gas-beam-flow reactor", JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, Amsterdam, Netherlands, (19911201), vol. 115, ISSN 0022-0248, pages 643 - 647, XP000322870

DOI:   http://dx.doi.org/10.1016/0022-0248(91)90819-Q
par le demandeurJPS5975622
 JPS6021518
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