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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP1205574

EP1205574 - Dépot de couches atomiques de Ta2O5 et de diélectriques à coefficient K élevé [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutLa demande a été retirée
Statut actualisé le  07.02.2003
Base de données mise à jour au 04.11.2024
Dernier événement   Tooltip07.02.2003Retrait de la demandepublié le 26.03.2003  [2003/13]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
Applied Materials, Inc.
3050 Bowers Avenue
Santa Clara, CA 95054 / US
[N/P]
Précédent [2002/20]Pour tous les Etats désignés
Applied Materials, Inc.
3050 Bowers Avenue
Santa Clara, California 95054 / US
Inventeur(s)01 / Ravi, Jallepally
1655 Betty Court
Santa Clara, CA 95051 / US
02 / Duboust, Alain
668 Bryan Avenue
Sunnyvale, CA 94086 / US
03 / Li, Shih-Hung
998 Nr. A La Mesa Terrace
Sunnyvale, CA 94086 / US
04 / Song, Kevin
2981 Nieman Blvd. Nr. 326
San Jose, CA 95148 / US
05 / Majewski, Robert B.
375 Clifford Avenue Nr. 120
Watsonville, CA 95076 / US
06 / Chen, Liang-Yuh
1400 Melbourne Street
Foster City, CA 94404 / US
07 / Carl, Daniel A.
2161 Promezia Court
Pleasanton, CA 94566 / US
 [2002/28]
Précédent [2002/20]01 / Ravi, Jallepally
3707 Poinciana Drive, Apt. Nr. 50
Santa Clara, CA 95051 / US
02 / Duboust, Alain
668 Bryan Avenue
Sunnyvale, CA 94086 / US
03 / Li, Shih-Hung
998 Nr. A La Mesa Terrace
Sunnyvale, CA 94086 / US
04 / Song, Kevin
2981 Nieman Blvd. Nr. 326
San Jose, CA 95148 / US
05 / Majewski, Robert B.
375 Clifford Avenue Nr. 120
Watsonville, CA 95076 / US
06 / Chen, Liang-Yuh
1400 Melbourne Street
Foster City, CA 94404 / US
07 / Carl, Daniel A.
2161 Promezia Court
Pleasanton, CA 94566 / US
Mandataire(s)Setna, Rohan P., et al
Boult Wade Tennant
Verulam Gardens
70 Gray's Inn Road
London WC1X 8BT / GB
[N/P]
Précédent [2002/20]Setna, Rohan P., et al
Boult Wade Tennant Verulam Gardens 70 Gray's Inn Road
London WC1X 8BT / GB
Numéro de la demande, date de dépôt01309503.909.11.2001
[2002/20]
Numéro de priorité, dateUS2000071263313.11.2000         Format original publié: US 712633
[2002/20]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A2 Demande sans rapport de recherche 
N°:EP1205574
Date:15.05.2002
Langue:EN
[2002/20]
ClassificationIPC:C23C16/40, H01L21/316
[2002/20]
CPC:
C23C16/308 (EP); H01L21/20 (KR); H01L21/0228 (EP,KR,US);
C23C16/40 (EP); C23C16/405 (EP); C23C16/45531 (EP);
C23C16/45553 (EP); H01L21/02183 (EP,KR,US); H01L21/02194 (EP,KR,US) (-)
Etats contractants désignésAT,   BE,   CH,   CY,   DE,   DK,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   IE,   IT,   LI,   LU,   MC,   NL,   PT,   SE,   TR [2002/20]
Etats autorisant lextensionALPas encore payé
LTPas encore payé
LVPas encore payé
MKPas encore payé
ROPas encore payé
SIPas encore payé
TitreAllemand:Abscheidung von Atomschichten aus Ta2O5 und aus Dielektrika mit hohem K-Wert[2002/20]
Anglais:Atomic layer deposition of Ta205 and high-K dielectrics[2002/20]
Français:Dépot de couches atomiques de Ta2O5 et de diélectriques à coefficient K élevé[2002/20]
Procédure d'examen28.01.2003Demande retirée par le demandeur  [2003/13]
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
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