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EP1296379
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP1296379
| EP1296379 - Diode à barrière de Schottky et procédé pour sa fabrication [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande est réputée retirée Statut actualisé le 17.12.2010 Base de données mise à jour au 14.09.2024 | Dernier événement Tooltip | 17.12.2010 | Demande réputée retirée | publié le 19.01.2011 [2011/03] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés SANYO ELECTRIC CO., LTD. 5-5, Keihan-Hondori 2-chome Moriguchi-shi, Osaka 570-8677 / JP | [N/P] |
| Précédent [2003/13] | Pour tous les Etats désignés Sanyo Electric Co., Ltd. 5-5, Keihan-Hondori 2-chome Moriguchi-shi, Osaka 570-8677 / JP | Inventeur(s) | 01 /
Asano, Tetsuro 106-27, Furugori, Oizumi-machi Ora-gun, Gunma-ken / JP | 02 /
Onoda, Katsuaki 202, Braiton Uehara, 2087 Uchigashima-cho Ota-city, Gunma-ken / JP | 03 /
Nakajima, Yoshibumi 274-4, Imahuku-machi Ashikaga-city, Tochigi / JP | [2003/13] | Mandataire(s) | Glawe, Delfs, Moll Partnerschaft mbB von Patent- und Rechtsanwälten Rothenbaumchaussee 58 20148 Hamburg / DE | [N/P] |
| Précédent [2003/13] | Glawe, Delfs, Moll & Partner Patentanwälte Rothenbaumchaussee 58 20148 Hamburg / DE | Numéro de la demande, date de dépôt | 02017076.7 | 29.07.2002 | [2003/13] | Numéro de priorité, date | JP20010290756 | 25.09.2001 Format original publié: JP 2001290756 | [2003/13] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A2 Demande sans rapport de recherche | N°: | EP1296379 | Date: | 26.03.2003 | Langue: | EN | [2003/13] | Type: | A3 Rapport de recherche | N°: | EP1296379 | Date: | 06.04.2005 | [2005/14] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 23.02.2005 | Classification | IPC: | H01L29/872, H01L21/329 | [2003/13] | CPC: |
H01L29/66143 (EP,US);
H01L29/872 (EP,KR,US);
H01L24/05 (EP,US);
H01L2224/023 (EP);
H01L2224/04042 (EP,US);
H01L2224/45144 (EP,US);
| C-Set: |
H01L2224/023, H01L2924/0001 (EP);
H01L2224/45144, H01L2924/00 (EP,US);
H01L2924/14, H01L2924/00 (US,EP)
| Etats contractants désignés | DE [2005/52] |
| Précédent [2003/13] | AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE, SK, TR | Titre | Allemand: | Schottky-Sperrschichtdiode und Verfahren zur Herstellung | [2003/13] | Anglais: | Schottky barrier diode and method for manufacturing it | [2003/13] | Français: | Diode à barrière de Schottky et procédé pour sa fabrication | [2003/13] | Procédure dexamen | 12.07.2005 | Requête en examen déposée [2005/36] | 11.11.2005 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06) | 22.05.2006 | Réponse à une notification de la division dexamen | 22.08.2007 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06) | 03.03.2008 | Réponse à une notification de la division dexamen | 16.03.2010 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 27.07.2010 | La demande est réputée retirée, date d'effet juridique [2011/03] | 31.08.2010 | Envoi dune notification signalant que la demande est réputée retirée, motif: {0} [2011/03] | Taxes payées | Taxe annuelle | 20.07.2004 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 20.07.2005 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 21.07.2006 | Taxe annuelle Année du brevet 05 | 25.07.2007 | Taxe annuelle Année du brevet 06 | 25.03.2008 | Taxe annuelle Année du brevet 07 | 23.07.2009 | Taxe annuelle Année du brevet 08 | Surtaxe | Surtaxe concernant la taxe annuelle | 31.07.2010 | 09 M06 Pas encore payé |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [Y]EP0704906 (MITSUBISHI ELECTRIC CORP [JP]) [Y] 26* column 1, line 10 - line 56; figure 15 *; | [XY] - BISHOP W L ET AL, "A NOVEL WHISKERLESS SCHOTTKY DIODE FOR MILLIMETER AND SUBMILLIMETERWAVE APPLICATION", IEEE MTT-S INTERNATIONAL MICROWAVE SYMPOSIUM DIGEST. LAS VEGAS, JUNE 9, (19870609), VOL. 2, pages 607 - 610, XP000094387 [X] 1-6,8,18-25 * the whole document * [Y] 26 | [X] - DOSSAL H ET AL, "A planar varactor diode for harmonic generation at gigahertz frequencies", PROCEEDINGS OF SOUTHEASTCON. WILLIAMSBURG, APRIL 7 - 10, 1991, PROCEEDINGS OF THE SOUTHEAST CONFERENCE, NEW YORK, IEEE, US, (19910407), VOL. 1, ISBN 0-7803-0033-5, pages 968 - 972, XP010045048 [X] 1-6,8,18-25 * figure 6 * DOI: http://dx.doi.org/10.1109/SECON.1991.147904 |