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EP1313141
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP1313141
| EP1313141 - Dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | Aucune opposition formée dans le délai Statut actualisé le 20.03.2015 Base de données mise à jour au 17.09.2024 | Dernier événement Tooltip | 24.04.2015 | Extinction du brevet dans un Etat contractant | publié le 27.05.2015 [2015/22] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Fujitsu Semiconductor Limited 2-10-23 Shin-Yokohama Kohoku-ku, Yokohama-shi Kanagawa 222-0033 / JP | [2010/25] |
| Précédent [2009/04] | Pour tous les Etats désignés Fujitsu Microelectronics Limited 7-1, Nishi-Shinjuku 2-chome Shinjuku-ku Tokyo 163-0722 / JP | ||
| Précédent [2003/21] | Pour tous les Etats désignés FUJITSU LIMITED 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 / JP | Inventeur(s) | 01 /
Sashida, Naoya, c/o Fujitsu Limited 1-1, Kamikodanaka 4-chome Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 / JP | [2014/20] |
| Précédent [2003/21] | 01 /
Sashida, Naoya, c/o Fujitsu Limited 1-1, Kamikodanaka 4-chome, Nakahara-ku Kawasaki-shi, Kanagawa 211-8588 / JP | Mandataire(s) | Stebbing, Timothy Charles, et al Haseltine Lake LLP Lincoln House, 5th Floor 300 High Holborn London WC1V 7JH / GB | [2014/20] |
| Précédent [2003/21] | Stebbing, Timothy Charles, et al Haseltine Lake & Co., Imperial House, 15-19 Kingsway London WC2B 6UD / GB | Numéro de la demande, date de dépôt | 02251817.9 | 14.03.2002 | [2003/21] | Numéro de priorité, date | JP20010350323 | 15.11.2001 Format original publié: JP 2001350323 | [2003/21] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A2 Demande sans rapport de recherche | N°: | EP1313141 | Date: | 21.05.2003 | Langue: | EN | [2003/21] | Type: | A3 Rapport de recherche | N°: | EP1313141 | Date: | 04.05.2005 | [2005/18] | Type: | B1 Fascicule de brevet | N°: | EP1313141 | Date: | 14.05.2014 | Langue: | EN | [2014/20] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 23.03.2005 | Classification | IPC: | H01L27/115, H01L21/8246, H01L21/768 | [2013/50] | CPC: |
H01L21/7687 (EP,US);
H01L27/105 (KR);
H01L21/76877 (EP,US);
H10B53/00 (EP,US);
H10B53/30 (EP,US);
H01L28/55 (EP,US);
H01L28/60 (EP,US)
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| Précédent IPC [2003/21] | H01L21/8246, H01L27/115 | Etats contractants désignés | DE, FR, GB, IT [2006/04] |
| Précédent [2003/21] | AT, BE, CH, CY, DE, DK, ES, FI, FR, GB, GR, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, SE, TR | Titre | Allemand: | Halbleiterbauelement und dessen Herstellungsverfahren | [2003/21] | Anglais: | Semiconductor device and method of manufacturing the same | [2003/21] | Français: | Dispositif semi-conducteur et son procédé de fabrication | [2003/21] | Procédure d'examen | 02.08.2005 | Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription) | 31.10.2005 | Requête en examen déposée [2005/52] | 14.11.2007 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06) | 15.05.2008 | Réponse à une notification de la division dexamen | 03.02.2011 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M06) | 09.08.2011 | Réponse à une notification de la division dexamen | 07.11.2013 | Annulation de la procédure orale qui était prévue pour 03.12.2013 | 03.12.2013 | Date des procédures orales (annulées) | 10.12.2013 | Notification relative à l'intention de délivrer le brevet | 26.03.2014 | Taxe de délivrance payée | 26.03.2014 | Taxe publication/d‘impression payée | 03.04.2014 | Réception des traductions de la/des revendication(s) | Demande(s) divisionnaire(s) | La date de la première notification de la division d'examen relative à la demande la plus ancienne pour laquelle une notification a été émise est 14.11.2007 | Opposition(s) | 17.02.2015 | Aucune opposition formée dans le délai imparti [2015/17] | Taxes payées | Taxe annuelle | 29.03.2004 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 31.03.2005 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 29.03.2006 | Taxe annuelle Année du brevet 05 | 28.03.2007 | Taxe annuelle Année du brevet 06 | 17.03.2008 | Taxe annuelle Année du brevet 07 | 30.03.2009 | Taxe annuelle Année du brevet 08 | 29.03.2010 | Taxe annuelle Année du brevet 09 | 30.03.2011 | Taxe annuelle Année du brevet 10 | 06.01.2012 | Taxe annuelle Année du brevet 11 | 03.01.2013 | Taxe annuelle Année du brevet 12 | 06.01.2014 | Taxe annuelle Année du brevet 13 |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Extinctions durant la phase d’opposition Tooltip | IT | 14.05.2014 | [2015/22] | Citations: | Recherche | [X]EP0642167 (MATSUSHITA ELECTRONICS CORP [JP]); | [X]US5716875 (JONES JR ROBERT E [US], et al); | [XA]GB2338595 (SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD [KR]); | [XA]DE10001118 (INFINEON TECHNOLOGIES AG [DE]) | Examen | US6313491 |