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EP1372191
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP1372191
| EP1372191 - Technique de dépot d'une structure sur un substrat [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande est réputée retirée Statut actualisé le 03.06.2005 Base de données mise à jour au 14.09.2024 | Dernier événement Tooltip | 03.06.2005 | Demande réputée retirée | publié le 20.07.2005 [2005/29] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Filtronic Compound Semiconductor Limited Heighington Lane Business Park Newton Ayecliffe Co. Durham, DL5 6JW / GB | [N/P] |
| Précédent [2003/51] | Pour tous les Etats désignés Filtronic Compound Semiconductor Limited Heighington Lane Business Park Newton Ayecliffe, Co. Durham, DL5 6JW / GB | Inventeur(s) | 01 /
Phillips, Carl Christopher, Filtronic Compound Semiconductors Ltd, Heighington Lane Business Park Newton Aycliffe, Co. Durham DL5 6JW / GB | [2003/51] | Mandataire(s) | McDonough, Jonathan Urquhart-Dykes & Lord LLP Tower North Central Merrion Way Leeds LS2 8PA / GB | [N/P] |
| Précédent [2003/51] | McDonough, Jonathan Urquhart-Dykes & Lord, Tower House, Merrion Way Leeds LS2 8PA / GB | Numéro de la demande, date de dépôt | 03253753.2 | 12.06.2003 | [2003/51] | Numéro de priorité, date | GB20020013695 | 14.06.2002 Format original publié: GB 0213695 | [2003/51] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A2 Demande sans rapport de recherche | N°: | EP1372191 | Date: | 17.12.2003 | Langue: | EN | [2003/51] | Type: | A3 Rapport de recherche | N°: | EP1372191 | Date: | 07.04.2004 | [2004/15] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 24.02.2004 | Classification | IPC: | H01L21/027, H01L21/308, G03F7/38 | [2004/14] | CPC: |
H01L21/7688 (EP,US);
G03F7/168 (EP,US);
G03F7/38 (EP,US);
H01L21/0272 (EP,US);
H01L21/0274 (EP,US);
H01L21/76838 (EP,US);
G03F7/095 (EP,US);
H01L21/28587 (EP,US);
H05K3/048 (EP,US);
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| Précédent IPC [2003/51] | H01L21/768, H01L21/027 | Etats contractants désignés | (deleted) [2005/01] |
| Précédent [2003/51] | AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IT, LI, LU, MC, NL, PT, RO, SE, SI, SK, TR | Titre | Allemand: | Verfahren zur Abscheidung einer Struktur auf einem Substrat | [2003/51] | Anglais: | Method for depositing a device feature on a substrate | [2003/51] | Français: | Technique de dépot d'une structure sur un substrat | [2003/51] | Procédure dexamen | 08.10.2004 | La demande est réputée retirée, date d'effet juridique [2005/29] | 09.02.2005 | Envoi dune notification signalant que la demande est réputée retirée, motif: {0} [2005/29] | Taxes payées | Surtaxe | Surtaxe règle 85bis: taxe nationale de base CBE 1973 | 16.11.2004 | DE M01 Pas encore payé | 16.11.2004 | FR M01 Pas encore payé | 16.11.2004 | GB M01 Pas encore payé | 16.11.2004 | IT M01 Pas encore payé | Surtaxe règle 85ter CBE 1973 | 16.11.2004 | M01 Pas encore payé |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [X]JPH03235322 ; | [X]JPS57199222 ; | [X]JPH1197328 ; | [A]JPH03119720 ; | [X]US6372414 (REDD RANDY D [US], et al) [X] 1-9 * column 2, line 45 - column 3, line 12 * * column 4, lines 12-28 *; | [X] - REDD ET AL., "Lithographic Process for High-Resolution Metal Lift-Off", PROCEEDINGS OF THE SPIE CONFERENCE ON ADVANCES IN RESIST TECHNOLOGY AND PROCESSING XVI - THE INTERNATIONAL SOCIETY FOR OPTICAL ENGINEERING, Santa Clara, California, (19990315), vol. 3678, pages 641 - 651, XP008027240 [X] 1-9 * abstract * * page 641 - page 643 * * figure 1 * DOI: http://dx.doi.org/10.1117/12.350188 | [X] - REDD ET AL., "Revitalization of Single Layer Lift-off For Finer Resolution and Challenging Topography", GAAS MANTECH CONFERENCE - DIGEST OF PAPERS PROCEEDINGS OF 2001 INTERNATIONAL CONFERENCE ON COMPOUND SEMICONDUCTOR TECHNOLOGY, Las Vegas, (20010521), pages 99 - 101, XP001188108 [X] 1-9 * the whole document * | [X] - ANONYMOUS, "Single Layer Optical Lift Off Process. October 1975.", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, New York, US, (19751001), vol. 18, no. 5, page 1395, XP002269032 [X] 1-4,7-9 * the whole document * | [X] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19920114), vol. 016, no. 014, Database accession no. (E - 1154), & JP03235322 A 19911021 (NEC CORP) [X] 1-4,7-9 * abstract * | [X] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19830225), vol. 007, no. 049, Database accession no. (E - 161), & JP57199222 A 19821207 (NIPPON DENSHIN DENWA KOSHA) [X] 1,2,4-9 * abstract * | [X] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19990730), vol. 1999, no. 09, & JP11097328 A 19990409 (TOSHIBA CORP) [X] 1,2,4-9 * abstract * | [A] - ANONYMOUS, "Single Layer Lift-Off Process. September 1979.", IBM TECHNICAL DISCLOSURE BULLETIN, New York, US, (19790901), vol. 22, no. 4, page 1399, XP002269033 [A] 1-9 * the whole document * | [A] - PATENT ABSTRACTS OF JAPAN, (19910816), vol. 015, no. 323, Database accession no. (E - 1101), & JP03119720 A 19910522 (NIPPON TELEGR & TELEPH CORP) [A] 1-9 * abstract * |