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EP1677365
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP1677365
| EP1677365 - Diode électroluminescente à semi-conducteur avec une structure texturée et procédé de fabrication [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande est réputée retirée Statut actualisé le 06.11.2015 Base de données mise à jour au 18.09.2024 | Dernier événement Tooltip | 06.11.2015 | Demande réputée retirée | publié le 09.12.2015 [2015/50] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Samsung Electronics Co., Ltd. 129, Samsung-ro Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do, 443-742 / KR | [2013/02] |
| Précédent [2010/29] | Pour tous les Etats désignés Samsung LED Co., Ltd. 314 Maetan 3-dong Yeongtong-gu Suwon Gyunggi-do 442-743 / KR | ||
| Précédent [2006/27] | Pour tous les Etats désignés Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. 314, Maetan3-dong Yeongtong-gu Suwon-si, Gyeonggi-do / KR | Inventeur(s) | 01 /
Kwak, Joon-seop, 301-1101 Hyundai Apt. Sinyeongtong Banwol-ri Taean-eub Hwaseong-si Gyeonggi-do / KR | 02 /
Lee, Jeong-wook 805-1001 Hyundai Seongwoo Apt. Pungdeokcheon 2-don Yongin-si Gyeonggi-do / KR | [2006/27] | Mandataire(s) | Greene, Simon Kenneth Elkington and Fife LLP Prospect House 8 Pembroke Road Sevenoaks, Kent TN13 1XR / GB | [N/P] |
| Précédent [2006/27] | Greene, Simon Kenneth Elkington and Fife LLP, Prospect House, 8 Pembroke Road Sevenoaks Kent TN13 1XR / GB | Numéro de la demande, date de dépôt | 05258008.1 | 22.12.2005 | [2006/27] | Numéro de priorité, date | KR20040117960 | 31.12.2004 Format original publié: KR 2004117960 | [2006/27] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A2 Demande sans rapport de recherche | N°: | EP1677365 | Date: | 05.07.2006 | Langue: | EN | [2006/27] | Type: | A3 Rapport de recherche | N°: | EP1677365 | Date: | 18.02.2009 | [2009/08] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 21.01.2009 | Classification | IPC: | H01L33/00 | [2006/27] | CPC: |
H01L33/22 (EP,US);
H01L21/0242 (EP,US);
H01L21/02458 (EP,US);
H01L21/0254 (EP,US);
H01L21/02639 (EP,US);
H01L21/02642 (EP,US);
| Etats contractants désignés | DE, FR, GB [2009/43] |
| Précédent [2006/27] | AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR | Titre | Allemand: | Lichtemittierende Halbleiterdiode mit einer texturierten Struktur und Herstellungsverfahren | [2006/27] | Anglais: | Semiconductor light emitting diode having textured structure and method of manufacturing the same | [2006/27] | Français: | Diode électroluminescente à semi-conducteur avec une structure texturée et procédé de fabrication | [2006/27] | Procédure dexamen | 12.08.2009 | Requête en examen déposée [2009/39] | 19.08.2009 | Perte de droit, date d'effet juridique: Etat(s) désigné(s) | 23.10.2009 | Envoi de la notification relative à une perte de droit : Etat(s) désigné(s) AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DK, EE, ES, FI, GR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR | 28.10.2009 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 08.03.2010 | Réponse à une notification de la division dexamen | 01.07.2015 | La demande est réputée retirée, date d'effet juridique [2015/50] | 30.07.2015 | Envoi dune notification signalant que la demande est réputée retirée, motif: {0} [2015/50] | Demande(s) divisionnaire(s) | La date de la première notification de la division d'examen relative à la demande la plus ancienne pour laquelle une notification a été émise est 28.10.2009 | Taxes payées | Taxe annuelle | 20.12.2007 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 15.12.2008 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 23.12.2009 | Taxe annuelle Année du brevet 05 | 28.12.2010 | Taxe annuelle Année du brevet 06 | 02.01.2012 | Taxe annuelle Année du brevet 07 | 26.12.2012 | Taxe annuelle Année du brevet 08 | 25.12.2013 | Taxe annuelle Année du brevet 09 | Surtaxe | Surtaxe concernant la taxe annuelle | 31.12.2014 | 10 M06 Pas encore payé |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [X]US2003141512 (BRUDERL GEORG [DE], et al) [X] 12-14 * paragraphs [0018] , [0035] - [0049]; figures 1,2A-E *; | [X]WO2004051758 (SANKEN ELECTRIC CO LTD [JP], et al) [X] 1-5,11,12,14 * abstract * * page 8, line 20 - page 16, line 27; figures 1-8 *; | [A]US2004124427 (HSU JULIA WAN-PING [US], et al) [A] 6 * paragraphs [0054] - [0062]; figures 7-10 *; | [A]US2004150001 (SHCHUKIN VITALY [DE], et al) [A] * paragraphs [0003] , [0005] , [0020] , [0021] , [0055] - [0071] - [0136]; figures 9,10,7 *; | [PX]US2005205886 (MUROFUSHI HITOSHI [JP], et al) [PX] 1-5,11,12,14* paragraphs [0040] , [0058] - [0084]; figures 1-8 * | par le demandeur | - H. S. VENUGOPALAN, "Morphology of Nickel and Nickel/Gold Contacts to Gallium Nitride", J.VAC.SCI.TECHNOL., (199803), vol. A16, no. 2 |