blank Aide rapide
blank Actualité maintenance

Dates prévues pour la maintenance

Interruptions régulières:
entre 5 h 00 et 5 h 15 HEC, du lundi au dimanche.

Autres interruptions
Accessibilité

2022.02.11

en savoir plus...
blank Flash info

Flash Info

Nouvelle version du Registre européen des brevets – des informations relatives aux procédures CCP sont disponibles dans le Registre européen des brevets.

2024-07-24

en savoir plus...
blank Liens utiles

Notifications
Assistant du Registre européen des brevets
Manuel d’utilisation du Registre européen des brevets
Registre européen des brevets – guide de poche
FAQ - Registre européen des brevets
Registre fédéré (Flyer)
Dossier mondial (Flyer)
Événements du Registre
Couverture de données pour lien profonds
Contenue du Registre fédéré
Tour de l'information brevets
Charte d'utilisation équitable

Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP1753018

EP1753018 - Procédé pour fabriquer un substrat monocristallin à base de nitrure et procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à base de nitrure [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutAucune opposition formée dans le délai
Statut actualisé le  19.07.2013
Base de données mise à jour au 29.10.2024
Dernier événement   Tooltip17.07.2015Extinction du brevet dans un Etat contractant
Nouvel/nouveaux État(s): HU		publié le 19.08.2015  [2015/34]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
Samsung LED Co., Ltd.
314 Maetan 3-dong Yeongtong-gu Suwon
Gyunggi-do 442-743 / KR
[2010/29]
Précédent [2007/07]Pour tous les Etats désignés
Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd.
314, Maetan-3-dong, Youngtong-ku
Suwon, Kyungki-do / KR
Inventeur(s)01 / Yang, Jong In
402-601 Greenvill
Singal-ri
Kiheung-eup
Yongin
Kyungki-do / KR
02 / Park, Ki Yon
105-801 Booyoung Apt.
2542 Yongam-dong
Sangdang-ku
Cheongjoo Choongchungbook-do / KR
 [2012/37]
Précédent [2007/07]01 / Yang, Jong In
402-601 Greenvill Singal-ri Kiheung-eup Yongin
Kyungki-do / KR
02 / Park, Ki Yon
105-801 Booyoung Apt. 2542 Yongam-dong Sangdang-ku
Cheongjoo Choongchungbook-do / KR
Mandataire(s)Powell, Timothy John
Potter Clarkson LLP The Belgrave Centre
Talbot Street
Nottingham NG1 5GG / GB
[N/P]
Précédent [2012/37]Powell, Timothy John
Potter Clarkson LLP Park View House 58 The Ropewalk Nottingham
NG1 5DD / GB
Précédent [2007/07]Powell, Timothy John
Eric Potter Clarkson LLP Park View House 58 The Ropewalk
Nottingham NG1 5DD / GB
Numéro de la demande, date de dépôt06253864.024.07.2006
[2007/07]
Numéro de priorité, dateKR2005007424612.08.2005         Format original publié: KR 20050074246
[2007/07]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A2 Demande sans rapport de recherche 
N°:EP1753018
Date:14.02.2007
Langue:EN
[2007/07]
Type: A3 Rapport de recherche 
N°:EP1753018
Date:31.03.2010
[2010/13]
Type: B1 Fascicule de brevet 
N°:EP1753018
Date:12.09.2012
Langue:EN
[2012/37]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP26.02.2010
ClassificationIPC:H01L21/20, C30B29/40
[2007/07]
CPC:
C30B29/60 (EP,US); C30B29/403 (EP,US); H01L21/6835 (EP,US);
H01L21/6836 (EP,US); H01L21/78 (EP,US); H01L24/96 (EP,US);
H01L33/0075 (EP,US); H01L2221/68327 (EP,US); H01L2221/68363 (EP,US);
H01L2221/68368 (EP,US); H01L2924/01003 (US); H01L2924/01005 (EP,US);
H01L2924/01006 (EP,US); H01L2924/01012 (EP,US); H01L2924/01013 (EP,US);
H01L2924/01015 (EP,US); H01L2924/01023 (EP,US); H01L2924/01027 (EP,US);
H01L2924/01029 (EP,US); H01L2924/01033 (EP,US); H01L2924/01047 (EP,US);
H01L2924/0106 (EP,US); H01L2924/01073 (EP,US); H01L2924/01079 (EP,US);
H01L2924/01082 (EP,US); H01L2924/10329 (EP,US); H01L2924/12041 (EP,US);
H01L2924/12042 (EP,US); H01L2924/351 (EP,US); H01L2924/3511 (EP,US);
H01L33/0093 (EP,US) (-)
C-Set:
H01L2924/12041, H01L2924/00 (EP,US);
H01L2924/12042, H01L2924/00 (US,EP);
H01L2924/3511, H01L2924/00 (US,EP);
H01L2924/351, H01L2924/00 (US,EP)
Etats contractants désignésAT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   NL,   PL,   PT,   RO,   SE,   SI,   SK,   TR [2007/07]
TitreAllemand:Verfahren zur Herstellung eines auf Nitrid Basis einkristallinen Substrats und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung auf Nitrid Basis[2007/07]
Anglais:Method for manufacturing nitride based single crystal substrate and method for manufacturing nitride based semiconductor device[2007/07]
Français:Procédé pour fabriquer un substrat monocristallin à base de nitrure et procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à base de nitrure[2007/07]
Procédure d'examen30.09.2010Requête en examen déposée  [2010/45]
29.10.2010Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription)
12.05.2011Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
18.08.2011Réponse à une notification de la division dexamen
22.02.2012Notification relative à l'intention de délivrer le brevet
02.07.2012Taxe de délivrance payée
02.07.2012Taxe publication/d‘impression payée
Demande(s) divisionnaire(s)La date de la première notification de la division d'examen relative à la demande la plus ancienne pour laquelle une notification a été émise est  12.05.2011
Opposition(s)13.06.2013Aucune opposition formée dans le délai imparti [2013/34]
Taxes payéesTaxe annuelle
14.07.2008Taxe annuelle Année du brevet 03
10.07.2009Taxe annuelle Année du brevet 04
30.07.2010Taxe annuelle Année du brevet 05
29.07.2011Taxe annuelle Année du brevet 06
30.07.2012Taxe annuelle Année du brevet 07
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet		 Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni.
Extinctions durant la phase d’opposition  TooltipHU24.07.2006
AT12.09.2012
BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
DK12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
IT12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
MC12.09.2012
NL12.09.2012
PL12.09.2012
RO12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
SK12.09.2012
TR12.09.2012
BG12.12.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
PT14.01.2013
[2015/34]
Précédent [2015/32]AT12.09.2012
BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
DK12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
IT12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
MC12.09.2012
NL12.09.2012
PL12.09.2012
RO12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
SK12.09.2012
TR12.09.2012
BG12.12.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
PT14.01.2013
Précédent [2014/14]AT12.09.2012
BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
DK12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
IT12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
MC12.09.2012
NL12.09.2012
PL12.09.2012
RO12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
SK12.09.2012
BG12.12.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
PT14.01.2013
Précédent [2013/37]AT12.09.2012
BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
DK12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
IT12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
NL12.09.2012
PL12.09.2012
RO12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
SK12.09.2012
BG12.12.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
PT14.01.2013
Précédent [2013/34]AT12.09.2012
BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
DK12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
NL12.09.2012
PL12.09.2012
RO12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
SK12.09.2012
BG12.12.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
PT14.01.2013
Précédent [2013/31]AT12.09.2012
BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
NL12.09.2012
PL12.09.2012
RO12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
SK12.09.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
PT14.01.2013
Précédent [2013/28]BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
NL12.09.2012
PL12.09.2012
RO12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
SK12.09.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
PT14.01.2013
Précédent [2013/23]BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
NL12.09.2012
PL12.09.2012
RO12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
SK12.09.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
Précédent [2013/22]BE12.09.2012
CY12.09.2012
CZ12.09.2012
EE12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
NL12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
GR13.12.2012
ES23.12.2012
IS12.01.2013
Précédent [2013/20]BE12.09.2012
CY12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
GR13.12.2012
Précédent [2013/12]CY12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
SE12.09.2012
SI12.09.2012
GR13.12.2012
Précédent [2013/11]CY12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
LV12.09.2012
SI12.09.2012
GR13.12.2012
Précédent [2013/10]CY12.09.2012
FI12.09.2012
LT12.09.2012
Précédent [2013/09]FI12.09.2012
LT12.09.2012
Précédent [2013/08]LT12.09.2012
Citations:Recherche[XYI]US6071795  (CHEUNG NATHAN W [US], et al) [X] 1-7 * column 4, lines 4-9, 26-31, 38-41,46-53; figures 1-6 * * column 5, lines 21-24,44-49 * * column 5, lines 21-35 * [Y] 13,25 [I] 8;
 [XYI]US2003189212  (YOO MYUNG CHEOL [US]) [X] 23-24,26-33 * paragraphs [0013] , [0033] , [0034] , [0036] , [0040] - [0048]; figures 2a,2b,3,4,6-15, 21-24 * [Y] 13,25 [I] 9-12,14-22;
 [IY]US2004245543  (YOO MYUNG CHEOL [US]) [I] 9-10,14,22 * paragraphs [0031] - [0035] - [0076] , [0 79] , [0080] , [0083]; figures 4-12 * [Y] 13,25;
 [X]  - WONG W S ET AL, "Fabrication of thin-film InGaN light-emitting diode membranes by laser lift-off", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (19990906), vol. 75, no. 10, ISSN 0003-6951, pages 1360 - 1362, XP012023432 [X] 1 * figure 1 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.124693
 [I]  - WONG WILLIAM S ET AL, "Continuous-wave InGaN multiple-quantum-well laser diodes on copper substrates", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (20010226), vol. 78, no. 9, ISSN 0003-6951, pages 1198 - 1200, XP012028696 [I] 9 * figure 1 *

DOI:   http://dx.doi.org/10.1063/1.1350593
L'OEB décline toute responsabilité quant à l’exactitude des données émanant d'administrations tierces. Il ne garantit notamment pas l'exhaustivité, l'actualité ou la pertinence à des fins spécifiques de ces données.