EP1753018 - Procédé pour fabriquer un substrat monocristallin à base de nitrure et procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à base de nitrure [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | Aucune opposition formée dans le délai Statut actualisé le 19.07.2013 Base de données mise à jour au 29.10.2024 | Dernier événement Tooltip | 17.07.2015 | Extinction du brevet dans un Etat contractant Nouvel/nouveaux État(s): HU | publié le 19.08.2015 [2015/34] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Samsung LED Co., Ltd. 314 Maetan 3-dong Yeongtong-gu Suwon Gyunggi-do 442-743 / KR | [2010/29] |
Précédent [2007/07] | Pour tous les Etats désignés Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. 314, Maetan-3-dong, Youngtong-ku Suwon, Kyungki-do / KR | Inventeur(s) | 01 /
Yang, Jong In 402-601 Greenvill Singal-ri Kiheung-eup Yongin Kyungki-do / KR | 02 /
Park, Ki Yon 105-801 Booyoung Apt. 2542 Yongam-dong Sangdang-ku Cheongjoo Choongchungbook-do / KR | [2012/37] |
Précédent [2007/07] | 01 /
Yang, Jong In 402-601 Greenvill Singal-ri Kiheung-eup Yongin Kyungki-do / KR | ||
02 /
Park, Ki Yon 105-801 Booyoung Apt. 2542 Yongam-dong Sangdang-ku Cheongjoo Choongchungbook-do / KR | Mandataire(s) | Powell, Timothy John Potter Clarkson LLP The Belgrave Centre Talbot Street Nottingham NG1 5GG / GB | [N/P] |
Précédent [2012/37] | Powell, Timothy John Potter Clarkson LLP Park View House 58 The Ropewalk Nottingham NG1 5DD / GB | ||
Précédent [2007/07] | Powell, Timothy John Eric Potter Clarkson LLP Park View House 58 The Ropewalk Nottingham NG1 5DD / GB | Numéro de la demande, date de dépôt | 06253864.0 | 24.07.2006 | [2007/07] | Numéro de priorité, date | KR20050074246 | 12.08.2005 Format original publié: KR 20050074246 | [2007/07] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A2 Demande sans rapport de recherche | N°: | EP1753018 | Date: | 14.02.2007 | Langue: | EN | [2007/07] | Type: | A3 Rapport de recherche | N°: | EP1753018 | Date: | 31.03.2010 | [2010/13] | Type: | B1 Fascicule de brevet | N°: | EP1753018 | Date: | 12.09.2012 | Langue: | EN | [2012/37] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 26.02.2010 | Classification | IPC: | H01L21/20, C30B29/40 | [2007/07] | CPC: |
C30B29/60 (EP,US);
C30B29/403 (EP,US);
H01L21/6835 (EP,US);
H01L21/6836 (EP,US);
H01L21/78 (EP,US);
H01L24/96 (EP,US);
H01L33/0075 (EP,US);
H01L2221/68327 (EP,US);
H01L2221/68363 (EP,US);
H01L2221/68368 (EP,US);
H01L2924/01003 (US);
H01L2924/01005 (EP,US);
H01L2924/01006 (EP,US);
H01L2924/01012 (EP,US);
H01L2924/01013 (EP,US);
H01L2924/01015 (EP,US);
H01L2924/01023 (EP,US);
H01L2924/01027 (EP,US);
H01L2924/01029 (EP,US);
H01L2924/01033 (EP,US);
H01L2924/01047 (EP,US);
H01L2924/0106 (EP,US);
H01L2924/01073 (EP,US);
H01L2924/01079 (EP,US);
H01L2924/01082 (EP,US);
H01L2924/10329 (EP,US);
H01L2924/12041 (EP,US);
H01L2924/12042 (EP,US);
H01L2924/351 (EP,US);
H01L2924/3511 (EP,US);
H01L33/0093 (EP,US)
(-)
| C-Set: |
H01L2924/12041, H01L2924/00 (EP,US);
H01L2924/12042, H01L2924/00 (US,EP);
H01L2924/3511, H01L2924/00 (US,EP);
H01L2924/351, H01L2924/00 (US,EP) | Etats contractants désignés | AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, NL, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR [2007/07] | Titre | Allemand: | Verfahren zur Herstellung eines auf Nitrid Basis einkristallinen Substrats und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiteranordnung auf Nitrid Basis | [2007/07] | Anglais: | Method for manufacturing nitride based single crystal substrate and method for manufacturing nitride based semiconductor device | [2007/07] | Français: | Procédé pour fabriquer un substrat monocristallin à base de nitrure et procédé de fabrication d'un dispositif semiconducteur à base de nitrure | [2007/07] | Procédure d'examen | 30.09.2010 | Requête en examen déposée [2010/45] | 29.10.2010 | Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription) | 12.05.2011 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 18.08.2011 | Réponse à une notification de la division dexamen | 22.02.2012 | Notification relative à l'intention de délivrer le brevet | 02.07.2012 | Taxe de délivrance payée | 02.07.2012 | Taxe publication/d‘impression payée | Demande(s) divisionnaire(s) | La date de la première notification de la division d'examen relative à la demande la plus ancienne pour laquelle une notification a été émise est 12.05.2011 | Opposition(s) | 13.06.2013 | Aucune opposition formée dans le délai imparti [2013/34] | Taxes payées | Taxe annuelle | 14.07.2008 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 10.07.2009 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 30.07.2010 | Taxe annuelle Année du brevet 05 | 29.07.2011 | Taxe annuelle Année du brevet 06 | 30.07.2012 | Taxe annuelle Année du brevet 07 |
Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Extinctions durant la phase d’opposition Tooltip | HU | 24.07.2006 | AT | 12.09.2012 | BE | 12.09.2012 | CY | 12.09.2012 | CZ | 12.09.2012 | DK | 12.09.2012 | EE | 12.09.2012 | FI | 12.09.2012 | IT | 12.09.2012 | LT | 12.09.2012 | LV | 12.09.2012 | MC | 12.09.2012 | NL | 12.09.2012 | PL | 12.09.2012 | RO | 12.09.2012 | SE | 12.09.2012 | SI | 12.09.2012 | SK | 12.09.2012 | TR | 12.09.2012 | BG | 12.12.2012 | GR | 13.12.2012 | ES | 23.12.2012 | IS | 12.01.2013 | PT | 14.01.2013 | [2015/34] |
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PL | 12.09.2012 | ||
RO | 12.09.2012 | ||
SE | 12.09.2012 | ||
SI | 12.09.2012 | ||
SK | 12.09.2012 | ||
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CZ | 12.09.2012 | ||
EE | 12.09.2012 | ||
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LT | 12.09.2012 | ||
LV | 12.09.2012 | ||
NL | 12.09.2012 | ||
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CY | 12.09.2012 | ||
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Précédent [2013/22] | BE | 12.09.2012 | |
CY | 12.09.2012 | ||
CZ | 12.09.2012 | ||
EE | 12.09.2012 | ||
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LT | 12.09.2012 | ||
Précédent [2013/08] | LT | 12.09.2012 | Citations: | Recherche | [XYI]US6071795 (CHEUNG NATHAN W [US], et al) [X] 1-7 * column 4, lines 4-9, 26-31, 38-41,46-53; figures 1-6 * * column 5, lines 21-24,44-49 * * column 5, lines 21-35 * [Y] 13,25 [I] 8; | [XYI]US2003189212 (YOO MYUNG CHEOL [US]) [X] 23-24,26-33 * paragraphs [0013] , [0033] , [0034] , [0036] , [0040] - [0048]; figures 2a,2b,3,4,6-15, 21-24 * [Y] 13,25 [I] 9-12,14-22; | [IY]US2004245543 (YOO MYUNG CHEOL [US]) [I] 9-10,14,22 * paragraphs [0031] - [0035] - [0076] , [0 79] , [0080] , [0083]; figures 4-12 * [Y] 13,25; | [X] - WONG W S ET AL, "Fabrication of thin-film InGaN light-emitting diode membranes by laser lift-off", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (19990906), vol. 75, no. 10, ISSN 0003-6951, pages 1360 - 1362, XP012023432 [X] 1 * figure 1 * DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.124693 | [I] - WONG WILLIAM S ET AL, "Continuous-wave InGaN multiple-quantum-well laser diodes on copper substrates", APPLIED PHYSICS LETTERS, AIP, AMERICAN INSTITUTE OF PHYSICS, MELVILLE, NY, US, (20010226), vol. 78, no. 9, ISSN 0003-6951, pages 1198 - 1200, XP012028696 [I] 9 * figure 1 * DOI: http://dx.doi.org/10.1063/1.1350593 |