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EP2001047
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP2001047
| EP2001047 - Dispositif semi-conducteur [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande est réputée retirée Statut actualisé le 17.04.2015 Base de données mise à jour au 19.10.2024 | Dernier événement Tooltip | 17.04.2015 | Demande réputée retirée | publié le 20.05.2015 [2015/21] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa, 243-0036 / JP | [N/P] |
| Précédent [2008/50] | Pour tous les Etats désignés Semiconductor Energy Laboratory Co, Ltd. 398, Hase Atsugi-shi, Kanagawa 243-0036 / JP | Inventeur(s) | 01 /
Ohtani, Hisashi Semiconductor Energy Lab. Co.,Ltd. 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa-ken 243-0036 / JP | 02 /
Sugiyama, Eiji Semiconductor Energy Lab. Co.,Ltd. 398, Hase Atsugi-shi Kanagawa-ken 243-0036 / JP | [2008/50] | Mandataire(s) | Grünecker Patent- und Rechtsanwälte PartG mbB Leopoldstraße 4 80802 München / DE | [N/P] |
| Précédent [2008/50] | Grünecker, Kinkeldey, Stockmair & Schwanhäusser Anwaltssozietät Leopoldstrasse 4 80802 München / DE | Numéro de la demande, date de dépôt | 08009111.9 | 16.05.2008 | [2008/50] | Numéro de priorité, date | JP20070151168 | 07.06.2007 Format original publié: JP 2007151168 | [2008/50] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A1 Demande avec rapport de recherche | N°: | EP2001047 | Date: | 10.12.2008 | Langue: | EN | [2008/50] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 17.10.2008 | Classification | IPC: | H01L21/56, H01L23/29, H01L23/31 | [2008/50] | CPC: |
H01L23/295 (EP,US);
H01L23/14 (KR);
H01L21/56 (EP,US);
H01L23/18 (KR);
H01L23/3157 (EP,US);
H01L2924/0002 (EP,US);
| C-Set: |
H01L2924/0002, H01L2924/00 (EP,US)
| Etats contractants désignés | DE, FI, FR, GB, NL [2009/34] |
| Précédent [2008/50] | AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MT, NL, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR | Titre | Allemand: | Halbleiterbauelement | [2008/50] | Anglais: | Semiconductor device | [2008/50] | Français: | Dispositif semi-conducteur | [2008/50] | Procédure dexamen | 19.05.2009 | Requête en examen déposée [2009/27] | 11.06.2009 | Perte de droit, date d'effet juridique: Etat(s) désigné(s) | 22.06.2009 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 17.07.2009 | Envoi de la notification relative à une perte de droit : Etat(s) désigné(s) AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DK, EE, ES, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LT, LU, LV, MC, MT, NO, PL, PT, RO, SE, SI, SK, TR | 26.10.2009 | Réponse à une notification de la division dexamen | 02.12.2014 | La demande est réputée retirée, date d'effet juridique [2015/21] | 07.01.2015 | Envoi dune notification signalant que la demande est réputée retirée, motif: {0} [2015/21] | Demande(s) divisionnaire(s) | La date de la première notification de la division d'examen relative à la demande la plus ancienne pour laquelle une notification a été émise est 22.06.2009 | Taxes payées | Taxe annuelle | 31.03.2010 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 11.05.2011 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 29.03.2012 | Taxe annuelle Année du brevet 05 | 10.05.2013 | Taxe annuelle Année du brevet 06 | Surtaxe | Surtaxe concernant la taxe annuelle | 31.05.2014 | 07 M06 Pas encore payé |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [Y]EP1758438 (SHINKO ELECTRIC IND CO [JP]) [Y] 1-13 * paragraph [0021] - paragraph [0058]; figures 1,16 *; | [Y]WO9609158 (AMP AKZO LINLAM VOF [NL], et al) [Y] 1-13 * page 5, line 1 - page 12, line 30; figures 1-3 *; | [A]US2007004125 (WATANABE YASUKO [JP], et al) [A] 1-13 * paragraph [0040] - paragraph [0070]; figures 1-3 *; | [A]US2004016939 (AKIBA MASAYUKI [JP], et al) [A] 1-13 * paragraph [0027] - paragraph [0038]; figure 2 *; | [A]EP0939441 (CANON KK [JP]) [A] 1-13 * paragraph [0021] - paragraph [0047]; figure 1 *; | [E]EP1970951 (SEMICONDUCTOR ENERGY LAB [JP]) [E] 1-13 * paragraph [0021] - paragraph [0067]; figures 1,8,9 * | par le demandeur | JP3364081B | JP3406727B | JP2003174153 | JP2007151168 |