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Extrait du Registre européen des brevets

EP Présentation générale: EP3026694

EP3026694 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN SIC ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets]
StatutLa demande a été retirée
Statut actualisé le  30.12.2018
Base de données mise à jour au 18.11.2024
PrécédentL'examen est en cours
Statut actualisé le  07.09.2018
Dernier événement   Tooltip30.12.2018Retrait de la demandepublié le 30.01.2019  [2019/05]
Demandeur(s)Pour tous les Etats désignés
Kabushiki Kaisha Toshiba
1-1, Shibaura 1-Chome Minato-Ku
Tokyo 105-8001 / JP
[2016/22]
Inventeur(s)01 / NISHIO, Johji
c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA)
1-1, Shibaura 1-chome
Minato-ku
Tokyo 105-8001 / JP
02 / SHIMIZU, Tatsuo
c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA)
1-1, Shibaura 1-chome
Minato-ku
Tokyo 105-8001 / JP
03 / IIJIMA, Ryosuke
c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA)
1-1, Shibaura 1-chome
Minato-ku
Tokyo 105-8001 / JP
04 / OHASHI, Teruyuki
c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA)
1-1, Shibaura 1-chome
Minato-ku
Tokyo 105-8001 / JP
05 / TAKAO, Kazuto
c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA)
1-1, Shibaura 1-chome
Minato-ku
Tokyo 105-8001 / JP
06 / SHINOHE, Takashi
c/o Toshiba Research Consulting Corporation
1, Komukai Toshiba-cho
Saiwai-ku, Kawasaki
Kanagawa 212-8582 / JP
 [2016/22]
Mandataire(s)Moreland, David, et al
Marks & Clerk LLP The Beacon
176 St Vincent Street
Glasgow G2 5SG / GB
[N/P]
Précédent [2016/22]Moreland, David, et al
Marks & Clerk LLP
Aurora
120 Bothwell Street
Glasgow G2 7JS / GB
Numéro de la demande, date de dépôt15176154.109.07.2015
[2016/22]
Numéro de priorité, dateJP2014023933226.11.2014         Format original publié: JP 2014239332
[2016/22]
Langue de dépôtEN
Langue de la procédureEN
PublicationType: A1 Demande avec rapport de recherche 
N°:EP3026694
Date:01.06.2016
Langue:EN
[2016/22]
Rapport(s) de rechercheRapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le:EP23.03.2016
ClassificationIPC:H01L21/329, H01L29/861, H01L29/32, H01L29/24
[2016/22]
CPC:
H01L29/1608 (EP,US); H01L29/868 (US); H01L21/046 (US);
H01L29/32 (EP,US); H01L29/6606 (EP,US); H01L29/8611 (EP,US);
H01L29/66068 (EP,US); H01L29/7395 (EP,US) (-)
Etats contractants désignésAL,   AT,   BE,   BG,   CH,   CY,   CZ,   DE,   DK,   EE,   ES,   FI,   FR,   GB,   GR,   HR,   HU,   IE,   IS,   IT,   LI,   LT,   LU,   LV,   MC,   MK,   MT,   NL,   NO,   PL,   PT,   RO,   RS,   SE,   SI,   SK,   SM,   TR [2016/22]
Etats autorisant lextensionBAPas encore payé
MEPas encore payé
État(s) autorisant la validationMAPas encore payé
TitreAllemand:SIC HALBLEITERBAUELEMENT UND SEINE HERSTELLUNGSVERFAHREN[2016/22]
Anglais:SIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHODS[2016/22]
Français:DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN SIC ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION[2016/22]
Procédure d'examen09.07.2015Requête en examen déposée  [2016/22]
01.12.2016Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription)
07.09.2018Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04)
20.12.2018Demande retirée par le demandeur  [2019/05]
Taxes payéesTaxe annuelle
12.07.2017Taxe annuelle Année du brevet 03
11.07.2018Taxe annuelle Année du brevet 04
Dérogation à la compétence  Tooltip
exclusive de la juridiction
unifiée du brevet
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Citations:Recherche[XA]EP1883102  (CENTRAL RES INST ELECT [JP]);
 [A]US2011018005  (NAKANO YUKI [JP]);
 [A]US2014070230  (O'LOUGHLIN MICHAEL JOHN [US], et al);
ExamenUS2012223333
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