EP3026694 - DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN SIC ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande a été retirée Statut actualisé le 30.12.2018 Base de données mise à jour au 18.11.2024 | |
Précédent | L'examen est en cours Statut actualisé le 07.09.2018 | Dernier événement Tooltip | 30.12.2018 | Retrait de la demande | publié le 30.01.2019 [2019/05] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Kabushiki Kaisha Toshiba 1-1, Shibaura 1-Chome Minato-Ku Tokyo 105-8001 / JP | [2016/22] | Inventeur(s) | 01 /
NISHIO, Johji c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 02 /
SHIMIZU, Tatsuo c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 03 /
IIJIMA, Ryosuke c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 04 /
OHASHI, Teruyuki c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 05 /
TAKAO, Kazuto c/o IP Div. Toshiba Corp. (K. K. TOSHIBA) 1-1, Shibaura 1-chome Minato-ku Tokyo 105-8001 / JP | 06 /
SHINOHE, Takashi c/o Toshiba Research Consulting Corporation 1, Komukai Toshiba-cho Saiwai-ku, Kawasaki Kanagawa 212-8582 / JP | [2016/22] | Mandataire(s) | Moreland, David, et al Marks & Clerk LLP The Beacon 176 St Vincent Street Glasgow G2 5SG / GB | [N/P] |
Précédent [2016/22] | Moreland, David, et al Marks & Clerk LLP Aurora 120 Bothwell Street Glasgow G2 7JS / GB | Numéro de la demande, date de dépôt | 15176154.1 | 09.07.2015 | [2016/22] | Numéro de priorité, date | JP20140239332 | 26.11.2014 Format original publié: JP 2014239332 | [2016/22] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A1 Demande avec rapport de recherche | N°: | EP3026694 | Date: | 01.06.2016 | Langue: | EN | [2016/22] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 23.03.2016 | Classification | IPC: | H01L21/329, H01L29/861, H01L29/32, H01L29/24 | [2016/22] | CPC: |
H01L29/1608 (EP,US);
H01L29/868 (US);
H01L21/046 (US);
H01L29/32 (EP,US);
H01L29/6606 (EP,US);
H01L29/8611 (EP,US);
| Etats contractants désignés | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR [2016/22] | Etats autorisant lextension | BA | Pas encore payé | ME | Pas encore payé | État(s) autorisant la validation | MA | Pas encore payé | Titre | Allemand: | SIC HALBLEITERBAUELEMENT UND SEINE HERSTELLUNGSVERFAHREN | [2016/22] | Anglais: | SIC SEMICONDUCTOR DEVICE AND ITS MANUFACTURING METHODS | [2016/22] | Français: | DISPOSITIF À SEMI-CONDUCTEURS EN SIC ET SES PROCÉDÉS DE FABRICATION | [2016/22] | Procédure d'examen | 09.07.2015 | Requête en examen déposée [2016/22] | 01.12.2016 | Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription) | 07.09.2018 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 20.12.2018 | Demande retirée par le demandeur [2019/05] | Taxes payées | Taxe annuelle | 12.07.2017 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 11.07.2018 | Taxe annuelle Année du brevet 04 |
Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [XA]EP1883102 (CENTRAL RES INST ELECT [JP]); | [A]US2011018005 (NAKANO YUKI [JP]); | [A]US2014070230 (O'LOUGHLIN MICHAEL JOHN [US], et al); | Examen | US2012223333 |