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EP3437137
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP3437137
| EP3437137 - AILETTE CONTENANT DE L'INDIUM D'UN DISPOSITIF DE TRANSISTOR À C UR RICHE EN INDIUM [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La demande a été retirée Statut actualisé le 05.02.2021 Base de données mise à jour au 04.11.2024 | |
| Précédent | La requête en examen a été présentée Statut actualisé le 04.01.2019 | ||
| Précédent | La publication internationale a été faite Statut actualisé le 07.10.2017 | Dernier événement Tooltip | 05.02.2021 | Retrait de la demande | publié le 10.03.2021 [2021/10] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés INTEL Corporation 2200 Mission College Blvd. Santa Clara, CA 95054 / US | [2019/06] | Inventeur(s) | 01 /
MOHAPATRA, Chandra S. 150 NE 57th Avenue Hillsboro, Oregon 97124 / US | 02 /
GLASS, Glenn A. 5009 NW 124th Avenue Portland, Oregon 97229 / US | 03 /
KENNEL, Harold W. 7320 SW Hunt Club Drive Portland, Oregon 97223 / US | 04 /
MURTHY, Anand S. 10934 NW Lucerne Court Portland, Oregon 97229 / US | 05 /
RACHMADY, Willy 10945 SW Nutcracker Court Beaverton, Oregon 97007 / US | 06 /
DEWEY, Gilbert 15530 NW Norwich Street Beaverton, Oregon 97006 / US | 07 /
MA, Sean T. 3304 SW Scholls Ferry Road Portland, Oregon 97221 / US | 08 /
METZ, Matthew V. 18860 NW Aurora Place Portland, Oregon 97229 / US | 09 /
KAVALIEROS, Jack T. 3734 NW Bronson Crest Loop Portland, Oregon 97229 / US | 10 /
GHANI, Tahir 14191 NW Stonebridge Drive Portland, Oregon 97229 / US | [2019/06] | Mandataire(s) | HGF HGF Limited 1 City Walk Leeds LS11 9DX / GB | [N/P] |
| Précédent [2019/06] | HGF Limited Fountain Precinct Balm Green Sheffield S1 2JA / GB | Numéro de la demande, date de dépôt | 16897413.7 | 01.04.2016 | [2019/06] | WO2016US25729 | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A1 Demande avec rapport de recherche | N°: | WO2017171875 | Date: | 05.10.2017 | Langue: | EN | [2017/40] | Type: | A1 Demande avec rapport de recherche | N°: | EP3437137 | Date: | 06.02.2019 | Langue: | EN | La demande publiée par l'OMPI le 05.10.2017, dans une des langues officielles de l'OEB, remplace la publication de la demande de brevet européen. | [2019/06] | Rapport(s) de recherche | Rapport de recherche internationale - publié le: | KR | 05.10.2017 | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 24.10.2019 | Classification | IPC: | H01L29/78, H01L21/336 | [2019/06] | CPC: |
H01L29/785 (EP,US);
H01L29/41791 (US);
H01L27/0924 (EP);
H01L27/1211 (EP);
H01L29/1054 (EP);
H01L29/201 (US);
| Etats contractants désignés | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR [2019/06] | Titre | Allemand: | INDIUMHALTIGE FLOSSE EINES TRANSISTORS MIT EINEM INDIUMREICHEN KERN | [2019/06] | Anglais: | AN INDIUM-CONTAINING FIN OF A TRANSISTOR DEVICE WITH AN INDIUM-RICH CORE | [2019/06] | Français: | AILETTE CONTENANT DE L'INDIUM D'UN DISPOSITIF DE TRANSISTOR À C UR RICHE EN INDIUM | [2019/06] | Entrée dans la phase régionale | 05.09.2018 | Taxe nationale de base payée | 05.09.2018 | Taxe de recherche payée | 05.09.2018 | Taxe(s) de désignation payée(s) | 05.09.2018 | Taxe d'examen payée | Procédure d'examen | supprimé | Date à laquelle la division d’examen est devenue compétente | 05.09.2018 | Requête en examen déposée [2019/06] | 21.05.2020 | Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription) | 01.02.2021 | Demande retirée par le demandeur [2021/10] | Taxes payées | Taxe annuelle | 05.09.2018 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 15.04.2019 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 31.03.2020 | Taxe annuelle Année du brevet 05 |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [A]US8836016 (WU CHENG-HSIEN [TW], et al) [A] 1-15* figure 6 *; | [XI]US2014284726 (LEE YI-JING [TW], et al) [X] 1,2,7 * paragraph [0040]; figure 1 * [I] 3-6,8-15; | [A] - WALDRON NIAMH ET AL, "Replacement fin processing for III-V on Si: From FinFets to nanowires", SOLID STATE ELECTRONICS, ELSEVIER SCIENCE PUBLISHERS, BARKING, GB, (20151023), vol. 115, doi:10.1016/J.SSE.2015.09.020, ISSN 0038-1101, pages 81 - 91, XP029309681 [A] 1-15 * figures 9, 10 * DOI: http://dx.doi.org/10.1016/j.sse.2015.09.020 | Recherche internationale | [A]US2014302658 (ADAM THOMAS N [US], et al) [A] 1-21 * See abstract, paragraphs [0041]-[0046] and figures 6A-7. *; | [A]US2015137266 (HUANG YU-LIEN [TW], et al) [A] 1-21 * See abstract, paragraph [0030] and figure 5B. *; | [A]WO2015147858 (INTEL CORP [US]) [A] 1-21 * See abstract, paragraphs [0080]-[0083] and figures 18A-19. *; | [A]KR20150116771 (SAMSUNG ELECTRONICS CO LTD [KR], et al) [A] 1-21* See abstract, paragraphs [0049]-[0055] and figures 2a-3c. *; | [A]WO2016043769 (INTEL CORP [US], et al) [A] 1-21 * See abstract, page 5, lines 6-20 and figure 7. * |