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EP3734677
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP3734677
| EP3734677 - MATÉRIAU QUASICRYSTALLIN ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | L'examen est en cours Statut actualisé le 13.08.2021 Base de données mise à jour au 18.11.2024 | |
| Précédent | La requête en examen a été présentée Statut actualisé le 15.01.2021 | ||
| Précédent | La demande a été publiée Statut actualisé le 02.10.2020 | Dernier événement Tooltip | 25.10.2024 | Changement - classification | publié le 27.11.2024 [2024/48] | 25.10.2024 | Changement - classification | publié le 27.11.2024 [2024/48] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Samsung Electronics Co., Ltd. 129 Samsung-ro Yeongtong-Gu Suwon-Si Gyeonggi-do 16677 / KR | Pour tous les Etats désignés Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University 50, Yonsei-ro Seodaemun-gu Seoul 03722 / KR | [2020/45] | Inventeur(s) | 01 /
LEE, Eunsung c/o Samsung Advanced Institute of Technology 130, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si 16678 Gyeonggi-do / KR | 02 /
KIM, Dohyang Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University 50, Yonsei-ro, Seodaemun-gu 03722 Seoul / KR | 03 /
YOON, Duseop c/o Samsung Advanced Institute of Technology 130, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si 16678 Gyeonggi-do / KR | 04 /
YOO, Joungeun c/o Samsung Advanced Institute of Technology 130, Samsung-ro, Yeongtong-gu, Suwon-si 16678 Gyeonggi-do / KR | [2020/45] | Mandataire(s) | Elkington and Fife LLP Prospect House 8 Pembroke Road Sevenoaks, Kent TN13 1XR / GB | [2020/45] | Numéro de la demande, date de dépôt | 20164805.2 | 23.03.2020 | [2020/45] | Numéro de priorité, date | KR20190050723 | 30.04.2019 Format original publié: KR 20190050723 | [2020/45] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A1 Demande avec rapport de recherche | N°: | EP3734677 | Date: | 04.11.2020 | Langue: | EN | [2020/45] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 30.07.2020 | Classification | IPC: | H10N70/20, H10N70/00 | [2024/48] | CPC: |
H10N70/231 (EP,CN,KR,US);
C22C21/02 (CN,US);
C22C30/00 (CN);
H10N70/826 (EP);
H10N70/841 (KR);
H10N70/881 (EP,CN,KR,US);
C22C2200/06 (US)
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| Précédent IPC [2020/45] | H01L45/00 | Etats contractants désignés | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR [2021/07] |
| Précédent [2020/45] | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR | Etats autorisant lextension | BA | Pas encore payé | ME | Pas encore payé | État(s) autorisant la validation | KH | Pas encore payé | MA | Pas encore payé | MD | Pas encore payé | TN | Pas encore payé | Titre | Allemand: | QUASIKRISTALLINES MATERIAL UND HALBLEITERBAUELEMENT DAMIT | [2020/45] | Anglais: | QUASICRYSTALLINE MATERIAL AND SEMICONDUCTOR DEVICE APPLYING THE SAME | [2020/45] | Français: | MATÉRIAU QUASICRYSTALLIN ET DISPOSITIF SEMI-CONDUCTEUR L'UTILISANT | [2020/45] | Procédure dexamen | 07.01.2021 | Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription) | 07.01.2021 | Requête en examen déposée [2021/07] | 07.01.2021 | Date à laquelle la division d’examen est devenue compétente | 16.08.2021 | Envoi d'une notification de la division d'examen (délai : M04) | 09.12.2021 | Réponse à une notification de la division dexamen | Taxes payées | Taxe annuelle | 02.03.2022 | Taxe annuelle Année du brevet 03 | 27.02.2023 | Taxe annuelle Année du brevet 04 | 26.02.2024 | Taxe annuelle Année du brevet 05 |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [Y]US2012049144 (FRANCESCHINI MICHELE M [US], et al); | [Y]US2017194337 (LEE HYUNG-DONG [KR]); |