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EP4312275
Procédure d'examen
Extrait du Registre européen des brevets
EP Présentation générale: EP4312275
| EP4312275 - STRUCTURES DE CELLULES D'IGBT À TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE AVEC UNE GRILLE DE COMMANDE ET UNE COUCHE DE STOCKAGE DE SUPPORT, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION [Cliquez sur ce lien avec le bouton droit de la souris pour le conserver dans vos signets] | Statut | La requête en examen a été présentée Statut actualisé le 02.08.2024 Base de données mise à jour au 19.10.2024 | |
| Précédent | La demande a été publiée Statut actualisé le 29.12.2023 | Dernier événement Tooltip | 02.08.2024 | La date à laquelle la division d'examen est devenue compétente a été établie | 02.08.2024 | Requête en examen présentée | publié le 04.09.2024 [2024/36] | 02.08.2024 | Changement - Etats désignés | publié le 04.09.2024 [2024/36] | Demandeur(s) | Pour tous les Etats désignés Nexperia Technology (Shanghai) Ltd. Room 201, No. 458 Jumen Road HuangPu District Shanghai 200025 / CN | Pour tous les Etats désignés Nexperia B.V. Jonkerbosplein 52 6534 AB Nijmegen / NL | [2024/05] | Inventeur(s) | 01 /
ZHANG, Ken Shanghai / CN | 02 /
ZHU, Chunlin Manchester / GB | 03 /
JIANG, Ke Shanghai / CN | [2024/05] | Mandataire(s) | Pjanovic, Ilija Nexperia B.V. Legal & IP Jonkerbosplein 52 6534 AB Nijmegen / NL | [2024/05] | Numéro de la demande, date de dépôt | 23188522.9 | 28.07.2023 | [2024/05] | Numéro de priorité, date | CN202210909115 | 29.07.2022 Format original publié: CN202210909115 | [2024/05] | Langue de dépôt | EN | Langue de la procédure | EN | Publication | Type: | A1 Demande avec rapport de recherche | N°: | EP4312275 | Date: | 31.01.2024 | Langue: | EN | [2024/05] | Rapport(s) de recherche | Rapport (complémentaire) de recherche européenne - envoyé le: | EP | 13.12.2023 | Classification | IPC: | H01L29/739, H01L21/331, // H01L29/06, H01L29/40, H01L29/417 | [2024/05] | CPC: |
H01L29/7397 (EP,CN,US);
H01L29/7398 (CN);
H01L29/063 (US);
H01L21/26513 (US);
H01L29/0696 (EP,CN);
H01L29/1095 (US);
H01L29/401 (CN);
H01L29/42356 (CN);
H01L29/4236 (CN);
H01L29/66348 (EP,CN,US);
H01L29/0619 (EP);
H01L29/407 (EP);
H01L29/417 (EP)
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| Etats contractants désignés | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, ME, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR [2024/36] |
| Précédent [2024/05] | AL, AT, BE, BG, CH, CY, CZ, DE, DK, EE, ES, FI, FR, GB, GR, HR, HU, IE, IS, IT, LI, LT, LU, LV, MC, ME, MK, MT, NL, NO, PL, PT, RO, RS, SE, SI, SK, SM, TR | Etats autorisant lextension | BA | Pas encore payé | État(s) autorisant la validation | KH | Pas encore payé | MA | Pas encore payé | MD | Pas encore payé | TN | Pas encore payé | Titre | Allemand: | ZELLSTRUKTUREN AUS EINEM IGBT MIT ISOLIERTEM GATE-BIPOLARTRANSISTOR MIT EINEM STEUERGATE UND EINER TRÄGERSPEICHERSCHICHT UND HERSTELLUNGSVERFAHREN DAFÜR | [2024/05] | Anglais: | CELL STRUCTURES OF INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR IGBT WITH A CONTROL GATE AND A CARRIER STORAGE LAYER, AND THEIR MANUFACTURING METHODS | [2024/05] | Français: | STRUCTURES DE CELLULES D'IGBT À TRANSISTOR BIPOLAIRE À GRILLE ISOLÉE AVEC UNE GRILLE DE COMMANDE ET UNE COUCHE DE STOCKAGE DE SUPPORT, ET LEURS PROCÉDÉS DE FABRICATION | [2024/05] | Procédure d'examen | 31.07.2024 | Modification par le demandeur (revendications et/ou déscription) | 31.07.2024 | Requête en examen déposée [2024/36] | 31.07.2024 | Date à laquelle la division d’examen est devenue compétente |
| Dérogation à la compétence Tooltip exclusive de la juridiction unifiée du brevet | Voir le Registre de la juridiction unifiée du brevet pour les données relatives à la dérogation | ||
| La juridiction unifiée du brevet assume l'entière responsabilité de l'exactitude, de l'exhaustivité et de la qualité des données présentées sous le lien fourni. | Citations: | Recherche | [A]EP1760790 (TOYOTA CHUO KENKYUSHO KK [JP], et al) [A] 1-15 * paragraph [0038] ** figure 7 *; | [Y]US2015069461 (MISU SHINICHIRO [JP], et al) [Y] 1-15 * paragraph [0021] * * paragraph [0045] - paragraph [0047] * * figure 4 *; | [Y]US2015076554 (LAVEN JOHANNES GEORG [DE], et al) [Y] 1-15 * paragraph [0034] - paragraph [0049] * * figure 1A *; | [Y]US2018097093 (PFIRSCH FRANK DIETER [DE], et al) [Y] 1-15 * paragraph [0070] - paragraph [0073] * * paragraph [0086] * * figures 9,10 *; | [Y]US2019074367 (NAITO TATSUYA [JP]) [Y] 1-15 * paragraph [0098] * * paragraph [0127] * * figures 5,10 * |